Механизм стабилизации металлической модификации Sm[1-x]Gd[x]S при фазовом переходе полупроводник-металл под давлением [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1604-1606. - Библиогр.: с. 1606 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- механизмы стабилизации модификаций -- монокристаллы -- стабилизаця металлических фаз -- степени дефектности материалов -- полупроводниковые соединения -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния Аннотация: На основании сравнительного анализа структурных особенностей и электрических параметров монокристаллов Sm[0. 85]Gd[0. 15]S в полупроводниковой и стабильной при атмосферном давлении металлической фазах сделан вывод, что в материалах с составом Sm[1-x]Gd[x]S стабилизация металлической фазы после ее получения под высоким гидростатическим давлением происходит за счет увеличения степени дефектности материала. Последнее находит свое отражение в уменьшении размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Аналогичным образом сохраняется металлическая фаза SmS, возникающая в приповерхностном слое после полировки поверхности образца. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Степанов, Н. Н.; Романова, М. В.; Голубков, А. В. |