Влияние размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения на электрические параметры полупроводникового SmS [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1158-1161. - Библиогр.: с. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): области когерентного рассеяния -- рентгеновское излучение -- ОКР -- полупроводниковый сульфид самария -- сульфид самария Аннотация: Рассмотрена связь электрических свойств полупроводникового сульфида самария (SmS) с размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Получена экспериментальная зависимость концентрации носителей заряда от величины областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллических образцах SmS, а также в тонких пленках сульфида самария. Удовлетворительное соответствие расчетных кривых и экспериментальных результатов свидетельствует о том, что размер областей когерентного рассеяния оказывает решающее влияние на величины концентраций носителей заряда и дефектных ионов самария в SmS. Изучено влияние термоударов на величину областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллах SmS, а также в поликристаллических образцах состава Sm[0. 4]Eu[0. 6]S. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Васильев, Л. Н.; Каменская, Г. А. |