539.2 К 18 Каминский, В. В. Исследования температурной зависимости параметров кристаллической решетки SmS [] / В. В. Каминский, Н. В. Шаренкова, Л. Н. Васильев, С. М. Соловьев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 217-219. - Библиогр.: с. 219 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифрактометрия; диэлектрики; зависимости; кристаллические решетки; моносульфид самария; параметры; полупроводники; рентгеновская дифрактометрия; решетки; самарий; сульфид самария; температурные зависимости Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии исследовано поведение параметра решетки монокристаллов сульфида самария в температурном интервале 100-700 К. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
539.2 Ш 25 Шаренкова, Н. В. Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS [] / Н. В. Шаренкова, В. В. Каминский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 598-602. - Библиогр.: с. 602 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гомогенность; дифрактометрия; диэлектрики; металлическая фаза; металлические слои; механическая полировка; пленки; поликристаллические образцы; полировка; полупроводники; полупроводниковые образцы; рентгеновская дифрактометрия; сульфид самария; фаза Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности пленки металлической фазы, возникающей при дозированной полировке полупроводниковых поликристаллических образцов SmS (1+x) S в области гомогенности. Исследованы структурные изменения, возникающие при этом в полупроводниковой фазе. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Каменская, Г. А. |
539.2 П 18 Парфеньева, Л. С. Теплопроводность биоморфного композита SiC/Si - новой экокерамики канального типа [Текст] / Л. С. Парфеньева, Т. С. Орлова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1175-1179. - Библиогр.: с. 1179 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аргон; атмосфера аргона; биоморфные композиты; инфильтрация; канальная углеродная матрица; композиты; кремний; матрицы; пиролиз; расплавленный кремний; теплопроводность; углеродные матрицы; экокерамика; экокерамика канального типа Аннотация: Измерены теплопроводность и удельное электросопротивление экокерамики канального типа - биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе канальной углеродной матрицы, полученной из дерева (белого эвкалипта) с помощью пиролиза в атмосфере аргона, с последующей инфильтрацией в каналы матрицы расплавленного Si. Доп.точки доступа: Орлова, Т. С.; Картенко, Н. Ф.; Шаренкова, Н. В.; Смирнов, Б. И.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Varela-Feria, F. M.; Martinez-Fernandez, J.; de Arellano-Lopez, A. R. |
539.2 Г 62 Голубков, А. В. Исследование диффузии европия в SmS [Текст] / А. В. Голубков, В. А. Дидик [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1192-1194. - Библиогр.: с. 1194 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): активация; диффузия; диффузия европия; диэлектрики; европий; коэффициент диффузии; монокристаллический сульфид самария; поликристаллический сульфид самария; полупроводники; сульфид самария; энергия активации Аннотация: В интервале температур от 780 до 1100 градусов Цельсия исследована диффузия европия в сульфиде самария. Получены данные о коэффициенте диффузии и энергиях активации европия в моно- и поликристаллических образцах SmS. Доп.точки доступа: Дидик, В. А.; Каминский, В. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шаренкова, Н. В. |
539.2 П 18 Парфеньева, Л. С. Тепловые и электрические свойства биоуглеродной матрицы белого эвкалипта для экокерамики SiC/Si [Текст] / Л. С. Парфеньева, Т. С. Орлова [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 3. - С. 415-420. - Библиогр.: с. 419-420 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аргон; белый эвкалипт; биоморфные композиты; биоуглеродные матрицы; карбид кремния; матрицы белого эвкалипта; пиролиз; теплопроводность; удельное электросопротивление; экокерамика Аннотация: В интервале температур 5-300 К измерены теплопроводность и удельное электросопротивление канальной биоуглеродной матрицы белого эвкалипта, используемой для приготовления биоморфной керамики на основе карбида кремния. Углеродная матрица получена с помощью пиролиза (обугливания) при 1000 градусов Цельсия в атмосфере аргона дерева (белого эвкалипта) . Доп.точки доступа: Орлова, Т. С.; Картенко, Н. Ф.; Шаренкова, Н. В.; Смирнов, Б. И.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Mucha, J.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Varela-Feria, F. M. |
539.2 В 19 Васильев, Л. Н. О структуре дефектов в SmS [Текст] / Л. Н. Васильев, В. В. Каминский [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1777-1778. - Библиогр.: с. 1778 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): донорные уровни; когерентное рассеяние; концентрация ионов проводимости; монокристаллы; области когерентного рассеяния; рентгеновское излучение; самарий Аннотация: Получена экспериментальная зависимость концентрации электронов проводимости от размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Кривая проанализирована на основании разработанной ранее концентрационной модели энергетического спектра SmS. Показано, что примесные донорные уровни в SmS соответствуют дефектным ионам самария, располагающимся на границах областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В. |
621.3 К 18 Каминский, В. В. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS [Текст] / В. В. Каминский, С. М. Лугуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 3-6 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический SmS -- моносульфид самария -- коэффициент линейного раширения Аннотация: В температурном интервале 300-850 К измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5. 62-5. 8 А, близкой к таковой для металлического SmS. Доп.точки доступа: Лугуев, С. М.; Омаров, З. М.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
621.3 К 182 Каминский, В. В. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS [Текст] / В. В. Каминский, С. М. Лугуев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 3-6 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический SmS -- моносульфид самария -- коэффициент линейного раширения Аннотация: В температурном интервале 300-850 К измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5. 62-5. 8 А, близкой к таковой для металлического SmS. Доп.точки доступа: Лугуев, С. М.; Омаров, З. М.; Шаренкова, Н. В.; Голубков, А. В.; Васильев, Л. Н.; Соловьев, С. М. |
Влияние размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения на электрические параметры полупроводникового SmS [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1158-1161. - Библиогр.: с. 1161 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): области когерентного рассеяния -- рентгеновское излучение -- ОКР -- полупроводниковый сульфид самария -- сульфид самария Аннотация: Рассмотрена связь электрических свойств полупроводникового сульфида самария (SmS) с размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Получена экспериментальная зависимость концентрации носителей заряда от величины областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллических образцах SmS, а также в тонких пленках сульфида самария. Удовлетворительное соответствие расчетных кривых и экспериментальных результатов свидетельствует о том, что размер областей когерентного рассеяния оказывает решающее влияние на величины концентраций носителей заряда и дефектных ионов самария в SmS. Изучено влияние термоударов на величину областей когерентного рассеяния в моно- и поликристаллах SmS, а также в поликристаллических образцах состава Sm[0. 4]Eu[0. 6]S. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Романова, М. В.; Васильев, Л. Н.; Каменская, Г. А. |
Теплопроводность высокопористых биоуглеродных матриц дерева сосны [Текст] / Л. С. Парфеньева и [др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 12. - С. 2150-2159. - Библиогр.: с. 2159 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- электропроводность -- биоуглеродные материалы -- высокопористые матрицы дерева -- интервалы температур Аннотация: В интервале температур 5-300 K измерены теплопроводность и электропроводность высокопористых (с канальным типом пор) биоуглеродных матриц белой сосны, приготовленных с помощью пиролиза дерева сосны при температурах карбонизации (T[carb]) 1000 и 2400{град}C. Проведен рентгеноструктурный анализ и определены размеры нанокристаллитов, участвующих в формировании углеродных каркасов исследованных биоуглеродных матриц. Указанные размеры для образцов, полученных при T[carb] 1000 и 2400{град}C, находятся соответственно в пределах 12-35 и 25-70 А. Температурные зависимости теплопроводности и электропроводности получены на образцах, вырезанных вдоль направления роста дерева. На основании измерений показано, что исследованные биоуглеродные матрицы являются полупроводниками. Значения теплопроводности и электропроводности возрастают с увеличением температуры карбонизации образцов. При измерении теплопроводности у обоих типов образцов получена нестандартная для аморфных (и рентгеноморфных) материалов температурная зависимость фононной теплопроводности. При повышении температуры фононная теплопроводность сначала изменяется пропорционально T, а затем растет - T{1. 7}. Проведен анализ полученных результатов. Доп.точки доступа: Парфеньева, Л. С.; Орлова, Е. С.; Картенко, Н. Ф.; Шаренкова, Н. В.; Смирнов, Б. И.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Wilkes, T. E.; Faber, K. T. |
Механизм стабилизации металлической модификации Sm[1-x]Gd[x]S при фазовом переходе полупроводник-металл под давлением [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 8. - С. 1604-1606. - Библиогр.: с. 1606 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- механизмы стабилизации модификаций -- монокристаллы -- стабилизаця металлических фаз -- степени дефектности материалов -- полупроводниковые соединения -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния Аннотация: На основании сравнительного анализа структурных особенностей и электрических параметров монокристаллов Sm[0. 85]Gd[0. 15]S в полупроводниковой и стабильной при атмосферном давлении металлической фазах сделан вывод, что в материалах с составом Sm[1-x]Gd[x]S стабилизация металлической фазы после ее получения под высоким гидростатическим давлением происходит за счет увеличения степени дефектности материала. Последнее находит свое отражение в уменьшении размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Аналогичным образом сохраняется металлическая фаза SmS, возникающая в приповерхностном слое после полировки поверхности образца. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Степанов, Н. Н.; Романова, М. В.; Голубков, А. В. |
Влияние степени совершенства кристаллов и отклонения от стехиометрического состава на процессы диффузии в сульфиде самария [Текст] / В. В. Каминский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1900-1904. - Библиогр.: с. 1904 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): стехиометрические составы -- процессы диффузии -- сульфиды самария -- диффузии европия -- методы разиоактивных изотопов -- области когерентного рассеяния рентгеновских излучений -- коэффициенты диффузии примесей Аннотация: Исследованы процессы диффузии самария и европия в нестехиометрическом SmS в температурном интервале 950-1600 градусах Цельсия как методом радиоактивных изотопов, так и методом потери веса образцов при испарении избыточного самария. Обнаружена связь между величинами коэффициентов диффузии D и размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (ОКР) в образцах SmS, а также степенью отклонения состава от стехиометрии: коэффициент диффузии примесей уменьшается при увеличении ОКР и по мере приближения состава к стехиометрическому. Расчет коэффициента диффузии электронов в SmS при T=77-300 K показал, что значение D увеличивается с ростом температуры и областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Дидик, В. А.; Романова, М. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шалаев, Б. Н.; Шаренкова, Н. В. |
Теплопроводность высокопористого биоуглерода с канальным типом пор, полученного на основе дерева сапели [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1909-1916. - Библиогр.: с. 1916 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- биоуглероды -- высокопористые биоуглероды -- биоуглероды с канальным типом пор -- электропроводность Аннотация: В интервале температур T=5-300 K измерены теплопроводность varkappa (T) и электропроводность sigma (T) высокопористой (примерно 63 vol. %) аморфной биоуглеродной матрицы сапели с канальным типом пор, приготовленной с помощью пиролиза дерева сапели при температуре карбонизации 1000 градусов Цельсия. При 300 K проведен ее рентгеноструктурный анализ. Показано, что в формировании углеродного каркаса биоуглеродной матрицы сапели принимают участие нанокристаллиты с размерами 11-30 Angstrem. Зависимости varkappa (T) и sigma (T) получены на образцах, вырезанных вдоль и поперек пустых каналов, расположенных вдоль роста дерева. При измерении теплопроводности биоуглеродной матрицы сапели получена нестандартная для аморфных (и рентгеноаморфных) материалов температурная зависимость фононной теплопроводности. Установлено возрастание sigma с повышением температуры от 5 до 300 K. Приводится анализ полученных результатов. Доп.точки доступа: Парфеньева, Л. С.; Орлова, Т. С.; Картенко, Н. Ф.; Шаренкова, Н. В.; Смирнов, Б. И.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Mucha, J.; de Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J. |
Теплопроводность высокопористых биоуглеродных матриц на основе дерева бука [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 6. - С. 1045-1052. - Библиогр.: с. 1051-1052 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- высокопористые биоуглеродные матрици -- электросопротивление -- карбонизации -- биоуглеродные матрицы Аннотация: В интервале 5-300 K измерены теплопроводность varkappa и удельное электросопротивление rho высокопористых (с канальным типом пор) биоуглеродных матриц бука, приготовленных с помощью пиролиза (карбонизации) дерева бука в токе аргона при температурах карбонизации 1000 и 2400 градусов Цельсия. При 300 K проведен рентгеноструктурный анализ образцов. В них обнаружены нанокристаллиты, которые участвуют в формировании углеродных каркасов этих биоуглеродных матриц. Определены их размеры. Для образцов, полученных при Tcarb=1000 и 2400 градусов Цельсия, размеры нанокристаллитов находятся в пределах 12-25 и 28-60 Angstrem. Зависимости varkappa (T) получены на образцах, вырезанных вдоль и поперек направления роста дерева. Значения varkappa возрастают с увеличением температуры карбонизации и размеров нанокристаллитов в углеродных каркасах образцов. При измерении теплопроводности у обоих типов образцов получена нестандартная для аморфных материалов температурная зависимость фононной теплопроводности. При повышении температуры от 5 до 300 K она сначала возрастает пропорционально T, а затем примерно T{1. 5}. Проведен анализ полученных результатов. Доп.точки доступа: Парфеньева, Л. С.; Орлова, Т. С.; Картенко, Н. Ф.; Шаренкова, Н. В.; Смирнов, Б. И.; Смирнов, И. А.; Misiorek, Н.; Jezowski, A; Wilkes, T. E.; Faber, К. Т. |
535-34/-36 Ш 257 Шаренкова, Н. В. Размеры областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках SmS и их визуализация [Текст] / Н. В. Шаренкова, В. В. Каминский, С. Н. Петров // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 144-146. - Библиогр.: c. 146 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): рентгеновское излучение -- рассеяние рентгеновского излучения -- когерентное рассеяние рентгеновского излучения -- сульфид самария -- тонкие пленки -- поликристаллические пленки -- рентгеновские дифрактограммы -- формула Селякова-Шеррера -- Селякова-Шеррера формула -- микронапряжения -- области когерентного рассеяния -- электронная микроскопия Аннотация: На тонкой поликристаллической пленке SmS из рентгеновских дифрактограмм (theta-2theta-сканирование, ДРОН-2, Cu K[alpha]-излучение) по формуле Селякова-Шеррера с учетом влияния микронапряжений определен характерный размер областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (250+20 Angstrem). С помощью электронного микроскопа получено изображение поверхности этой же пленки, на котором четко видны области с характерными размерами 240 Angstrem. Сделан вывод, что визуально наблюдаются области когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p144-146.pdf Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Петров, С. Н. |
539.2 С 873 Структурные особенности строения поликристаллов полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / В. М. Егоров [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 1. - С. 46-49. - Библиогр.: с. 49 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поликристаллические образцы -- гомогенность -- тепловые свойства -- моносульфиды самария -- области гомогенности Аннотация: Исследована структура и тепловые свойства поликристаллических образцов моносульфида самария в области гомогенности (Sm[1+x]S при 0). Измерены рентгеноструктурные параметры, пористость образцов и их связь с термодинамическими параметрами фазового перехода первого рода при температурах 240-260 K в Sm[1+x]S. Высказано предположение, что измеряемые наноразмерные поры соответствуют промежуткам между разориентированными областями когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Показано, что максимум поглощаемой тепловой энергии достигается в случае, когда объем поры сравнивается с объемом зародыша новой фазы сульфида самария, вычисленным из термодинамических соотношений. Доп.точки доступа: Егоров, В. М.; Wang, Fei; Каминский, В. В.; Hirai, Shinji; Шаренкова, Н. В. |
539.2 Э 455 Электропроводность поликристаллов SmS [Текст] / В. В. Каминский [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1269-1270. - Библиогр.: с. 1270 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- поликристаллы SmS -- температуры -- электроны -- примесные донорные уровни -- ионы самария Аннотация: Измерена электропроводность поликристаллов SmS в интервале температур 300-870 K. Показано, что при 300= 700 K - с 4f-уровней ионов самария. |
539.2 П 845 Процесс разрушения монокристаллов SmS при фазовом переходе полупроводник-металл под действием гидростатического сжатия [Текст] / Н. Н. Степанов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1575-1577. - Библиогр.: с. 1577 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- фазовый переход полупроводник-металл -- фазовые переходы -- гидростатическое сжатие Аннотация: Исследовано поведение внутренних микронапряжений, величины области когерентного рассеяния рентгеновского излучения и остаточного количества металлической фазы при циклическом нагружении монокристаллов SmS гидростатическим давлением выше критического для фазового перехода полупроводник-металл. Показано, что разрушение образцов происходит при достижении микронапряжениями величин, соответствующих пределу прочности монокристаллов SmS. С увеличением количества циклов нагружений наблюдается плавное уменьшение области когерентного рассеяния, сопровождающееся уменьшением количества металлической фазы в образцах. Доп.точки доступа: Степанов, Н. Н.; Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Казанин, М. М. |