539.2 К 636 Комолов, А. С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейca пленок олиго (фенилен-винилена) с поверхностью Ge (111 [Текст] / А. С. Комолов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 116-117 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): интерфейсы -- незаполненные электронные состояния -- олигомеры фенилен-винилена -- тонкие пленки Аннотация: Тонкие пленки три-олиго (фенилен-винилена) , замещенного ди-бутил-тиолом (tOPV) , были нанесены на Ge (111) и подложку в условиях высокого вакуума. Потенциал поверхности и структура незаполненных электронных состояний (DOUS) в интервале энергий 5-20 eV выше уровня Ферми (E[F]) измерялись в процессе нанесения пленок посредством пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS) . Электронная работа выхода поверхности изменялась в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4. 3+ 0. 1 eV при толщине tOPV пленок 8-10 nm. Нанесению tOPV пленок до 3 nm соотвествовало появление промежуточной DOUS, а при дальнейшем нанесении пленок до 8-10 nm следовало изменение DOUS. Наличие промежуточной DOUS связывается с существенным изменением электронной структуры tOPV вследствие взаимодействия с поверхностью Ge (111) . Анализ TCS данных позволил определить зоны незаполненных состояний в tOPV: 5. 5-6. 5 и 7. 5-9. 5 eV выше E[F] как pi*-зоны и 11-14 и 16-19 eV выше E[F] как sigma*-зоны. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-113.html.ru |