Аскинази, А. Ю. Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя Доп.точки доступа: Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В. |
539.2 Б 87 Бржезинская, М. М. Изучение начальных стадий дефектообразования углеродных нанотрубок под действием ионного облучения аргоном [] / М. М. Бржезинская, Е. М. Байтингер, В. В. Шнитов, А. Б. Смирнов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 745-750. - Библиогр.: с. 750 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефектообразование; дефекты; ионное облучение; метод характеристических потерь; многослойные нанотрубки; нанотрубки; облучение; облучение аргоном; однослойные нанотрубки; пи-плазмоны; углеродные нанотрубки; электроны Аннотация: Исследовано образование дефектов в углеродных нанотрубках под действием потока ионов аргона. Представлены экспериментальные результаты исследования пи-плазмонов в однослойных и многослойных углеродных нанотрубках методом характеристических потерь энергии электронами. Доп.точки доступа: Байтингер, Е. М.; Шнитов, В. В.; Смирнов, А. Б. |
539.2 М 15 Макара, В. А. Рентгенодифракционное исследование влияния нейтронного облучения на процессы дефектообразования в отожженных при высоких температурах кристаллах Cz-Si [] / В. А. Макара, Н. Н. Новиков, Б. Д. Пацай // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1791-1795. - Библиогр.: с. 1795 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифрактометрия; излучение; кластеры; кремний; кристаллы; метод Чохральского; монокристаллы кремния; нейтронное облучение; нейтронно-облученные кристаллы; облучение; отжиг; отожженные кристаллы; рентгеновское излучение; рентгенодифракционные исследования; трехкристальная дифрактометрия; Чохральского метод; эталонные кристаллы Аннотация: Методами трехкристальной дифрактометрии выполнено сравнительное исследование рассеяния рентгеновского излучения нетронно-облученными и эталонными, выращенными по методу Чохральского кристаллами кремния после их отжига при температурах 850 - 1050 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Новиков, Н. Н.; Пацай, Б. Д. |
539.2 Г 61 Головин, Ю. И. Многостадийное радиационно-стимулированное изменение микротвердости монокристаллов Si, инициируемое малоинтенсивным бетта-облучением [Текст] / Ю. И. Головин, А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Сучкова, М. В. Бадылевич // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1237-1240. - Библиогр.: с. 1240 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бетта-облучение; бетта-частицы; дефектообразования; изменения микротвердости; кремний; малоинтенсивное бетта-облучение; микротвердость; монокристаллы; монокристаллы кремния; облучение; пострадиационные изменения; радиационно-стимулированные изменения; электроны Аннотация: Исследованы радиационно-индуцированные и пострадиационные изменения микротвердости монокристаллов кремния, возникающие в результате облучения слабоинтенсивным потоком бетта-частиц. Доп.точки доступа: Дмитриевский, А. А.; Сучкова, Н. Ю.; Бадылевич, М. В. |
539.2 А 659 Андрианова, Н. Н. Моделирование дефектообразования в материалах при высоких флуенсах ионного облучения [Текст] / Н. Н. Андрианова, авт. А. М. Борисов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 3. - С. 23-26 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- флуенсы ионного облучения -- радиационные повреждения материалов Аннотация: Приводятся и обсуждаются результаты аналитических оценок и компьютерного моделирования уровня радиационных повреждений dpa с учетом распыления материалов при ионной бомбардировке. Показано, что расчеты стационарного уровня радиационных повреждений необходимы при интерпретации закономерностей дефектообразования в материалах при высоких флуенсах ионного облучения. Доп.точки доступа: Борисов, А. М. |
539.1 Д 445 Дидык, А. Ю. Расчет параметров, характеризующих дефектообразование в материалах при облучении релятивистскими электронами [Текст] / А. Ю. Дидык, О. С. Козлов, А. Хофман // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 5-8 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): релятивистские электроны -- дефектообразование в материалах -- облучение электронами -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дефектообразования релятивистских электронов -- энергия электронов -- твердые тела -- каскады смещений Аннотация: Показано, что расчеты методом Монте-Карло сечения дефектообразования релятивистских электронов в области энергий электронов E<2, 0 МэВ дают завышенные, а при E>2, 0 МэВ - заниженные по сравнению с аналитическими расчетами значения, тогда как среднее число вакансий при E<3-4 МэВ, наоборот, занижается, а при более высоких энергиях - завышается при расчетах методом Монте- Карло. Доп.точки доступа: Козлов, О. С.; Хофман, А. |
539.2 К 893 Кузьменко, Владимир Александрович (аспирант Амурского гос. ун-та). Анализ дефектообразования с позиции теории протекания [Текст] / В. А. Кузьменко, авт. Е. А. Ванина // Вестник Амурского государственного университета. - 2007. - Вып. 39. Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 20-23. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): динамические системы -- сложные динамические системы -- дефекты -- тепловые дефекты -- дефектообразование -- программы -- клеточные поля Аннотация: В статье рассмотрен закон образования тепловых дефектов на клеточном поле mЧn (матрица). Доп.точки доступа: Ванина, Елена Александровна (д-р физ.-мат. наук; зав. каф. ТиЭФ) |
Фроленков, К. Ю. Кинетика дефектообразования в тонкопленочных вакуумных конденсатах [Текст] / К. Ю. Фроленков, В. С. Шоркин // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 8. - С. 125-127. - Библиогр.: c. 127 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- дефектообразование -- дефекты -- тонкопленочные покрытия -- вакуумные конденсаты -- старение покрытий Аннотация: Выдвинута гипотеза о взаимосвязи изменения относительной дефектной площади тонкопленочных покрытий с уменьшением в них внутренних напряжений с течением времени. Считая материал пленки вязкоупругим, подчиняющимся реологическому соотношению Максвелла-Томсона, на основании этой гипотезы получена и экспериментально проверена математическая модель кинетики дефектообразования в тонкопленочных вакуумных конденсатах при нормальных условиях их хранения и эксплуатации. Удовлетворительное согласие расчетных и экспериментальных данных позволяет рекомендовать разработанную модель для качественной и количественной оценки процесса старения тонкопленочных покрытий, полученных методом конденсации в вакууме. Доп.точки доступа: Шоркин, В. С. |
Изучение термодинамических свойств тиосамаратов кальция и бария и фаз на их основе [Текст] / Л. А. Калинина [и др. ] // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 6. - С. 764-771 : 4 рис., 4 табл. - Библиогр.: с. 771 (17 назв. ). - Публик. по докл. на VIII Совещании "Фундаментальные проблемы ионики твердого тела. " Черноголовка, 2006. . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): термодинамика образования -- тиосамараты бария и кальция -- метод ЭДС -- парциальная мольная энтальпия растворения -- вакансионный механизм дефектообразования -- электролиты Аннотация: Выполненное исследование термодинамики образования тернарных тиосамаратов кальция и бария и фаз на их основе позволило предложить вакансионный механизм дефектообразования в процессе легирования этих тернарных соединений бинарными сульфидами. Доп.точки доступа: Калинина, Л. А.; Ушакова, Ю. Н.; Юрлов, И. С.; Фоминых, Е. Г.; Россихина, А. А. |
Меженный, М. В. Влияние быстрого термического отжига на особенности дефектообразования в пластинах кремния при создании эффективного внутреннего геттера [Текст] / М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 49-56
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- быстрый термический отжиг -- внутренний геттер -- микродефекты -- твердый раствор кислорода Аннотация: Методами оптической микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности дефектообразования в пластинах кремния, подвергнутых быстрому термическому отжигу в процессе формирования внутреннего геттера. Установлено, что быстрый термический отжиг приводит к существенной интенсификации процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода, особенно в центральной области пластины, что вызывает появление различий в размерах, плотности и морфологических особенностях микродефектов, формирующихся в серии образцов, подвергнутых быстрому термическому отжигу, по сравнению с традиционными образцами. Полученные данные свидетельствуют о несомненных преимуществах использования быстрого термического отжига в процессе формирования в пластинах эффективного внутреннего геттера. Доп.точки доступа: Мильвидский, М. Г.; Резник, В. Я. |
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В. |
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. |
Электрохимические свойства твердых электролитов на основе BaSm2S4 [Текст] / Ю. Н. Ушакова [и др. ] // Электрохимия. - 2009. - Т. 45, N 6. - С. 722-729 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 729 (9 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): стехиометрические соединения -- тиосамарат бария -- твердые электролиты -- ионные числа переноса -- электронные числа переноса -- ионная проводимость -- гомогенизация оксидных полупродуктов -- химические методы смешения -- механические методы смешения -- механизм дефектообразования Аннотация: Получены твердые растворы на основе BaSm2S4-х мол. % BaS (Sm2S3). Гомогенезация оксидных полупродуктов проводилась с привлечением химических и механических методов смешения. Определена область протяженности твердых растворов, изучена комплексная электропроводность и рассчитана энергия активации электропроводности для образцов с разной предысторией. Исследованы электролитические свойства фаз на основе тиосамарата бария, предложен вакансионный механизм дефектообразования. Доп.точки доступа: Ушакова, Ю. Н.; Калинина, Л. А.; Юрлов, И. С.; Байдерина, Т. В.; Мурин, И. В. |
Исследование природы ионной проводимости фаз на основе тиоиттербиата кальция [Текст] / Б. А. Ананченко [и др. ] // Электрохимия. - 2009. - Т. 45, N 6. - С. 730-739 : 7 рис., 5 табл. - Библиогр.: с. 738-739 (12 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): твердые электролиты -- сульфидионная проводимость -- кондуктометрия -- коэффициенты диффузии -- механизм дефектообразования -- рентгенофазный анализ -- тиоиттербиат кальция -- числа переноса -- пикнометрическая плотность -- рентгенографическая плотность Аннотация: Получены CaYb2S4 и фазы на его основе. Методами рентгенофазового анализа и кондуктометрии определена протяженность твердых растворов CaS и Yb2S3 в тиоиттербиате кальция. С помощью модифицированных разновидностей метода ЭДС, поляризационных методов Хебба-Вагнера, потенциостатической хроноамперометрии определены средние ионные, электронные, катионные и анионные числа переноса, а также коэффициенты самодиффузии и диффузии основного носителя в твердом растворе Yb2S3 на основе CaYb2S4. Для обсуждения механизма ионного переноса использовано сопоставление результатов пикнометрической и рентгенографической плотности. Доп.точки доступа: Ананченко, Б. А.; Калинина, Л. А.; Ушакова, Ю. Н.; Фоминых, Е. Г.; Кошурникова, Е. В. |
Особенности радиационного дефектообразования в нанокристаллах, внедренных в твердотельную матрицу [Текст] / Б. Л. Оксенгендлер [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 3. - С. 469-474. - Библиогр.: с. 474 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- радиационное дефектообразование -- дефектообразования -- твердотельная матрица -- матрицы Аннотация: Рассмотрены особенности радиационного дефектообразования в нанокристаллах, внедренных в твердотельную матрицу. Доп.точки доступа: Оксенгендлер, Б. Л.; Тураева, Н. Н.; Максимов, С. Е.; Джурабекова, Ф. Г. |
546 О-754 Особенности дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами с удельной энергией~ 1 МэВ/нуклон [Текст] / С. А. Вабищевич [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 12. - С. 1413-1417 : 4 рис. - Библиогр.: с. 1416-1417 (14 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Астрономия Теоретическая астрономия Кл.слова (ненормированные): кремний -- дефектообразование -- дефекты -- микротвердость -- эффект Холла -- Холла эффект -- имплантация -- монокристаллический кремний -- физико-прочностные свойства Аннотация: Методами измерения микротвердости и эффекта Холла исследованы процессы дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами бора, кислорода и аргона с удельной энергией 1 МэВ/нуклон. Показано, что имплантация приводит к приповерхностному упрочнению монокристаллов кремния, обусловленному электрически неактивными дефектами межузельного типа, формирующимися в процессе диффузии к поверхности кремния собственных межузельных атомов из нарушенного ионной имплантацией слоя. Доп.точки доступа: Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
539.21:535 Ф 815 Фотолюминесценция и парамагнитное дефектообразование в нанокомпозите полиметилметакрилат-фуллерен C[60] [Текст] / А. А. Кончиц [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 19. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- фотолюминесцентные свойства -- дефектообразование -- парамагнитное дефектообразование -- термоиндуцированное дефектообразование -- полиметилметакрилат -- ПММА -- фуллерены -- нанокомпозиты -- динамика дефектообразования -- спектроскопические методы -- исследования -- квантово-химические расчеты -- модельные комплексы -- метилметакрилат -- ММА -- углерод -- кислород -- генерация дефектов -- процессы генерации -- гашение фотолюминесценции -- температурные области -- макромолекулы -- деполимеризация макромолекул -- низкотемпературная деполимеризация Аннотация: Рядом спектроскопических методов исследованы динамика термоиндуцированного дефектообразования и фотолюминесцентные (ФЛ) свойства композита полиметилметакрилат (ПММА) -C[60]. Проведены квантово-химические расчеты модельного комплекса метилметакрилат (ММА) -C[60], неявно учитывающие присутствие кислорода. Процессы генерации дефектов и гашение ФЛ протекают в той же температурной области, где наблюдается и низкотемпературная деполимеризация макромолекул, вызванная присутствием C[60], и могут быть предвестниками деполимеризации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/19/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Кончиц, А. А.; Колесник, С. П.; Ефанов, В. С.; Янчук, И. Б.; Пушкарчук, А. Л.; Поздняков, А. О. |
621.315.592 В 586 Влияние дефектообразования при встраивании delta-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs [Текст] / А. П. Горшков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 194-197 : ил. - Библиогр.: с. 196 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- гетеронаноструктуры -- ГНС -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерное осаждение Аннотация: Исследовано влияние дефектообразования при нанесении delta-слоя Mn и покровного слоя GaAs лазерным испарением на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, расположенными в приповерхностной области. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p194-197.pdf Доп.точки доступа: Горшков, А. П.; Карпович, И. А.; Павлова, Е. Д.; Калентьева, И. Л. |
539.2 К 891 Кузнецов, Г. Ф. Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al[x]Ga[1-x]As[y]Sb[1-y]/GaSb / Г. Ф. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1116-1121 : ил. - Библиогр.: с. 1121 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- кристаллические решетки -- гетероструктуры -- двойные гетероструктуры -- ДГС -- инжекционные лазеры -- многослойные гетероэпитаксиальные системы -- МСГЭС -- оптоэлектронные приборы Аннотация: Отсутствие дефектов кристаллической решeтки и, в особенности, отсутствие дислокаций в активном слое в сложных многослойных гетероэпитаксиальных системах является главным условием для эффективной и надeжной работы оптоэлектронных микроприборов. Минимальные упругие напряжения в многослойных гетероэпитаксиальных системах и их отсутствие в активном слое при той повышенной температуре, которая возникает в эффективно работающем электронном приборе, является вторым необходимым условием для периода его долговременной работы. The absence of a crystal lattice defects and, in particular, a lack of dislocations in the active layer in complex multi-layer heteroepitaxial systems is the main condition for the effective and reliable operation of opto-electronic microdevices. Minimum elastic stresses in multilayer heteroepitaxial systems and their absence in the active layer when the high temperature which occurs in effectively working electronic device, is the second necessary condition for the pe- riod of its long-term operation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1116-1121.pdf Доп.точки доступа: Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук |
539.2 Т 160 Таланин, В. И. Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, авт. И. Е. Таланин // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 247-251 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- диффузионные модели -- кристаллография в целом -- монокристаллы кремния -- полупроводниковые приборы -- ростовые дефекты -- термическая обработка Аннотация: Показано, что диффузионная модель образования ростовых и постростовых микродефектов позволяет определить необходимые условия роста кристалла и режимы его обработок для получения точно определенной дефектной структуры. Доп.точки доступа: Таланин, И. Е.; Институт экономики и информационных технологий (Запорожье)Институт экономики и информационных технологий (Запорожье) |