Кустов, Е. Ф. Составы наночастиц гексагональной симметрии [Текст] / Е. Ф. Кустов, В. И. Нефедов // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 412, N 4. - С. 507-512. - Библиогр.: с. 512. - Табл . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- наноструктуры -- пентагональная симметрия -- кубическая симметрия -- гексагональная симметрия -- групповые орбитали -- атомы наноструктур Аннотация: Исследованы вопросы составов двухмерных и трехмерных структур гексагональной симметрии. Доп.точки доступа: Нефедов, В. И. |
Составы наночастиц гексагональной симметрии [Текст] / Е. Ф. Кустов [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 1. - С. 76-87 : табл. - Библиогр.: с. 87 (7 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- атомы -- симметрия -- кубическая симметрия -- пентагональная симметрия -- гексагональная симметрия -- наночастицы Аннотация: Приведены формулы для расчета числа атомов в наночастицах. Рассмотрены двухмерные наночастицы. Доп.точки доступа: Кустов, Е. Ф.; Нефедов, В. И.; Карелина, М. С.; Шульгина, Е. В.; Чернова, Г. С. |
Радиационное дефектообразование в кристаллах фтористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка [Текст] / А. В. Егранов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1672-1678. - Библиогр.: с. 1678 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное дефектообразование -- собственные радиационные дефекты -- облучение кристаллов -- ионизирующее излучение -- фтористый стронций -- кальций -- кубическая симметрия Аннотация: Показано, что в кристаллах фтористого стронция и кальция, активированных двухвалентными ионами кадмия или цинка, ионизирующее излучение восстанавливает примесные ионы до одновалентного состояния. При этом одновалентный ион окружен восьмью эквивалентными ионами фтора и имеет кубическую симметрию O[h]. Обнаружено, что при комнатной температуре происходит последовательное понижение симметрии центра сначала до C[3v] и далее C[2v] за счет присоединения к ближайшему окружению примесного одновалентного иона одной или двух анионных вакансий соответственно, т. е. собственных дефектов, которые в неактивированных кристаллах фтористого стронция и кальция не образуются. Предполагается, что образование стабильных собственных дефектов происходит путем разделения пар анионная вакансия-межузельный фон фтора в электрических полях, создаваемых восстановленными ионами примеси. Электрическое поле, создаваемое таким примесным дефектом, понижает энергетический барьер для термического разделения заряженных собственных дефектов. Доп.точки доступа: Егранов, А. В.; Раджабов, Е. А.; Непомнящих, А. И.; Ивашечкин, В. Ф.; Васильева, И. Е. |
Герасимов, К. И. Магнитооптическая спектроскопия и оптическое детектирование ЭПР парамагнитных центров Yb{3+} кубической симметрии в монокристаллах MeF[2] (Me = Cd, Ca, Pb) [Текст] / К. И. Герасимов, М. Л. Фалин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 681-685. - Библиогр.: с. 685 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитооптическая спектроскопия -- оптическое детектирование -- электронный парамагнитный резонанс -- кубическая симметрия -- парамагнитные центры Аннотация: В кристаллах типа флюорита MeF[2] (Me = Cd, Ca, Pb) проведено исследование парамагнитных центров кубической симметрии, образуемых примесным ионом Yb3+, методами ЭПР, магнитного циркулярного дихроизма и циркулярной поляризации люминесценции, зеемановских расщеплений оптических линий поглощения и люминесценции, оптического детектирования ЭПР. Определены g-факторы состояния {2}гамма[7] в возбужденном мультиплете {2}F[5/2] Yb{3+} в MeF[2], константа сверхтонкого взаимодействия {171}A ({171}Yb) в возбужденном мультиплете {2}F[5/2] в CaF[2], значения энергий и свойства симметрии всех энергетических уровней Yb{3}+ в MeF[2]. Вычислены параметры кристаллического поля в исследуемых кристаллах. Доп.точки доступа: Фалин, М. Л. |
539.2 В 162 Вальков, В. В. Квантовые флуктуации в двумерном антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием кубической симметрии [Текст] / В. В. Вальков, Т. А. Валькова, А. А. Шкляев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 1957-1962. - Библиогр.: с. 1962 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые флуктуации -- двумерные антиферромагнетики -- спектры возбуждений -- кубическая симметрия Аннотация: В первом порядке по 1/2S вычислен спектр возбуждений негейзенберговского 2D-антиферромагнетика с четырехспиновым взаимодействием кубической симметрии. Показано, что при слабой анизотропии квантовые флуктуации разрушают неелевское состояние. Построены фазовые диаграммы, определяющие области устойчивости неелевской фазы в зависимости от величины спина и параметров анизотропии. Доп.точки доступа: Валькова, Т. А.; Шкляев, А. А. |
539.1/.18 В 580 Власников, А. К. Вращательные спектры систем с кубической симметрией [Текст] / А. К. Власников, В. М. Михайлов, И. Л. Смирнова // Известия РАН. Серия физическая. - 2004. - Т. 68, N 8. - С. 1138-1144. - Библиогр.: с. 1144 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): волновые функции -- кубическая симметрия -- ротационные спектры -- спектры -- ядерные системы -- ядра Аннотация: Исследованы ротационные спектры систем, обладающих кубической симметрией. Доп.точки доступа: Михайлов, В. М.; Смирнова, И. Л. |
539.2 Б 825 Борисенко, И. В. Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках манганитов LaMnO[3], выращенных магнетронным распылением / И. В. Борисенко, М. А. Карпов, Г. А. Овсянников // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): манганиты -- эпитаксиальные пленки -- магнетронное распыление -- выращивание пленок -- высокое давление -- кристаллические структуры -- кубическая симметрия -- изоляторы -- диэлектрики -- орторомбические подложки -- механические напряжения -- резистивные свойства -- избыточный кислород -- катионы -- ионы -- переходные процессы Аннотация: Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO[3], выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления при высоком давлении на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры, испытывают переход металл-изолятор, в то время как для орторомбических подложек LaMnO[3] остается в диэлектрическом состоянии. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO[3] на различных подложках. Исследована зависимость резистивных свойств пленок LaMnO[3] на подложке SrTiO[3] от их толщины. Показано, что наличие избыточного кислорода с замещением в системе катионов может существенно влиять на соотношение концентраций ионов Mn{4+}/Mn{3+} в пленке и приводить к появлению перехода металл-изолятор. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Карпов, М. А.; Овсянников, Г. А. |