22.37 К 729 Косяченко, Л. А. Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe [Текст] / Л. А. Косяченко, Ю. С. Паранчич [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): перенос заряда -- поверхностно-барьерные фотодиоды -- фотодиодные структуры -- фоточувствительность Аннотация: Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg[33In[2]Te[6]. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах 5-50`C и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне 0.6-1.8 мкм. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации-рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры Доп.точки доступа: Паранчич, Ю.С.; Макогоненко, В.Н.; Склярчук, В.М.; Склярчук, Е.Ф.; Герман, И.И. |
539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 Ю 64 Юрасова, И. В. Новые полимерные нанокомпозиции с гигантской динамической оптической нелинейностью [] / И. В. Юрасова, О. Л. Антипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 124-127. - Библиогр.: с. 127 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гигантская оптическая нелинейность; динамическая нелинейность; заряды; нанокомпозиции; нанофотоника; нелинейность; оптическая нелинейность; полимерные нанокомпозиции; полимеры; производные; фотогенераторы; фоточувствительность; хиноновые производные; хиноны Аннотация: Исследована "гигантская" оптическая нелинейность новой органической композиции на основе проводящего полимера поли (9-винилкарбазола) и хиноновых производных в качестве фотогенератора заряда. Доп.точки доступа: Антипов, О. Л.; Ермолаев, Н. Л.; Черкасов, В. К.; Лопатина, Т. И.; Чесноков, С. А.; Ильина, И. Г. |
621.37/.39 К 56 Ковтонюк, Н. ф. Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник [Текст] / Н. ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов, В. Л. Туманов // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 12. - С. 1518-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): электронные процессы; фотомишени; диэлектрики; полупроводники Аннотация: Проанализированы электронные процессы при формировании видеосигналов в видиконах с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник с учетом релаксации неравновесной обедненной области при накоплении фотоносителей. Приведены оценки пороговой чувствительности, обнаружительной способности, динамического диапазона и разрешающей способности видиконов при различных уровнях входного излучения. Доп.точки доступа: Мисник, В. П.; Соколов, А. В.; Туманов, В. Л. |
539.2 К 63 Комолов, С. А. Фотоэлектронные свойства органических пленок на поверхности кремния [Текст] / С. А. Комолов, Н. Б. Герасимова [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 76-80. - Библиогр.: c. 79-80 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы; кремний; органические пленки; слоистые структуры; сэндвичные структуры; фоточувствительность Аннотация: Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0. 25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/07/p76-80.pdf Доп.точки доступа: Герасимова, Н. Б.; Аляев, Ю. Г.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, А. С.; Логинов, Б. А.; Потюпкин, Н. В. |
537 Ж 72 Жилинскас, П. Ю. Измерение параметров диэлектрических слоев методом периодической зарядки их поверхности [Текст] / П. Ю. Жилинскас, Э. Монтримас, Т. Лозовски // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 10. - С. 120-127. - Библиогр.: c. 127 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): бесконтактные измерения; диэлектрическая проницаемость; диэлектрические слои; периодическая зарядка поверхности; поверхностный потенциал; сопротивление утечки; фоточувствительность Аннотация: На основе периодического дозированного осаждения заряда на поверхность диэлектрического слоя, синхронного измерения накопленного заряда и поверхностного потенциала, а также измерения поверхностного потенциала, как при произвольной разрядке, так и при разрядке под действием освещения слоя, показана возможность определения параметров и характеристик исследуемого диэлектрического слоя. По накопленным во время измерения данным строится зависимость величины поверхностного потенциала слоя от величины плотности осаждаемого заряда, а также зависимости эффективной емкости, дифференциальной емкости и сопротивления утечки слоя от величины поверхностного потенциала. Показано, что по полученным характеристикам можно анализировать физические явления, происходящие в исследуемом диэлектрическом слое, определить временные параметры, т. е. время полуспада потенциала в темноте и время полуспада потенциала при освещении слоя, а также определить емкость, предельное значение поверхностного потенциала, рассчитать диэлектрическую проницаемость, сопротивление утечки и фоточувствительность исследуемого диэлектрического слоя. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/10/p120-127.pdf Доп.точки доступа: Монтримас, Э.; Лозовски, Т. |
53 Б 75 Боднарь, И. В. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе тройных полупроводников CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, В. Ф. Гременок [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 3. - С. 32-38 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные структуры -- фоточувствительность -- поликристаллические пленки -- полупроводники -- тройные полупроводниковые соединения Аннотация: Методом лазерного импульсного испарения исходных объемных кристаллов p-CuIn[3]Se[5] и n-CuIn[5]Se[8] выращены поликристаллические пленки CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] n-типа проводимости толщиной 0. 4-1 мюm, температурные зависимости удельного сопротивления которых определяются глубокими донорами с энергией активации E[D] ? 0. 2-0. 3 eV. На основе полученных пленок созданы первые фоточувствительные тонкопленочные структуры In/p-CuInSe и In/n-CuIn[5]Se[8] и изменены первые спектры их фоточувствительности. Продемонстрированы возможности применения тонких пленок CuIn[3]Se[5] и CuIn[5]Se[8] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. Доп.точки доступа: Гременок, В. Ф.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
53 Н 632 Николаев, Ю. А. Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP [Текст] / Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- фосфид индия -- термическое окисление -- фоточувствительность Аннотация: Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
539.2 Д 726 Драпак, С. И. Фоточувствительность гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (A{3}B{6}) -камедь [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 9. - С. 76-80. - Библиогр.: c. 80 (28 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероконтакты; камедь; квантовая эффективность; слоистые полупроводники; фотовольтаический эффект; фоточувствительность Аннотация: Расширен диапазон материалов, которые могут использоваться в фоточувствительных структурах за счет привлечения органического вещества биологической природы - камеди. Исследованы вольт-амперные характеристики гетероконтактов в системе слоистый полупроводник (InSe, GaSe) -камедь. Предпринята попытка связать особенности спектрального распределения относительной квантовой эффективности исследуемых структур (возникновение фоточувствительности за краем собственного поглощения полупроводниковых подложек) с деформационным взаимодействием между конденсированными слоями камеди и поверхностью слоистых полупроводников A{3}B{6}. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/09/p76-80.pdf Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
621.38 Г 940 Гулаков, И. Р. Исследование лавинных фотоприемников с большой фоточувствительной площадью в режиме счета фотонов [Текст] / И. Р. Гулаков, В. Б. Залесский, А. О. Зеневич, Т. Р. Леонова // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 2. - С. 112-115. - Библиогр.: с. 115 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): лавинные фотоприемники; фотоны; лавинные фотодиоды; фоточувствительность Аннотация: Показана возможность работы разработанных авторами лавинных фотоприемников с большой площадью фоточувствительной поверхности в режиме счета фотонов при комнатных температурах. Доп.точки доступа: Залесский, В. Б.; Зеневич, А. О.; Леонова, Т. Р. |
621.38 Г 276 Геворкян, В. А. Термофотовольтаические преобразователи на основе соединений арсенида индия [Текст] / В. А. Геворкян, В. М. Арутюнян [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 3. - С. 49-54. - Библиогр.: c. 54 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид индия; гетероструктуры; жидкостная эпитаксия; твердые растворы; термофотовольтаические преобразователи; фоточувствительность; четверные твердые растворы; электрожидкостная эпитаксия; эпитаксия Аннотация: Исследованы термофотовольтаические (ТФВ) преобразователи на основе многокомпонентных твердых растворов соединений A{3}B{5} и их гетероструктур InAs/InAsSbP (E[g]=0. 35-0. 6 eV) для температурного диапазона эмиттеров излучения 1000-2000Х{o}C. Применение узкозонных гетроструктур позволяет продлить чувствительность элементов в длинноволновую область и эффективно использовать тепловую энергию низкотемпературных источников. Представлены новые физические и технические подходы к разработке эпитаксиальной технологии получения четверных твердых растворов InAsSbP на основе InAs с низкой концентрацией носителей и к созданию гетероструктур с резкими границами. Преимущество систем на основе четверных твердых растворов InAsSbP - возможность выращивания более совершенных изопериодных с подложками структур, отсутствие напряжений на границе раздела, лучшие электрические и фотоэлектрические свойства (низкие темновые токи, высокий внешний квантовый выход), возможность гибкого управления шириной запрещенной зоны путем изменения состава твердого раствора. Показано, что пленки InAsPSb, полученные на подложке InAs методом жидкостной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава и методом электрожидкостной эпитаксии с подпиткой ростового раствора-расплава компонентами выращиваемого слоя, имеют однородный состав и высокое совершенство кристаллической структуры. ТФВ диодные гетероструктуры n-InAs/p-InAsPSb, полученные по данным технологиям, имеют значения обратных токов насыщения, близкие к теоретическим. Диодные структуры имеют широкую область спектральной чувствительности, что делает их весьма перспективными для ТФВ-элементов. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/03/p49-54.pdf Доп.точки доступа: Арутюнян, В. М.; Гамбарян, К. М.; Аракелян, А. О.; Андреев, И. А.; Голубев, Л. В.; Яковлев, Ю. П. |
539.2 М 473 Мелебаев, Д. Фоточувствительность и определение высоты барьеров Шоттки в структурах Au-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаев, Г. Д. Мелебаева, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 137-142. - Библиогр.: c. 141-142 (31 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- Шоттки барьеры -- фоточувствительность Аннотация: Исследованы спектры фоточувствительности полученных химическим методом барьеров Шоттки Au-n-GaAs в спектральной области 0. 9-2. 2 eV. Определена высота барьера как при освещении со стороны полупрозрачного слоя Au, так и со стороны GaAs при T=300 K. Обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра hnu=0. 95-1. 25 eV возрастает по сравнению с освещением со стороны барьерного контакта примерно на порядок, что может найти применение при изучении фундаментальных свойств границ раздела металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, а также при разработке новых приборов полупроводниковой электроники. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p137-142.pdf Доп.точки доступа: Мелебаева, Г. Д.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
621.3 И 487 Ильчук, Г. А. Создание и свойства точечных структур на монокристаллах n-InSe [Текст] / Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1187-1189 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): точечные структуры -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- электрические разряды -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Методом электрического разряда созданы точечные структуры на основе монокристаллов InSe. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фоточувствительность структур (точечный контакт) /n-InSe. Обнаружено выпрямление и измерены первые спектры фоточувствительности полученных электрическим разрядом структур. Обнаружены и обсуждаются широкополосный характер и экситонная особенность спектров фоточувствительности структур (точечный контакт) /n-InSe. Установлена возможность применения точечных структур в качестве широкодиапазонных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Кусьнэж, В. В.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, Ю. В.; Украинец, В. О.; Рудь, В. Ю. |
621.3 Р 836 Рудь, В. Ю. Фоточувствительность структур на пленках Cu (In, Ga) (S, Se) [2], полученных термообработкой в парах S и Se [Текст] / В. Ю. Рудь, М. С. Тиванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1190-1194 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): фоточувствительность -- тонкие пленки -- структуры на пленках -- твердые растворы -- интерметаллические слои -- термообработка -- сульфиризация -- селенизация Аннотация: Методом одновременной сульфиризации и селенизации интерметаллических слоев Cu-In-Ga получены однофазные тонкие пленки твердых растворов Cu (In, Ga) (S, Se) [2] (CIGSS), на которых вакуумным термическим напылением чистого In созданы выпрямляющие фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-CIGSS. Исследованы спектры фоточувствительности впервые полученных структур. Изучено влияние состава пленок твердых растворов и условий освещения на фотоэлектрические параметры новых структур In/p-CIGSS. Сделан вывод о перспективности полученных пленок CIGSS для создания тонкопленочных фотопреобразователей высокой эффективности. Доп.точки доступа: Тиванов, М. С.; Рудь, Ю. В.; Гременок, В. Ф.; Зарецкая, Е. П.; Залесский, В. Б.; Леонова, Т. Р.; Романов, П. И. |
621.3 К 212 Карандашев, С. А. Свойства "иммерсионных" фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (ламбда=1. 8-2. 3 мкм) в интервале температур 20-140\{o\}C [Текст] / С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1389-1394 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- иммерсионные фотодиоды -- твердые растворы -- фоточувствительность Аннотация: Представлены результаты работы по созданию иммерсионных фотодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb с длинноволновыми границами фоточувствительности при 2. 05 и 2. 25 мкм (20\{o\}C). Обсуждаются спектральные и вольт-амперные характеристики, а также влияние конструкции фотодиода на его обнаружительную способность в диапазоне температур 20-140\{o\}C. Доп.точки доступа: Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Шленский, А. А.; Лунин, Л. С.; Ратушный, В. И.; Корюк, А. В.; Тараканова, Н. Г. |
621.315.592 К 492 Климов, А. Э. Фоточувствительность пленок Pb[1-x]Sn[x]Te (In в угловых скобках) в области собственного поглощения [Текст] / А. Э. Климов, авт. В. Н. Шумский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 147-152 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стационарный фототок -- эффект Холла -- Холла эффект -- пленки (физика) -- фоточувствительность пленок Аннотация: Сделан расчет стационарного фототока в пленках Pb[1-x]Sn[x]Te (In в угловых скобках) в фундаментальной области поглощения с учетом полевой инжекции электронов из контакта и захвата их на ловушки в объеме. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных вольт-амперных характеристик при гелиевых температурах. Приводятся экспериментальные данные по зависимости эффекта Холла от уровня инжекции, которые хорошо согласуются с рассмотренной моделью. Доп.точки доступа: Шумский, В. Н. |
Масалович, М. С. Тонкопленочные электропроводящие полимеры на основе комплексов Ni (II), Pd (II) и Pt (II) с 8-оксихинолином [Текст] / М. С. Масалович, Л. П. Ардашева, Г. А. Шагисултанова // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 8. - С. 1391-1393. - Библиогр.: c. 1393 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): координационные сферы -- люминесцентные свойства -- металлоорганические полимеры -- скорость переноса заряда -- тонкослойные пленки -- условия синтеза -- фотовольтный эффект -- фоточувствительность -- электропроводящие полимеры -- электрохимический метод получения -- электрохромность Аннотация: Исследованы оптимальные условия синтеза полимеров. Приведены основные количественные показатели, характеризующие толщину, скорость переноса заряда в полимерной матрице и фотовольтный эффект. Доп.точки доступа: Ардашева, Л. П.; Шагисултанова, Г. А. |
Гулиев, К. Г. Синтез, полимеризация и сополимеризация 2-формил-1- (п-винилфенил) циклопропана со стиролом [Текст] / К. Г. Гулиев // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 4. - С. 636-639. - Библиогр.: с. 639 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химическая технология Карбоцепные полимеры и пластмассы на их основе Кл.слова (ненормированные): деформационно-прочностные характеристики -- идентификация структуры -- литография -- метод Файнемана - Росса -- степень конверсии -- стирол -- УФ облучение -- Файнемана - Росса метод -- фенилгидразин -- фоторезисты -- фоточувствительность -- функциональные полимеры -- циклопропансодержащие полимеры Аннотация: Изучено влияние заместителя на реакционную способность мономера, а также фоточувствительность синтезированного сополимера. |
Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te [Текст] / Г. А. Ильчук [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фоточувствительность -- поверхностно-барьерные структуры -- точечные структуры -- твердые растворы -- алмазоподобные полупроводники -- магнитные полупроводники -- оптические переходы Аннотация: Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te (x=0-0. 7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd[1-x]Mn[x]Te и сварных структур св/Cd[1-x]Mn[x]Te при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd[1-x]Mn[x]Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники. Доп.точки доступа: Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Драпак, С. И. Электрические свойства и фоточувствительность гетероструктур, полученных термическим разложением водного раствора нитрата галлия на поверхности скола селенида индия (0001) [Текст] / С. И. Драпак, Н. С. Юрценюк, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 3. - С. 71-75. - Библиогр.: c. 75 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фоточувствительность -- термическое разложение -- нитрат галлия -- селенид индия -- легирующие примеси -- токовая нестабильность -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Показана принципиальная возможность использования метода термического разложения водного раствора нитрата галлия в воздушной атмосфере на поверхности полупроводниковой подложки для изготовления структур, чувствительных в ближней УФ-области спектрального дипазаона. Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Ga[2]O[3]-n- (p-) InSe. Обнаружено, что возникновение высокоомного слоя на границе раздела InSe-Ga[2]O[3] оказывает влияние не только на электрические свойства, но и на спектральное распределение фоточувствительности исследуемых гетероструктур. Сделано предположение о том, что токовая нестабильность с Z- и N-образными обратными ветвями вольт-амперных характеристик структур Ga[2]O[3]-p-InSe является следствием неоднородности распределения легирующей примеси в объеме квазидвумерного селенида индия p-типа проводимости. Доп.точки доступа: Юрценюк, Н. С.; Ковалюк, З. Д. |