621.3 Г 694 Горкавенко, Т. В. Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита. Нитриды галлия и алюминия [Текст] / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, Л. Н. Русина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 661-669. - Нитриды галлия и алюминия . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения типа вюртцита -- зонная структура полупроводниковых соединений -- температурные зависимости -- нитрид галлия -- нитрид алюминия -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона -- факторы Дебая-Валлера -- Дебая-Валлера факторы Аннотация: Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости актуальных экстремумов энергии в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций нитридов галлия и алюминия, а также основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая--Валлера, а вклад линейного расширения решетки --- через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергетических уровней, межзонных переходов. Сравнение с имеющимися в литературе экспериментальными данными показало хорошее согласие. Доп.точки доступа: Зубкова, С. М.; Русина, Л. Н. |
Комаров, С. М. Шина качает энергию [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 11. - С. 17 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Кл.слова (ненормированные): механическая энергия -- электрическая энергия -- деформация резина -- нитрид алюминия -- платиновые электроды -- микросхемы Аннотация: Микроэлектронщики создали дешевый собиратель энергии, который может питать небольшой датчик. |
Хабас, Т. А. (канд. хим. наук). Частицы затвердевшего пламени [Текст] / Т. А. Хабас // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 1. - С. 18-19 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Химия Химия полимеров--Россия--Томск--Российская Федерация Кл.слова (ненормированные): алюминий -- металлы -- нитрид алюминия -- оксинитрид алюминия -- оксинитриды -- сверхтонкий металлический порошок -- электровзрывной алюминий Аннотация: Рассматривается технология производства и применения электровзрывного алюминия, разработанная в НИИ высоких напряжений при Томском политехническом университете. Представлены данные о Томском политехническом университете. Доп.точки доступа: ТПУ \химико-технологический факультет\ |
Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В. |
Анализ локальной атомной структуры наночастиц нитрида алюминия [Текст] / А. А. Гуда [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 6. - С. 52-55
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): спектры рентгеновского поглощения -- K-край -- наночастицы -- нитрид алюминия -- метод полного многократного рассеяния -- метод конечных разностей -- металлическая фаза алюминия Аннотация: На основе теоретического анализа спектров рентгеновского поглощения за K-краем алюминия изучалась структура синтезированных наночастиц AlN. Для теоретических расчетов спектров использовались метод полного многократного рассеяния и метод конечных разностей. Определены набор фаз, присутствующих в наночастицах, и концентрации различных фаз. Оказалось, что в синтезированных объектах помимо кубической и гексагональной фаз AlN присутствует чисто металлическая фаза алюминия. Доп.точки доступа: Гуда, А. А.; Мазалова, В. Л.; Яловега, Г. Э.; Солдатов, А. В. |
Получение текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира [Текст] / Х. Ш-о. Калтаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1650-1653 : ил. - Библиогр.: с. 1653 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитрид алюминия -- пленки нитрида алюминия -- текстурированные пленки -- термохимическая нитридизация сапфира -- метод термохимической нитридизации сапфира -- азот -- температура -- диффузионный механизм Аннотация: Показана возможность получения текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира в диапазоне температур 1200-1500 градусов по C в атмосфере азота с содержанием CO от 0. 1 до 5 об%. Установлен диффузионный механизм формирования пленки нитрида алюминия на поверхности сапфира под воздействием восстановительной среды. Доп.точки доступа: Калтаев, Х. Ш-о.; Сидельникова, Н. С.; Нижанковский, С. В.; Данько, А. Я.; Ром, М. А.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.; Будников, А. Т. |
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC) [1-x] (AlN) [x] [Текст] / М. К. Гусейнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 841-844 : ил. - Библиогр.: с. 844 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- карбид кремния -- SiC -- нитрид алюминия -- AlN -- тонкие пленки -- магнетронное осаждение -- магнетронное распыление -- МР -- метод магнетронного распыления -- поликристаллические мишени -- подложки -- рентгенография -- метод рентгенографии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- монокристаллические пленки Аннотация: Приведены результаты теоретической оценки таких важных параметров процесса магнетронного распыления, как протяженность зоны термализации атомов и расстояние от мишени до условного анода. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al[2]O[3] получены тонкие пленки твердого раствора (SiC) [1-x] (AlN) [x]. Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC) [1-x] (AlN) [x] на подложках SiC. Доп.точки доступа: Гусейнов, М. К.; Курбанов, М. К.; Билалов, Б. А.; Сафаралиев, Г. К. |
Горшков, В. А. Автоволновой синтез литых оксинитридов алюминия с высоким содержанием азота [Текст] / В. А. Горшков, А. Г. Тарасов, В. И. Юхвид // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 4. - С. 51-55 : ил. - Библиогр.: с. 55 (12 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): автоволновой синтез -- литые оксинитриды алюминия -- твердые растворы -- однофазные оксинитриды алюминия -- оксинитриды алюминия -- смеси термитного типа -- термитный тип -- температура горения -- герметичные реакторы -- нитрид алюминия -- микроструктура -- фазовый состав Аннотация: Методом автоволнового синтеза синтезированы литые однофазные оксинитриды алюминия Al[22]O[30]N[2] и Al[23]O[27]N[5] и ряд твердых растворов Al-O-N с содержанием азота от 2. 3 до 6. 5 мас. %. Для синтеза использовали смеси термитного типа (CrO[3]-Al-Al[2]O[3]-AlN) с высокой температурой горения (2950–3200 К). Горение осуществляли в герметичном реакторе при начальном давлении азота от 4. 0 до 8. 0 МПа. Показано влияние содержания нитрида алюминия в исходной смеси на содержание азота в литых оксинитридах алюминия, их микроструктуру и фазовый состав. Доп.точки доступа: Тарасов, А. Г.; Юхвид, В. И. |
Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1064-1067 : ил. - Библиогр.: с. 1067 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- p-кремний -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- диэлектрики -- нанотолщинные диэлектрики -- нитрид алюминия -- границы раздела -- ГР -- поверхностные состояния -- магнетронное распыление -- детекторы -- ядерные излучения Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний- (нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Котина, И. М.; Ласаков, М. С.; Строкан, Н. Б.; Тухконен, Л. М. |
66.097.3 Ф 503 Физико-химические свойства и активность нанопорошковых катализаторов гидродесульфирования дизельной фракции [Текст] / Т. А. Федущак [и др.] // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 3. - С. 444-448. - Библиогр.: c. 448 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химическая технология Катализаторы Кл.слова (ненормированные): гидродесульфирование -- гидроочистка -- дизельная фракция -- молибден -- нанопорошковые катализаторы -- никель -- нитрид алюминия -- электровзрывные нанопорошки Аннотация: Получены новые катализаторы гидроочистки на основе электровзрывных нанопорошков молибдена, никеля и нитрида алюминия. Доп.точки доступа: Федущак, Т. А.; Петренко, Т. В.; Восмериков, А. В.; Канашевич, Д. А.; Журавко, С. П.; Величкина, Л. М. |
621.375 С 873 Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев [Текст] / Л. М. Сорокин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 7. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 78-79 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- структурная характеризация слоев -- кремний -- Si -- карбид кремния -- SiC -- галлий -- Ga -- нитрид галлия -- GaN -- алюминий -- Al -- нитрид алюминия -- AlN -- буферные слои -- электронно-микроскопические исследования -- результаты исследований -- поперечные сечения -- нанометровые толщины -- твердофазная эпитаксия -- метод твердофазной эпитаксии -- газовая эпитаксия -- хлоридная газовая эпитаксия -- дислокации -- дефекты (физика) -- скопления дислокаций -- плотность дислокаций -- литературные данные -- нанопоры -- прорастающие дислокации -- напряжения Аннотация: Представлены результаты электронно-микроскопического исследования поперечных сечений системы GaN/AlN/3C-SiC/Si (111). Буферный слой карбида кремния нанометровой толщины был получен оригинальным методом твердофазной эпитаксии. Последующие слои - нитрида галлия и алюминия - выращивались хлоридной газовой эпитаксией. В слоях нитрида галлия не выявлено прорастающих дислокаций, в них также отсутствуют трещины любого масштаба. Основная часть дефектов в GaN в виде скоплений дислокаций локализована вблизи границы раздела GaN-AlN, которые параллельны этой границе. Плотность дислокаций в слоях GaN составила (1-2) · 10{9} cm{-2}, что, согласно литературным данным, находится на уровне минимальных значений. В буферном слое AlN выявлены нанопоры, которые снижают уровень напряжений на границе раздела, что почти полностью подавляет появление прорастающих дислокаций. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/07/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Сорокин, Л. М.; Калмыков, А. Е.; Бессолов, В. Н.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А.; Веселов, Н. В. |
536.42 И 460 Ильин, А. П. Рост монокристаллов нитрида алюминия в условиях теплового взрыва [Текст] / А. П. Ильин, А. В. Мостовщиков, Л. О. Роот // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 20. - С. 49-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- рост монокристаллов -- алюминий -- нитрид алюминия -- нитриды -- тепловые взрывы -- нанопорошки -- процессы горения -- исследования -- воздух -- режим теплового взрыва -- магнитные поля -- постоянные поля -- постоянные магнитные поля -- индукция -- формирование монокристаллов -- нестационарные условия горения Аннотация: Исследованы процессы горения нанопорошка алюминия в воздухе в режиме теплового взрыва. Установлено, что постоянное магнитное поле индукцией 0. 4 T способствует формированию монокристаллов нитрида алюминия в нестационарных условиях горения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/20/p49-53.pdf Доп.точки доступа: Мостовщиков, А. В.; Роот, Л. О. |
621.375 Э 717 Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 21-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): галлий -- нитрид галлия -- нитриды -- кремний -- кремниевые подложки -- полуполярное направление -- слои нитрида галлия -- выращивание слоев -- технологические методы -- алюминий -- нитрид алюминия -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- хлоридные системы -- HVPE -- рентгеновская дифракция -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- полосы рекомбинации -- экситонные полосы рекомбинации -- донорно-акцепторные полосы рекомбинации Аннотация: Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия на кремниевой подложке ориентации (100). Экспериментально показано, что создание специально ориентированного тонкого 600 nm слоя нитрида алюминия методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе (HVPE) позволяет получить рост нитрида галлия в полуполярном направлении. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции для лучших слоев omega[theta] (0004) =30 arcmin; в спектрах фотолюминесценции GaN при 77 K проявляются экситонная и донорно-акцепторные полосы рекомбинации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p21-26.pdf Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Полетаев, Н. К.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П. |
539.21:535 К 413 Кинетические особенности оптически стимулированной люминесценции в порошках нитрида алюминия [Текст] / А. С. Вохминцев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 10-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): оптически стимулированная люминесценция -- ОСЛ -- алюминий -- нитрид алюминия -- кинетические особенности -- УФ-облученные порошки -- комнатная температура -- фотоны -- энергии -- интенсивное послесвечение -- изотермическое затухание -- рекомбинационные процессы -- донорные центры (физика) -- ОСЛ-сигналы -- ОСЛ-отклики Аннотация: Исследован отклик ОСЛ УФ-облученных порошков AlN при комнатной температуре. Показано, что после возбуждения образцов фотонами энергий 3-5 eV регистрируется интенсивное послесвечение, обусловленное изотермическим затуханием рекомбинационных процессов с участием мелких донорных центров. Установлено, что выделенный на фоне указанного затухания полезный ОСЛ-сигнал является суперпозицией двух компонент с порядками кинетики b=1. 0- 1. 2 и 1. 7-2. 1. Проведен анализ коэффициентов сверхлинейности полученных дозовых зависимостей светосуммы ОСЛ-отклика для каждой из кинетических компонент в сравнении с известными данными. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p10-17.pdf Доп.точки доступа: Вохминцев, А. С.; Вайнштейн, И. А.; Спиридонов, Д. М.; Бекетов, Д. А.; Бекетов, А. Р. |
539.2 И 292 Идентификация вакансии азота в монокристалле AlN: исследования методами ЭПР и термолюминесценции [Текст] / В. А. Солтамов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1121-1125. - Библиогр.: с. 1125 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): парамагнитный резонанс -- термолюминесценция -- электронные структуры -- монокристаллы -- азот -- нитрид алюминия Аннотация: С помощью совместных исследований электронного парамагнитного резонанса и термолюминесценции установлена электронная структура вакансии азота в специально не легированных монокристаллах нитрида алюминия и определена глубина залегания донорного уровня этой вакансии в запрещенной зоне, равная ~75 meV. Доп.точки доступа: Солтамов, В. А.; Ильин, И. В.; Солтамова, А. А.; Толмачев, Д. О.; Мохов, Е. Н.; Баранов, П. Г. |
539.2 С 387 Синтез наноразмерных слоев нитрида алюминия / Л. А. Акашев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 3. - С. 26-32 : ил. - Библиогр.: с. 31-32 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): элипсометрический метод -- наноразмерные слои -- сплошные среды -- поликристаллические структуры -- поверхности -- температурные интервалы -- ИК-спектроскопия -- удельные поверхности -- нитрид алюминия Аннотация: Эллипсометрическим методом исследовано взаимодействие поверхности поликристаллического алюминия с азотом при медленном нагреве до температуры 623 °С и давлении 1. 25 atm. Показано, что процесс образования наноразмерного сплошного слоя нитрида алюминия происходит в интервале температур 520-580 °С и выше. Максимальная толщина синтезированного наноразмерного слоя нитрида алюминия составляла 32 nm. Образование нитрида на поверхности алюминия подтверждено методом ИК-спектроскопии на порошках с удельной поверхностью 6. 4 m{2}/g. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/03/p26-32.pdf Доп.точки доступа: Акашев, Л. А.; Попов, Н. А.; Кочедыков, В. А.; Шевченко, В. Г. |
544.45 И 460 Ильин, А. П. Изучение последовательности фазообразования при горении прессованного нанопорошка алюминия в воздухе с применением синхротронного излучения / А. П. Ильин, А. В. Мостовщиков, Н. А. Тимченко // Физика горения и взрыва. - 2013. - Т. 49, № 3. - С. 72-76 : ил. - Библиогр.: с. 75-76 (12 назв.) . - ISSN 0430-6228
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Кл.слова (ненормированные): алюминий -- нанопорошки -- продукты горения -- стадийность -- нитрид алюминия -- оксид алюминия Аннотация: В статье изучены промежуточные и конечные продукты прессованного нанопорошка алюминия. Установлено, что основным продуктом сгорания является нитрид алюминия. Доп.точки доступа: Мостовщиков, А. В.; Тимченко, Н. А. |
539.2 К 899 Кукушкин, С. А. Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии / С. А. Кукушкин, авт. А. В. Осипов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1575-1579 : ил. - Библиогр.: с. 1579 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод твердофазной эпитаксии -- твердофазная эпитаксия -- эпитаксиальные слои -- синтез слоев -- подложки кремния -- поверхность подложек -- химические реакции -- релаксация энергии -- анизотропия -- карбид кремния -- SiC -- нитрид алюминия -- AlN -- нитрид галлия -- GaN -- кремний -- Si -- точечные дефекты -- дефекты -- дилатация -- дилатационные диполи -- монооксид углерода -- кристаллы -- монокристаллические пленки -- эллипсометрический анализ -- оптические константы -- атомы углерода -- углеродные примеси Аннотация: Разработан новый метод твердофазного синтеза эпитаксиальных слоев, когда подложка сама участвует в химической реакции, а продукт реакции растет не на поверхности подложки, как в традиционных методах эпитаксии, а внутри нее. Такой метод открывает новые возможности для релаксации упругой энергии за счет механизма, действующего только в анизотропных средах, а именно притяжения точечных дефектов, образующихся в процессе химической реакции. Притягивающиеся точечные центры дилатации образуют относительно устойчивые образования - дилатационные диполи, которые существенно уменьшают общую упругую энергию. Показано, что в кристаллах с кубической симметрией наиболее выгодным расположением диполей является направление (111). Теория апробирована на примере роста пленок карбида кремния SiC на подложках кремния Si (111) за счет химической реакции с монооксидом углерода CO. Выращены высококачественные монокристаллические пленки SiC-4H толщиной до 100 нм на Si (111). Эллипсометрический анализ показал, что оптические константы пленок SiC-4H являются существенно анизотропными. Это вызвано не только гексагональностью решетки, но и небольшим количеством атомов углерода, ~ (2-6) %, оставшихся в пленке из-за дилатационных диполей. Показано, что оптические константы углеродной примеси соответствуют сильно анизотропному пиролитическому углероду HOPG. The new method of solid-phase synthesis of epitaxial layers when the substrate itself participates in the chemical reaction is developed. The product of reaction grows not on the substrate surface as in conventional methods of epitaxy but in the bulk of it. Such method gives new opportunities for relaxation of elastic stress at the expense of the mechanism operating only in anisotropic media, namely, attraction of the point defects which are forming in the course of chemical reaction. Being attracted the point dilatation centers form rather steady objects, namely, the dilatation dipoles which significantly reduce the whole elastic energy. It is shown that in crystals with cubic symmetry the most favorable arrangement of dipoles is the (111) direction. This theory is approved by the example of growth of silicon carbide SiC films on Si (111) substrates at the expense of chemical reaction with carbon monoxide CO. High-quality single-crystal SiC-4H films up to 100 nm thick on Si (111) have been grown. The ellipsometric analysis showed that the optical constants of the SiC-4H film are significantly anisotropic. It is caused not only by the hexagonal lattice, but also a small amount of atoms of carbon, ~ (2-6) %, remained in the film due to dilatation dipoles. It is shown that optical constants of carbon impurity correspond to strongly anisotropic pyrolitic graphite HOPG. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1575-1579.pdf Доп.точки доступа: Осипов, А. В.; Институт проблем машиноведения Российской академии наук (Санкт-Петербург)Институт проблем машиноведения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
621.315.592 И 889 Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе / И. А. Супрядкина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1647-1652 : ил. - Библиогр.: с. 1651-1652 (33 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- поляризационные свойства -- полупроводники -- AlN -- нитрид алюминия -- GaN -- нитрид галлия -- вюрциты -- пьезоэлектрическая поляризация -- пьезоэлектрические константы -- гетероструктуры -- интерфейсы -- зарядовая плотность -- плотность зарядов -- гетерограницы -- экспериментальные данные -- нитридные соединения Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования на основе расчетов из первых принципов поляризационных свойств полупроводников AlN, GaN и AlGaN со структурой вюрцита. Для данных нитридных соединений рассчитаны значения спонтанной, пьезоэлектрической поляризаций и пьезоэлектрических констант. В целях дальнейшего рассмотрения перспективных гетероструктур на основе соединений (Al, Ga, AlGa) N были оценены значения зарядовых плотностей на интерфейсах AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN и концентрация носителей на гетерогранице AlGaN/GaN, приведено сравнение с экспериментальными данными. In this work we report the results of theoretical study based on first-principles calculation polarization properties of semiconductors AlN, GaN and AlGaN with wurtzite structure. For these nitride compounds are calculated values of spontaneous and piezoelectric polarization and piezoelectric constants. In order to further consideration of promising heterostructures based on compounds (Al, Ga, AlGa) N values of charge densities at the interfaces AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN and sheet carrier concentration were estimated and compared with experimental data. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1647-1652.pdf Доп.точки доступа: Супрядкина, И. А.; Абгарян, К. К.; Бажанов, Д. И.; Мутигуллин, И. В.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Вычислительный центр им. А. А. Дородницына Российской академии наук (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Вычислительный центр им. А. А. Дородницына Российской академии наук (Москва)Вычислительный центр им. А. А. Дородницына Российской академии наук (Москва); Вычислительный центр им. А. А. Дородницына Российской академии наук (Москва) |
539.2 В 724 Вольфсон, А. А. Зависимость скорости роста слоя AlN от величины зазора между источником и подложкой при сублимационном методе выращивания / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1570-1572 : ил. - Библиогр.: с. 1571-1572 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): толстые слои -- объемные кристаллы -- кристаллы -- сублимационный сандвич-метод -- нитрид алюминия -- AlN -- азот -- N -- давление азота -- подложки -- диффузия Аннотация: В предлагаемой работе, посвященной изучению условий роста толстых слоев и объемных кристаллов АlN в сублимационном сандвич-методе, впервые для этого материала экспериментально получены зависимости скорости роста слоя от величины зазора источник-подложка для двух значений давления азота в реакторе: 0. 3 и 0. 6 бар. Полученные результаты указывают на то, что основным механизмом переноса компонентов источника на подложку является диффузия. Вклад кинетических эффектов становится заметным при минимальном зазоре 0. 3 мм, особенно при меньшем давлении азота, 0. 3 бар. This work deals with AlN thick layers and bulk crystals growing conditions for sublimation sandwich-method. Dependences of growth rate on the clearance between source and substrate are investigated experimentally first for this material for two values of nitrogen pressure inside reactor. The obtained results show that the main mechanism of transfer of source components to substrate is diffusion. Contribution of kinetic effects is appreciable at the smallest clearance 0. 3mm especially for lesser nitrogen pressure 0. 3 bar. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1570-1572.pdf Доп.точки доступа: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |