53 М 333 Матвеев, О. А. Отжиги полуизолирующих кристаллов CdZnTe : Cl с различным содержанием Zn [Текст] / О. А. Матвеев, Н. К. Зеленина [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 1-7 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- полуизолирующие кристаллы -- отжиги кристаллов -- детекторы ядерного излучения Аннотация: Показано влияние условий послеростового отжига под управляемым давлением пара кадмия и низкотемпературных отжигов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te : Cl (x=0. 0002; x=0. 005; x=0. 01; x=0. 1) , выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации, на основные параметры материала, ответственные за качество детекторов ядерного излучения. Доп.точки доступа: Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А. |
621.315.592 К 172 Калинина, Е. В. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных p\{+\}-n-переходов [Текст] / Е. В. Калинина, Н. Б. Строкан [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 87-93
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): детекторы ядерного излучения -- высокотемпературные матрицы -- ионно-легированные p\{+\}-n-переходы -- 4H-SiC Аннотация: Впервые представлены результаты исследования спектрометрических характеристик в температурном интервале 25-140 градусов C матриц из 4 детекторов, выполненных на основе 4H-SiC ионно-легированных p\{+\}-n-переходов. Переходы создавались ионной имплантацией алюминия в эпитаксиальные слои 4H-SiC, выращенные методом газотранспортной эпитаксии. Структурные особенности ионно-легированных p\{+\}-слоев изучались с привлечением вторичной ионной масс-спектрометрии, просвечивающего электронного микроскопа и метода резерфордовского обратного рассеяния в режиме каналирования. Характеристики детекторных матриц определялись при тестировании на воздухе альфа-частицами естественного распада с энергией 3. 76 МэВ. Экспериментально подтверждены данные, полученные ранее для аналогичных единичных детекторов, что с увеличением рабочей температуры улучшались основные характеристики детекторных матриц - эффективность собирания заряда и разрешение по энергии. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Иванов, А. М.; Ситникова, А. А.; Садохин, А. В.; Азаров, А. Ю.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р. |
Иванов, А. М. К вопросу радиационной стойкости SiC при чередовании стадий облучения и отжига [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1466-1471
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): SiC -- радиационная стойкость -- ядерная спектрометрия -- детекторы ядерного излучения -- p-n-детекторы Аннотация: Результаты воздействия на свойства SiC цикла "введение дефектов-отжиг-повторное введение дефектов" исследованы с помощью техники ядерной спектрометрии на примере деградации характеристик p-n-детекторов ядерного излучения. Облучение проводилось протонами с энергией 8 МэВ равными дозами по 3 х 10\{14\} см\{-2\}. Суммарная доза 6 х 10\{14\} см\{-2\} соответствовала введению 2. 4 х 10\{17\} см\{-3\} первично смещенных атомов. Отжиг проходил в две стадии длительностью 1 ч каждая при температурах 600 и 700 градусов C. Детекторы тестировались альфа-частицами с энергией 5. 4 МэВ и определялись эффективность переноса заряда и особенности формы амплитудного спектра. Измерения проводились в интервале 20-250 градусов C. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
Муминов, Р. А. Разработка Si (Li) детекторов ядерного излучения методом импульсного электрического поля [Текст] / Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, А. К. Саймбетов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 59-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): детекторы -- детекторы ядерного излучения -- ядерное излучение -- разработка детекторов -- литий -- ионы лития -- Li -- метод импульсного электрического поля -- импульсные электрические поля -- электрические поля -- метод дрейфа -- режимы параметров -- импульсы -- амплитуды импульса -- длительность импульса -- периоды импульса -- импульсные режимы -- полупроводники Аннотация: Рассматривается изготовление Si (Li) детектора методом дрейфа ионов лития в режиме импульсного электрического поля. Определены его оптимальные режимы параметров: амплитуды, длительности и периоды импульса. Результаты показали, что проведение процесса дрейфа в импульсном режиме электрического поля позволяет в 2-4 раза сократить время компенсации объема полупроводника и значительно повысить его эффективность. Доп.точки доступа: Раджапов, С. А.; Саймбетов, А. К. |
Транспорт заряда в структурах 4H-SiC-детекторов в условиях сильного электрического поля [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1090-1092 : ил. - Библиогр.: с. 1092 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): детекторы -- детекторы ядерного излучения -- 4H-SiC -- заряды -- неравновесные заряды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- спектрометрия -- ядерная спектрометрия -- ионизация -- ударная ионизация -- амплитудный спектр -- альфа-частицы -- диоды Шоттки -- ДШ -- Шоттки диоды -- ядерное излучение Аннотация: Исследован перенос пакетов неравновесного заряда в структуре с барьером Шоттки, выполненным на CVD-пленке 4H-SiC n-типа проводимости. Максимальная напряженность электрического поля составляла 1. 1 МВ/см. Заряд вносился одиночными alpha-частицами и регистрировался с помощью техники ядерной спектрометрии. Наблюдено появление сверхлинейного роста регистрируемого заряда в зависимости от приложенного к структуре обратного смещения. Одновременно также сверхлинейно возрастает разброс значений заряда в амплитудном спектре. Отмеченный эффект связывается с начальной стадией ударной ионизации. Проявление процесса при нетрадиционно малых полях (~1 МВ/см) объясняется спецификой генерации заряда. Порождаемые в ходе торможения alpha-частиц носители заряда оказываются первоначально "разогретыми". Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Мынбаева, М. Г.; Садохин, А. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига. Доп.точки доступа: Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А. |
539.107 И 206 Иванов, А. М. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 4. - С. 131-135. - Библиогр.: c. 134-135 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): детекторы ядерного излучения -- радиационная стойкость -- широкозонные материалы -- карбид кремния -- радиационные дефекты -- радиационные центры -- поляризация -- ЭДС -- электродвижущая сила -- захват носителей заряда -- напряженность поля поляризации -- глубокие центры Аннотация: При значительных концентрациях радиационных дефектов для детекторов на основе широкозонных материалов характерен эффект поляризации. Появление в объеме детектора ЭДС связано с долговременным захватом носителей заряда на глубокие уровни радиационных центров. Экспериментально установлены характер кинетики и величина напряженности поля поляризации. Повышением температуры возможно регулировать захват и достичь при "оптимальной" температуре компромисса между величиной генерационного тока и положением наиболее глубокого из уровней, чей вклад в потери заряда путем захвата носителей пренебрежимо мал. Оказалось, что глубина такого рода уровня (отнесенная к ширине запрещенной зоны) близка к значению 1/3 независимо от материала. Значения температур для материалов строго индивидуальны. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/04/p131-135.pdf Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |