621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
621.38 К 210 Караваев, Г. Ф. (???? 1). Метод огибающих функций для гетерострктур. Модели сшивания в применение для AlAs/Al[x]Ga[1-x](110 [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- гетероструктуры -- огибающие функции -- электронные свойства полупроводников Аннотация: В работе рассмотрены вопросы, связанные с применением метода огибающих функций для гетероструктур, а также проанализированы некоторые подходы при получении условий для огибающих функций Доп.точки доступа: Чернышов, В.Н. (???? 1) |
539.2 К 21 Караваев, Г. Ф. "Сверхрешеточная " модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001 [Текст] / Г. Ф. Караваев, авт. С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 893-901. - Библиогр.: с. 901 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерограница; метод псевдопотенциала; огибающие волновые функции; период сверхрешетки; плавный интерфейсный потенциал; рассеяние; сверхрешеточная модель; туннелирование электронов Аннотация: На основе метода псевдопотенциала исследовано влияние плавного интерфейсного потенциала на электронные состояния в структурах GaAs/AlAs (001) . В предложенном подходе переходная область между GaAs и AlAs представлена слоем из половины периода сверхрешетки (AlAs) [2] (GaAs) [2], потенциал которого близок к истинному потенциалу вблизи гетерограницы. В этом случае междолинное смешивание происходит не на ее границе, как в модели с резко оборванным потенциалом, а на двух границах и в области переходного слоя. Показано, что учет плавного потенциала приводит к заметным изменениям при туннелировании электронов в структурах с тонкими слоями, причем особенно существенным в том случае, когда они происходят при участии коротковолновых X-состояний. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
539.2 М 61 Минина, Н. Я. Релаксация низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Al[0. 5]Ga[0. 5]As : Be и глубокие ловушки вблизи гетерограницы [Текст] / Н. Я. Минина, Е. В. Богданов, А. А. Ильевский, В. Краак // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 11. - С. 2095-2098. - Библиогр.: с. 2098 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерограницы; гетероструктуры; глубокие донороподобные ловушки; глубокие ловушки; низкотемпературная отрицательная фотопроводимость; облучение; одноосное сжатие; отрицательная фотопроводимость; фотопроводимость Аннотация: В гетероструктурах p-GaAs/Al[0. 5]Ga[0. 5]As : Be исследована релаксация к темновому состоянию отрицательной фотопроводимости, возникающей при гелиевых температурах при облучении красным светом. Релаксационный процесс исследован при различных температурах в области существования отрицательной фотопроводимости (T < 6 K) и одноосном сжатии до 1. 7 kbar. Процессы релаксации количественно хорошо описываются в рамках модели, предполагающей наличие вблизи гетерограницы глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E[b]=2+-0. 3 meV. Доп.точки доступа: Богданов, Е. В.; Ильевский, А. А.; Краак, В. |
537.311.33 Ч-497 Чернышов, В. Н. Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001). |
621.3 В 680 Володин, Е. А. Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе Ge[x]Si[1-x] с учетом вклада гетерограницы [Текст] / Е. А. Володин, Н. Д. Ефремов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 950-954 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- Ge[x]Si[1-x] -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- квантовые точки -- механические деформации Аннотация: Существенно уточнена методика определения состава и механических деформаций в квантовых точках Ge[x]Si[1-x] с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Параметр состава x определяется из анализа интенсивности пиков комбинационного рассеяния света на колебаниях связей Ge-Ge и Ge-Si, с учетом наличия связей Ge-Si на гетерогранице. Механические напряжения в квантовых точках определяются из анализа положения пиков комбинационного рассеяния света, с учетом полученных данных о составе квантовых точек. Доп.точки доступа: Ефремов, Н. Д.; Якимов, А. И.; Михалев, Г. Ю.; Никифоров, А. И.; Двуреченский, А. В. |
539.2 Б 307 Бахтинов, А. П. Формирование нанообразований на поверхности слоистого полупроводника InSe в процессе термического окисления [Текст] / А. П. Бахтинов, З. Д. Ковалюк [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1497-1503. - Библиогр.: с. 1503 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): наноструткурные образования; окисление поверхности; селенид индия; слоистые полупроводники; спектры фотолюминесценции; структура гетерограницы; центры рекомбинации экситонов; экситонная поглощение Аннотация: Исследованы морфологические изменения поверхности InSe при окислении на воздухе и влияние особенностей гетерограницы оксид-слоистый полупроводник на фотоэлектрические свойства структуры In[2]O[3]-InSe. Установлено, что в результате окисления слоистого полупроводника InSe может быть сформирована упорядоченная наноразмерная гетерограница, которая определяет высокую фоточувствительность гетероструктуры In[2]O[3]-InSe в спектральной области экситонного поглощения при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Сидор, О. Н.; Катеринчук, В. Н.; Литвин, О. С. |
Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n\{+\}-CdS/p-CdTe [Текст] / С. А. Музафарова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1409-1414
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- гетерограницы -- солнечные элементы -- ультразвуковое воздействие Аннотация: Исследовано формирование твердого раствора на гетерогранице n-CdS/p-CdTe в солнечных элементах в зависимости от технологического режима и последующего стимулирующего фактора - ультразвукового воздействия. Фазовый состав переходного слоя твердого раствора исследован с помощью неразрушающего фотоэлектрического метода, путем измерения спектрального распределения фоточувствительности в вентильном и фотодиодном режимах. Проведенные исследования показали, что фазовой состав и толщина слоя промежуточного твердого раствора CdTe[1-x]S[x] сильно зависят от технологического режима формирования гетероструктуры. Доп.точки доступа: Музафарова, С. А.; Айтбаев, Б. У.; Мирсагатов, Ш. А.; Дуршимбетов, К.; Жанабергенов, Ж. |
Горбунов, А. В. Температурная зависимость интенсивности люминесценции в условиях бозе-конденсации межъямных экситонов [Текст] / А. В. Горбунов, В. Е. Бисти, В. Б. Тимофеев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 4. - С. 803-810. - Библиогр.: с. 809-810 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- интенсивность люминесценции -- условия бозе-конденсации -- межъямные экситоны -- фотолюминесценция -- двойные квантовые ямы -- квантовые ямы -- гетерограницы -- бозе-конденсация Аннотация: Исследована фотолюминесценция межъямных экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs (NIN-гетероструктуры), содержащих крупномасштабные флуктуации случайного потенциала в плоскостях гетерограниц. Доп.точки доступа: Бисти, В. Е.; Тимофеев, В. Б. |
Байков, Ю. М. Протонный гетеропереход в гетероструктуре "интерметаллид-дигидрат гидроксида калия-графит" [Текст] / Ю. М. Байков, Б. Т. Мелех, И. В. Коркин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): протонные гетеропереходы -- гетероструктуры -- интерметаллид-дигидрат гидроксида калия-графит -- графит -- интерметаллид титан-железо -- электроды -- твердые электролиты -- электродвижущие силы -- ЭДС -- электрохимические ячейки -- дейтерий -- протий -- протоны -- изотопный обмен -- кинетическая обратимость -- гетерограницы -- образование протонного гетероперехода Аннотация: Сообщается об оригинальных гетероструктурах, где используются графит и интерметаллид титан-железо (TiFe), как два электрода, и твердый электролит KOH· 2H[2]O (T[melt]=~ 315 K). После активации ЭДС таких ячеек при 263-310 K составляет ~ 1. 4-1. 1 V, причем вклад в ЭДС гетерограницы TiFeH[x]KOH· 2H[2]O составляет 0. 9-0. 7 V. Изменение потенциала этой гетерограницы на ~ 100 mV при замене протия на дейтерий свидетельствует о потенциалобразующей роли протонов. Изотопным обменом доказана кинетическая обратимость перехода протонов через гетерограницу TiFeH[x]KOH· 2H[2]O, что также свидетельствует об образовании протонного гетероперехода. Доп.точки доступа: Мелех, Б. Т.; Коркин, И. В. |
Супрун, С. П. Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла [Текст] / С. П. Супрун, Е. В. Федосенко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 2. - С. 94-97
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs-Ge -- Ge -- Ga[2]O -- гетерограница -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- дифракция быстрых электронов Аннотация: Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs-Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga[2]O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела. Доп.точки доступа: Федосенко, Е. В. |
Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p (n) -GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице [Текст] / М. П. Михайлова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 69-74 : ил. - Библиогр.: с. 74 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры 2 типа -- p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p (n) -GaSb -- квантовые ямы -- КЯ -- асимметричные гетероструктуры -- электролюминесцентные характеристики -- электролюминесценция -- ЭЛ -- гетерограницы -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектры электролюминесценции -- металлоорганические соединения -- фотоны -- положительная люминесценция -- отрицательная люминесценция -- светодиоды -- фотодиоды -- ИК-спектры Аннотация: Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0. 3-0. 4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77-380 K. Установлено, что при температуре свыше 75{o}C отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов (фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3-4 мкм. Доп.точки доступа: Михайлова, М. П.; Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д.; Яковлев, Ю. П.; Hulicius, E.; Hospodkova, A.; Pangrac, J.; Simecek, T. |
Гуляев, Д. В. Форма рельефа гетерограниц в (311) А-ориентированных структурах GaAs/AlAs [Текст] / Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 358-366 : ил. - Библиогр.: с. 365-366 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- СР -- квантовые проволоки -- КП -- гетерограницы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- стационарная фотолюминесценция -- кинетика фотолюминесценции -- структуры -- А-ориентированные структуры -- GaAs/AlAs -- электрические поля -- поверхностные акустические волны -- ПАВ -- безызлучательная рекомбинация -- неравновесные носители зарядов -- флуктуация -- спектры фотолюминесценции Аннотация: Проведено экспериментальное исследование стационарной фотолюминесценции и кинетики фотолюминесценции (100) - и (311) A-ориентированных сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что в (100) -ориентированных структурах падение интенсивности стационарной фотолюминесценции и ускорение кинетики фотолюминесценции не зависят от направления электрического поля поверхностной акустической волны относительно кристаллографических направлений, тогда как в (311) A-ориентированных структурах эти эффекты анизотропны. Показано, что все изменения в стационарной фотолюминесценции, а также в кинетике фотолюминесценции (100) - и (311) A-структур под действием электрического поля акустической волны связаны с переносом и захватом на центры безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, исходно локализованных в широких квантовых ямах, образованных флуктуациями толщины слоев структур. Из полученных экспериментальных данных определены параметры рельефа гетерограниц (311) A-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что латеральные размеры микроканавок в направлении [011] на прямой и на обратной гетерограницах (311) A-сверхрешеток превышают 3. 2 нм, а модуляция толщины слоев AlAs составляет от 0. 8 до 1. 2 нм. Доп.точки доступа: Журавлев, К. С. |
Караваев, Г. Ф. Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AIAs (001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 45-54. - Библиогр.: c. 53-54 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- псевдопотенциал -- сверхрешетки -- спектр сверхрешеток -- электронные спектры Аннотация: В рамках упрощенных моделей резкой и "плавной" гетерограниц рассмотрены связанные с г- и Хz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AIAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs) [m] (AIAs) [n] (001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели <плавной> границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания [Текст] / И. П. Казаков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1489-1493 : ил. - Библиогр.: с. 1493 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- слои -- анизотропное отражение -- АО -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- гетерограницы -- активные области -- буферные слои -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выращивание гетероструктур -- оптическая диагностика Аннотация: Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением "пик-долина" и плотностью пикового тока, равными 3. 3 и 6. 6 x 10{4} А/см{2} соответственно. Доп.точки доступа: Казаков, И. П.; Глазырин, Е. В.; Савинов, С. А.; Цехош, В. И.; Шмелев, С. С. |
621.375 A 35 AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8-10 mum [Текст] / О. Ф. Бутягин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 81-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- фотоприемники -- ИК-фотоприемники -- инфракрасные фотоприемники -- длинноволновые инфракрасные фотоприемники -- спектральные области -- исследования -- результаты исследований -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- установки молекулярно-пучковой эпитаксии -- STE-3532 -- высокая однородность -- гетерограницы -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- вольт-амперные характеристики -- темновые токи -- фоточувствительность Аннотация: Представлены результаты исследования гетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке STE-3532 (производитель "SemiTEq", С. -Петербург, Россия) и предназначенных для создания длинноволновых инфракрасных фотоприемников, работающих на " межподзонных" переходах. Квантовые ямы в выращенных структурах обладают высокой однородностью и резкими гетерограницами, что подтверждается спектрами фотолюминесценции и вольт-амперными характеристиками темнового тока фотоприемников, изготовленных из выращенных гетероструктур. Такие фотоприемники имеют спектр фоточувствительности в окне прозрачности атмосферы (8-10 mum) и параметры, позволяющие использовать их в широкоформатных матрицах для тепловизионных систем нового поколения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p81-87.pdf Доп.точки доступа: Бутягин, О. Ф.; Кацавец, Н. И.; Коган, И. В.; Красовицкий, Д. М.; Куликов, В. Б.; Чалый, В. П.; Дудин, А. Л.; Чередниченко, О. Б. |
537.311.33 Ф 796 Формирование p-n-перехода в ходе твердофазных химических реакций с участием суперионных кристаллов [Текст] / И. Х. Акопян [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 11. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- полупроводниковые гетеропереходы -- p-n-переходы -- формирование гетеропереходов -- химические реакции -- твердофазные реакции -- кристаллы -- суперионные кристаллы -- экситонная спектроскопия -- рентгено-спектральный микроанализ -- ионы -- диффундирующие ионы -- концентрационные профили ионов -- гетерограницы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- тройные соединения -- бинарные кристаллы Аннотация: Показана принципиальная возможность формирования полупроводниковых гетеропереходов в системах AgI-Ag[2]HgI[4]-HgI[2] и CuI-Cu[2]HgI[4]-HgI[2], образованных в результате контролируемых диффузией твердофазных химических реакций. Методами экситонной спектроскопии и рентгено-спектрального микроанализа получены концентрационные профили диффундирующих ионов в образованных системах. Измерены ВАХ гетерограниц между тройным соединением и бинарными кристаллами в темноте и при освещении. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/11/p88-94.pdf Доп.точки доступа: Акопян, И. Х.; Заморянская, М. В.; Кузнецова, Я. В.; Новиков, Б. В.; Цаган-Манджиева, Д. А. |
536.42 С 760 Стабилизация орторомбической фазы NiF[2] в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF[2]/Si(111) [Текст] / А. Г. Банщиков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 61-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- рост слоев -- подложки -- орторомбические фазы -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- метод дифракции быстрых электронов -- дифрактометрия -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- кристаллизация слоев -- эпитаксиальные соотношения -- гетерограницы Аннотация: Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои NiF[2] на подложках CaF[2] (111) /Si (111). Методами дифракции быстрых электронов и рентгеновской дифрактометрии установлено, что слои кристаллизовались в метастабильной орторомбической фазе и были определены эпитаксиальные соотношения на гетерогранице NiF[2]/ CaF[2]: (100) [NiF[2]] || (111) [CaF[2]], [001][NiF[2]]|| [110][CaF[2]]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p61-68.pdf Доп.точки доступа: Банщиков, А. Г.; Кошмак, К. В.; Крупин, А. В.; Соколов, Н. С. |
535.2/.3 Ф 815 Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона [Текст] / М. П. Михайлова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 251-255 : ил. - Библиогр.: с. 255 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): фотодетекторы -- ФД -- фотовольтаические детекторы -- гетероструктуры II типа -- квантовые ямы -- AlSb/InAsSb/AlSb -- гетерограницы -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- люминесцентные характеристики -- фотоэлектрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- люминесценция -- спектры люминесценции -- высокие температуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- квантовая эффективность -- квантово-каскадные лазеры -- инфракрасная спектроскопия -- фотодиоды Аннотация: Созданы и исследованы фотодетекторы для спектрального диапазона 2-4 мкм на основе асимметричной гетероструктуры II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/ (p, n) GaSb с глубокой одиночной или тремя глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы транспортные, люминесцентные, фотоэлектрические, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики таких структур. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдались в спектральном диапазоне 3-4 мкм при высоких температурах (300-400 K). Спектры фоточувствительности лежали в диапазоне 1. 2-3. 6 мкм (T=77 K). Высокая квантовая эффективность eta=0. 6-0. 7, токовая чувствительность S[lambda]=0. 9-1. 4 А/Вт и обнаружительная способность D{*}[lambda]=3. 5 x 10{11}-10{10} см x Гц{1/2}/Вт были получены в области T=77-200 K. Низкое значение емкости (C=1. 5 пФ при V=-1 В, T=300 K) позволило оценить быстродействие фотодетектора tau=75 пс, что соответствует ширине полосы частот около 6 ГГц. Такие фотодетекторы перспективны для гетеродинного приема излучения квантово-каскадных лазеров и инфракрасной спектроскопии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p251-255.pdf Доп.точки доступа: Михайлова, М. П.; Андреев, И. А.; Моисеев, К. Д.; Иванов, Э. В.; Коновалов, Г. Г.; Михайлов, М. Ю.; Яковлев, Ю. П. |
621.315.592 Г 834 Григорьев, М. М. Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре [Текст] / М. М. Григорьев, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1386-1391 : ил. - Библиогр.: с. 1390-1391 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): интерфейсная люминесценция -- люминесценция -- гетерограницы -- гетеропереходы -- изотипные гетеропереходы -- InAs/InAsSbP -- комнатная температура -- электронные каналы -- излучательные переходы -- дырки (физика) -- поверхностные состояния -- светоизлучающие диоды -- оптоэлектронные матрицы Аннотация: Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1386-1391.pdf Доп.точки доступа: Иванов, Э. В.; Моисеев, К. Д. |