539.1/.18 З 127 Забродский, В. В. Результаты испытаний кремниевых фотодиодов в диагностических экспериментах по томсоновскому рассеянию на токамаке "Туман-3М" и в стендовых экспериментах [Текст] / В. В. Забродский, Д. В. Калинина [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): Туман-3М (токамак) -- детекторы излучения -- плазма -- токамаки -- томсоновское рассеяние -- фотодиоды Аннотация: Проведены испытания кремниевых фотодиодов в качестве детекторов излучения в диагностическом эксперименте по томсоновскому рассеянию в плазме токамака "Туман-3М". В исследованиях, выполненных на испытательных стендах и путем численного моделирования, проведено сравнение двух типов фотоприемных устройств на основе фотодиодов и лавинных фотодиодов с регистрацией слабых импульсных сигналов разной длительности в присутствии фона стационарной засветки. Для прикладных задач диагностики плазмы токамака, когда фоновое излучение плазмы играет существенную роль, выигрыш чувствительности, обусловленный лавинным усилением, практически исчезает при увеличении длительности регистрируемых сигналов до нескольких сотен наносекунд. Доп.точки доступа: Калинина, Д.В.; Мухин, Е.Е.; Раздобарин, Г.Т.; Суханов, В.Л.; Толстяков, С.Ю.; Тукачинский, А.С. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И. |
Регистрация рентгеновского излучения сильноточного разряда в плотной газовой среде [Текст] / А. А. Богомаз [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 5. - С. 114-117. - Библиогр.: с. 117 (11 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): рентгеновское излучение -- сильноточные разряды -- газовые среды -- плотные газовые среды -- сильноточные разряды -- плотный газ Аннотация: Описан экспериментальный комплекс для регистрации собственного рентгеновского излучения сильноточного разряда в плотном газе. Доп.точки доступа: Богомаз, А. А.; Будин, А. В.; Забродский, В. В.; Кузнецов, И. В.; Лосев, С. Ю.; Петренко, М. В.; Пинчук, М. Э.; Рутберг, Ф. Г. |
Алексеев, А. Г. Гибридный матричный детектор формата 16 х 16 для визуализации XUV-излучения плазмы [Текст] / А. Г. Алексеев, А. М. Белов, В. В. Забродский // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 2. - С. 58-61. - Библиогр.: с. 61 (19 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): детекторы -- матричные детекторы -- гибридные детекторы -- фотодиоды -- XUV-фотодиоды -- кремниевые фотодиоды -- линейные матрицы -- мультиплексоры -- визуализация Аннотация: Разработан макет гибридного матричного детектора для ультрабыстрой визуализации плазмы. В нем использованы кремниевые XUV-фотодиоды, изготовленные по оригинальной технологии. Основной 16 х 16 гибридный модуль состоит из восьми подмодулей с линейными матрицами 2 х 16, объединенными с 32-канальным предусилителем и четырьмя быстрыми мультиплексорами с 8 каналами. Доп.точки доступа: Белов, А. М.; Забродский, В. В. |
537.311.33 И 889 Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете [Текст] / В. В. Забродский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 69-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- фотодиоды -- кремниевые фотодиоды -- ультрафиолет -- вакуумный ультрафиолет -- ультрафиолетовое излучение -- вакуумное ультрафиолетовое излучение -- ВУФ-излучение -- n-p-структуры -- p-n-структуры -- чувствительность -- длины волн -- детекторы -- фототоки -- обратимая релаксация -- эффект обратимой релаксации -- результаты исследований Аннотация: Проведено испытание кремниевых фотодиодов на стойкость к вакуумному ультрафиолетовому (ВУФ) излучению на длине волны 121. 6 nm. Показано, что исследуемые фотодиоды, на основе p-n- и n-p-структур, обнаруживают деградацию чувствительности на уровне десятков процентов при дозах ВУФ-излучения порядка десятков mJ/cm{2}. Наблюдался эффект обратимой релаксации фототока детекторов на основе n-p-структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p69-77.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Белик, В. П.; Аруев, П. Н.; Бер, Б. Я.; Бобашев, С. В.; Петренко, М. В.; Суханов, В. Л. |
621.315.592 А 640 Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом [Текст] / С. О. Слипченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1431-1438 : ил. - Библиогр.: с. 1437-1438 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): излучательные характеристики -- полупроводниковые лазеры -- генерация мод -- резонатор Фабри - Перо -- Фабри - Перо резонатор -- ФПМ -- моды (физика) -- модовые структуры -- полосковые контакты -- межзонное поглощение -- замкнутая мода -- ЗМ Аннотация: Исследованы излучательные характеристики полупроводниковых лазеров с полосковой геометрией контакта, работающих в условиях срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо. Установлено, что обратимое выключение генерации мод резонатора Фабри-Перо связано с переходом в режим генерации замкнутой моды. Излучательные характеристики замкнутой моды определяются модовой структурой с близкими к нулю потерями на выход излучения, захватывающей весь кристалл. Основными условиями выполнения порога генерации замкнутой моды являются снижение межзонного поглощения в пассивной области и увеличение модального усиления на линии генерации замкнутой моды. Показано, что снижение межзонного поглощения в пассивной области может быть обеспечено как спонтанным излучением из области инжекции, так и фотонами лазерных мод. Рост модального усиления на линии генерации замкнутой моды обеспечивается смещением энергетических минимумов зоны проводимости и максимумов валентной зоны области инжекции относительно энергетических зон пассивной области. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1431-1438.pdf Доп.точки доступа: Слипченко, С. О.; Подоскин, А. А.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Лешко, А. Ю.; Пихтин, Н. А.; Забродский, В. В.; Тарасов, И. С. |
621.385.833 Х 200 Характеризация полупроводниковых детекторов монокинетических и отраженных электронов с энергией 1-30 кэВ [Текст] / А. В. Гостев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1539-1544. - Библиогр.: c. 1544 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы -- функции отклика -- энергетические спектры -- расчетные данные -- экспериментальные данные -- отраженные электроны -- монокинетические электроны Аннотация: Рассмотрены основные характеристики полупроводниковых детекторов, рассчитаны их функции отклика, определены пороговые энергии отсечки как для монокинетического пучка электронов, так и при детектировании полного энергетического спектра отраженных электронов. Доп.точки доступа: Гостев, А. В.; Дицман, С. А.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А.; Суханов, В. Л. |
533.9 К 795 Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой "идеального" диода в приборостроении / В. Л. Суханов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 174-177 : ил. - Библиогр.: с. 177 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): кремниевые детекторы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- собственные шумы -- идеальные диоды -- газофазное осаждение -- методы газофазного осаждения -- приборостроение Аннотация: Предельно малый уровень собственных шумов кремниевых детекторов с вольт-амперной характеристикой "идеального" диода позволил создать системы детектирования токовых сигналов на уровне до 10{-16} A, одновременно имеющие динамический диапазон измерения порядка 10{11}-10{12}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p174-177.pdf Доп.точки доступа: Суханов, В. Л.; Аруев, П. Н.; Дроздова, М. В.; Забродская, Н. В.; Забродский, В. В.; Лазеева, М. С.; Филимонов, В. В.; Шерстнев, Е. В.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
621.371.8 В 779 Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете / В. В. Забродский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 178-181 : ил. - Библиогр.: с. 181 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые фотодиоды -- фотодиоды -- фотоответ -- вакуумный ультрафиолет -- ВУФ -- n-p переходы -- p-n переходы -- длина волны -- мягкое рентгеновское излучение -- МРИ -- экстремальный ультрафиолет -- ЭУФ -- пространственная однородность -- однородность -- облучение Аннотация: Проведено исследование пространственной однородности фотоответа кремниевых фотодиодов на основе p-n- и n-p-переходов через год после облучения на длине волны 121. 6 нм, а также n-p-переходов через четыре года после облучения в области мягкого рентгена. Показано, что исследуемые кремниевые фотодиоды на основе p-n-переходов демонстрируют эффект восстановления фотоответа после облучения на длине волны 121. 6 нм. У кремниевых фотодиодов на основе n-p-структур эффект восстановления фотоответа не был обнаружен. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p178-181.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Аруев, П. Н.; Белик, В. П.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Дроздова, М. В.; Забродская, Н. В.; Лазеева, М. С.; Николенко, А. Д.; Суханов, В. Л.; Филимонов, В. В.; Шерстнев, Е. В.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
535-34/-36 И 910 Источники электромагнитного излучения на основе малоиндуктивного протяженного z-разряда / В. А. Бурцев [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 43-51. - Библиогр.: c. 51 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): источники электромагнитного излучения -- электромагнитное излучение -- малоиндуктивные протяженные z-разряды -- бегущие волны скользящего разряда -- электрический пробой -- плазменные шнуры -- мягкое рентгеновское излучение -- энергия инвертированной среды -- генераторы высоковольтных импульсов -- длинные передающие линии -- скользящие лавинные разряды Аннотация: Проведены и проанализированы результаты экспериментального и численного исследования модельных источников электромагнитного излучения на основе малоиндуктивного протяженного z-разряда, питаемого от генератора высоковольтных импульсов посредством длинной передающей линии. Показано, что применение бегущей волны скользящего разряда позволяет осуществлять электрический пробой длинных промежутков в широком диапазоне изменения начального давления газа и создавать плазменный шнур при умеренных зарядных напряжениях генератора. Обнаружен новый непинчевой природы механизм генерации излучения в мягкой рентгеновской области спектра с большей эффективностью преобразования введенной электрической энергии в энергию инвертированной среды. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p43-51.pdf Доп.точки доступа: Бурцев, В. А.; Забродский, В. В.; Калинин, Н. В.; Большаков, Е. П. |
539.21:537 И 889 Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете / В. В. Забродский [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 8. - С. 23-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотоответы -- фотоны -- вакуумный ультрафиолет -- мультипиксельные счетчики -- гейгеровский пробой -- длина волны -- излучение -- температурные зависимости Аннотация: Исследован фотоответ кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов, работающего в режиме гейгеровского пробоя на длинах волн lambda=115, 121, 128, 160 и 175 nm. Продемонстрирована возможность регистрации излучения в режиме счета фотонов при комнатной температуре на исследованных длинах волн с эффективностью порядка 2%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/08/p23-29.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Аруев, П. Н.; Белик, В. П.; Бер, Б. Я.; Бобашев, С. В.; Петренко, М. В.; Соболев, Н. А.; Филимонов, В. В.; Шварц, М. З.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |
539.21:537 В 641 Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью / В. В. Забродский [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 15. - С. 38-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): УФ-излучение -- коротковолновые излучения -- лазерно-плазменные источники -- газоструйное распыление -- эксиплексные лазеры Аннотация: Описываются эксперименты, целью которых было повышение излучательной способности в дальнем ультрафиолетовом диапазоне лазерно-плазменного источника с Xe газовой мишенью В них основному импульсу инфракрасного Nd: YAG-лазера предшествовал предыонизационный импульс ультрафиолетового KrF эксимерного лазера. Последствия применения предымпульса, его влияние на выход коротковолнового излучения прослеживались вплоть до задержек основного импульса по отношению к предымпульсу порядка 5 mus. Предполагается, что основным механизмом влияния предымпульса на эволюцию плазмы и интенсивность ее излучения являются возбуждаемые им волны плотности в газовой мишени. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/15/p38-44.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Задиранов, Ю. М.; Калмыков, С. Г.; Можаров, А. М.; Петренко, М. В.; Сасин, М. Э.; Сейсян, Р. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |