546 В 191 Васильев, Р. Б. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров [Текст] / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Успехи химии. - 2004. - Т. 73, N 10. - Библиогр.: с. 1036-1038 (114 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): неорганические структуры -- полупроводниковые материалы -- механизм газовой чувствительности -- газовые сенсоры Аннотация: Проанализированы работы по созданию новых неорганических материалов для газовых сенсоров на основе полупроводниковых структур. Обсуждено влияние адсорбированных молекул на электронное состояние, электропроводность поверхности и внутренних границ раздела в полупроводниковых материалах. Механизм газовой чувствительности рассмотрен на примерах структур металл/диэлектрик/полупроводник, полупроводник/диэлектрик/полупроводник, металл/полупроводник и полупроводник/полупроводник. Отмечены особенности поведения гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов на подложках из монокристаллического кремния с диэлектрическим слоем SiO[2]. Описаны сенсорные свойства полупроводниковых структур при детектировании различных молекул. Доп.точки доступа: Рябова, Л. И.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М. |
539.2 В 191 Васильев, Р. Б. ИК-активные колебательные моды коллоидных квантовых точек CdTe, CdSe, наночастиц ядро/оболочка CdTe/CdSe и эффекты взаимодействия [Текст] / Р. Б. Васильев, В. С. Виноградов [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 3. - С. 523-526. - Библиогр.: с. 526 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ИК-активные колебательные моды; квантовые точки; колебательные моды квантовых точек; наночастицы; поперечные фононы; продольные фононы; частоты мод Аннотация: Методами ИК-пропускания и отражения определены частоты колебательных мод квантовых точек CdTe, CdSe и наночастиц ядро/оболочка CdTe/CdSe, синтезированных методом коллоидной химии. Экспериментальный спектр ИК-пропускания нанокристаллов CdTe и CdSe имеет широкий минимум, расположенный между частотами поперечных (TO) и продольных (LO) фононов объемных кристаллов CdTe и CdSe. Частоты мод ансамблей кантовых точек CdTe, CdSe существенно сдвинуты в низкочастотную сторону по сравнению с рассчитанными для изолированных квантовых точек, что объясняется диполь-дипольным взаимодействием между квантовыми точками. Частоты мод структур с наночастицами ядро/оболочка мало отличаются от рассчитанных, что свидетельствует об ослаблении взаимодействия в этих структурах. Это объясняется увеличением в них диэлектрического экранирования. Доп.точки доступа: Виноградов, В. С.; Дорофеев, С. Г.; Козырев, С. П.; Кучеренко, И. В.; Новикова, Н. Н. |
Проводимость ультрадисперсной керамики SnO[2] в сильных электрических полях [Текст] / Р. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 167-169
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ультрадисперсная керамика -- SnO[2] -- проводимость -- электрическое поле -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Проводимость ультрадисперсной керамики SnO[2] со средним размером кристаллита, варьируемым от 3 до 22 нм, исследована методом вольтамперометрии в полях до 2000 В/см при комнатной температуре. Показано, что в полях более 200 В/см вольт-амперные характеристики (ВАХ) являются нелинейными. Анализ экспериментальных данных показал, что характерное расстояние между барьерами, определяющими нелинейность ВАХ, во всех исследованных образцах составляет ~1 мкм. Доп.точки доступа: Васильев, Р. Б.; Румянцева, М. Н.; Рябова, Л. И.; Гаськов, А. М. |
Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния [Текст] / С. Г. Дорофеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1460-1467 : ил. - Библиогр.: с. 1466-1467 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- наночастицы -- кремний -- нанокристаллический кремний -- nc-Si -- коллоидные растворы -- золя -- структурные свойства -- оптические свойства -- осаждение -- размерно-селективное осаждение -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- поглощения -- спектры поглощения -- рассеяние -- комбинационное рассеяние -- спектры комбинационного рассеяния -- порошки -- травление Аннотация: Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны Eg в пленках увеличивается от 1. 8 до 2. 2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц. Доп.точки доступа: Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Ищенко, А. А.; Васильев, Р. Б.; Гольдшрах, М. А.; Зайцева, К. В.; Колташев, В. В.; Плотниченко, В. Г.; Тихоневич, О. В. |
538.9 Э 455 Электролюминесценция квантовых точек CdSe/CdS и перенос энергии экситонного возбуждения в органическом светоизлучающем диоде / А. А. Ващенко [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 2. - С. 118-122
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многослойные наноструктуры -- наноструктуры -- квантовые точки -- электролюминесценция -- энергия экситонного возбуждения Аннотация: Разработан светоизлучающий диод на основе многослойных наноструктур, в котором роль эмиттеров выполняют полупроводниковые коллоидные квантовые точки CdSe/CdS. Получены их спектры поглощения, фото- и электролюминесценции. Продемонстрировано сильное влияние размерного эффекта и плотности расположения частиц в слое на спектральные и электрофизические характеристики диода. Результаты работы демонстрируют возможность эффективного управления спектральными характеристиками и скоростями электронных процессов в светоизлучающих устройствах, созданных на основе внедренных в органическую матрицу квантовых точек. Доп.точки доступа: Ващенко, А. А.; Лебедев, В. С.; Витухновский, А. Г.; Васильев, Р. Б.; Саматов, И. Г. |
535 К 689 Корреляция межфотонных интервалов мерцающей люминесценции одиночных нанокристаллов CdSe/CdS / А. Г. Витухновский [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 1. - С. 18-21
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- полупроводниковые нанокристаллы -- люминесценция -- время регистрации отдельных фотонов -- фотоны -- межфотонные интервалы Аннотация: В работе экспериментально зарегистрированы последовательности абсолютных времен регистрации отдельных фотонов люминесценции одиночного полупроводникового нанокристалла ядро/оболочка CdSe/CdS при непрерывном лазерном возбуждении при комнатной температуре. Показано, что коэффициент корреляции интервалов времени между последовательными актами регистрации фотонов отличен от нуля. При этом такое поведение корреляции сохраняется для межфотонных интервалов, отделенных друг от друга двумя и более актами регистрации фотонов, до тех пор пока среднее время между интервалами не составит порядка 180 мс, что соответствует последовательности из примерно 10\{3\} фотонов. Проведено моделирование, и сделан вывод о том, что происхождение этой корреляции связано с мерцающим характером люминесценции квантовых точек. Доп.точки доступа: Витухновский, А. Г.; Переверзев, А. Ю.; Федянин, В. В.; Амброзевич, С. А.; Васильев, Р. Б.; Дирин, Д. Н. |
539.2 Ф 815 Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO[2], сенсибилизированного нанокристаллами CdSe / К. А. Дроздов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 360-363 : ил. - Библиогр.: с. 363 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- композитные структуры -- нанокристаллы -- коллоидные квантовые точки -- квантовые точки -- сенсибилизация -- спектральные зависимости -- носители заряда -- пористые нанокристаллы -- зарядоперенос -- матрицы -- селенид кадмия Аннотация: Внедрение в пористую матрицу SnO[2] нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77-300 K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2. 7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена. Introduction of CdSe nanocrystals (colloidal quantum dots) into a porous SnO[2] matrix results in appearance of photoconductivity in the resulting structures. Photosensitization arises from the charge transfer between the quantum dot and the matrix. Photoconductivity spectra show that CdSe nanocrystals are responsible for the optical activity of resulting composite systems. Photoconductivity of the structures, photosensitized with CdSe quantum dots of different size, was measured in the temperature interval 77-300K. It is shown, that highest photoconductivity is achieved for structures with CdSe nanocrustals of smallest size (2. 7 nm). Possible mechanisms of charge transport in matrix and kinetics of charge transfer are discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p360-363.pdf Доп.точки доступа: Дроздов, К. А.; Кочнев, В. И.; Добровольский, А. А.; Васильев, Р. Б.; Бабынина, А. В.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
539.21:537 М 550 Механизм передачи электронного возбуждения в органических светоизлучающих устройствах на основе полупроводниковых квантовых точек / А. Г. Витухновский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 962-969 : ил. - Библиогр.: с. 968-969 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): органические светоизлучающие устройства -- электронное возбуждение -- полупроводники -- экспериментальные исследования -- органические светодиоды -- люминесцентные структуры -- квантовые частицы -- диаметры -- толщины -- эффективность -- концентрационные зависимости -- органические матрицы -- оптимизация параметров Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования образцов органических светодиодов с люминесцентными слоями, изготовленными на основе двух типов полупроводниковых квантовых точек CdSe/CdS, со средним диаметром ядра CdSe 3, 5 нм и характерной толщиной оболочки CdS 0. 5 нм. Определены зависимости эффективности светодиодов от концентрации квантовых точек. По экспериментальным данным был определен механизм передачи электронного возбуждения от органической матрицы к полупроводниковым квантовым точкам, и на основании этого высказаны предложения о способах оптимизации конструкции светодиодов для повышения их эффективности. The results of experimental research of organic light emitting diodes with semiconducting CdSe/CdS quantum dot layers are demonstrated. The quantum dots used had average core size of 3, 5 nm with the shell size of 0. 5 nm. The dependence of efficiency of light-emitting diodes on quantum dot concentration was identified. Based on the experimental data, the mechanism of electronic excitation transfer from organic matrix to quantum dots was revealed. This allowed us to suggest the way to optimize light-emitting diode structures in order to increase diode efficiency. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p962-969.pdf Доп.точки доступа: Витухновский, А. Г.; Ващенко, А. А.; Лебедев, В. С.; Васильев, Р. Б.; Брунков, П. Н.; Бычковский, Д. Н. |
539.2 Х 200 Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции / А. В. Кацаба [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1339-1343 : ил. - Библиогр.: с. 1343 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурные зависимости -- люминесценция -- спектры люминесценции -- полупроводниковые нанокристаллы -- нанокристаллы -- методы коллоидной химии -- коллоидная химия -- селенид кадмия -- CdSe -- термостимулированная люминесценция -- ТСЛ -- дефектные состояния -- дефекты -- энергия активации -- ловушки -- электроны Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектров люминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdSe диаметром 5 нм, синтезированных методами коллоидной химии. Обнаружены две полосы люминесценции в области 2. 01 и 1. 37 эВ, отвечающие межзонным переходам и люминесценции центров, связанных с дефектными состояниями. Построена модель, объясняющая температурную зависимость обеих полос люминесценции как при охлаждении, так и при нагреве. Предложен метод спектрально разрешенной термостимулированной люминесценции, позволяющий определить характер и энергии активации ловушек, определяющих температурное поведение интенсивностей люминесценции. С помощью этого метода получены величины энергий активации процессов эмиссии и захвата электронов в ловушки (190 и 205 мэВ соответственно), а также найдена глубина электронного уровня (57 мэВ), отвечающего за люминесценцию в области 1. 37 эВ. In the present work we have studied CdSe nanocrystals with average size of 5 nm synthetized by methods of colloidal chemistry. Temperature dependencies of luminescence spectra have been investigated. We have observed two luminescence bands at 2. 01 and 1. 37 eV, corresponding to interband transitions and luminescence of centers associated with defect states. A model successfully describing temperature behavior for both cooling and heating has been developed. We have proposed a new method of spectrally resolved thermostimulated luminescence. The method provides a possibility to determine the origin and activation energies of traps, responsible for temperature behavior of luminescence intensity of each band observed during heating. Activation energies for electron emission and trapping processes (190 and 205meV, respectively) have been calculated with the use of the method. Depth of the electron level responsible for luminescence at 1. 37 eV has been found to be 57meV. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1339-1343.pdf Доп.точки доступа: Кацаба, А. В.; Федянин, В. В.; Амброзевич, С. А.; Витухновский, А. Г.; Лобанов, А. Н.; Селюков, А. С.; Васильев, Р. Б.; Саматов, И. Г.; Брунков, П. Н.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
543.62 В 586 Влияние гетеровалентного замещения на электрические и оптические свойства тонких пленок ZNO(M) (M = GA, IN) / Н. А. Воробьева [и др.]. // Журнал неорганической химии. - 2014. - Т. 59, № 5. - С. 567-576 : рис. - Библиогр.: с. 576 (17 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- фазовый состав -- подложка -- отжиг Аннотация: Методом накапывания на вращающуюся подложку с последующим отжигом при 500°C получены пленки недопированного ZnO, а также оксида цинка, допированного галлием и индием, – ZnO (Ga) и ZnO (In). Исследованы зависимости фазового состава, микроструктуры, проводимости, оптических свойств пленок от содержания в них галлия и индия. Доп.точки доступа: Воробьева, Н. А.; Румянцева, Н. Н.; Васильев, Р. Б.; Козловский, В. Ф.; Сошникова, Ю. М.; Филатова, Д. Г.; Баранчиков, А. Е.; Иванов, В. К.; Гаськов, А. М.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет |
543.62 С 593 Соколикова, М. С. Синтез квазидвумерных коллоидных наночастиц селенида кадмия и формирование сульфидного монослоя на их поверхности / М. С. Соколикова, Р. Б. Васильев, А. М. Гаськов // Журнал неорганической химии. - 2014. - Т. 59, № 5. - С. 577-582 : рис. - Библиогр.: с. 582 (18 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): коллоидные нанопластинки -- оптические свойства -- олеиновая кислота -- растворный синтез Аннотация: Проведен растворный синтез квазидвумерных наночастиц (нанопластинок) CdSe с использованием олеиновой кислоты в качестве стабилизатора. Доп.точки доступа: Васильев, Р. Б.; Гаськов, А. М.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Факультет наук о материалах; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Факультет наук о материалахМосковский государственный университет им. М. В. Ломоносова. Химический факультет |
539.2 В 586 Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In[2]O[3] / К. А. Дроздов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 467-470 : ил. - Библиогр.: с. 470 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): легирование оловом -- коллоидные нанокристаллы -- нанокристаллы -- энергетические спектры -- полупроводниковые оксиды -- индий -- олово -- цинк -- спектральные зависимости -- плазмонные резонансы -- поверхностные плазмонные резонансы -- температурные зависимости -- свободные носители заряда -- фотопроводимость Аннотация: Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Вид полученных спектральных зависимостей поглощения и пропускания в инфракрасной области характерен для локального поверхностного плазмонного резонанса. Согласно оценкам, концентрация свободных носителей заряда в In[2]O[3] (Sn) достигает 10{19} см{-3}. Температурные зависимости фотопроводимости в диапазоне 77-300 K для наноструктурированных пленок на основе нанокристаллов In[2]O[3] (Sn) указывают на прыжковый механизм проводимости. Обсуждаются механизмы, ответственные за появление эффекта. Introduction of Sn impurity into colloidal In[2]O[3] nanocrystals results in a blue shift of absorption edge in visible spectral range and appearance of significant absortion in infrared spectral range. The view of absorption and transmittance curves in infrared spectral range is inherent to the local plasmon resonance. Estimated value of free carries concentration in In[2]O[3] (Sn) reaches 10{19} cm{-3}. Temperature dependencies of photoconductivity of nanostructured In[2]O[3] (Sn) films prove, that hopping is the main mechanism of charge transport in the temperature interval from 77 to 300K. Possible mechanisms responsible for mentioned above effects are regarded. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p467-470.pdf Доп.точки доступа: Дроздов, К. А.; Крылов, И. В.; Ирхина, А. А.; Васильев, Р. Б.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |
538.9 О-644 Органический светоизлучающий диод на основе плоского слоя полупроводниковых нанопластинок CdSe в качестве эмиттера / А. А. Ващенко [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 100, вып. 2. - С. 94-98
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- нанопластинки -- CdSe -- светоизлучающие диоды -- органические материалы -- TAZ -- TPD Аннотация: Проведен синтез полупроводниковых коллоидных нанопластинок CdSe с характерным продольным размером 20-70 нм и толщиной в несколько атомных слоев. Исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции таких квазидвумерных наноструктур (квантовых ям) при комнатных и криогенных температурах. С использованием органических материалов TAZ и TPD, составляющих, соответственно, электронный и дырочный транспортные слои, разработан гибридный светоизлучающий диод, который функционирует на основе синтезированных в работе однокомпонентных нанопластинок в качестве плоского активного "излучающего" элемента (эмиттера). Получены спектральные и электрофизические характеристики созданного устройства с длиной волны излучения 515 нм. Использование подобного типа квазидвумерных наноструктур (нанопластинок) является перспективным для создания гибридных светодиодов с чистым цветом. Доп.точки доступа: Ващенко, А. А.; Витухновский, А. Г.; Лебедев, В. С.; Селюков, А. С.; Васильев, Р. Б.; Соколикова, М. С.; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Физический институт им. Лебедева РАН; Московский физико-технический институт (государственный университет); Физический институт им. Лебедева РАН; Московский государственный университет им. ЛомоносоваМосковский государственный университет им. Ломоносова |