53 И 390 Израилева, Л. К. О возможной неустойчивости отжига дефектов [Текст] / Л. К. Израилева, авт. Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 79-80 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): облучение кристалла -- точечные дефекты -- отжиг дефектов -- рекомбинация точечных дефектов Аннотация: Исследуется рекомбинация созданных облучением точечных дефектов при учете механических напряжений сигма. Получено значение критической плотности дефектов N[c], показано, что при N > N[c] процесс начинает ускоряться. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |
Израилева, Л. К. Влияние деформаций на поведение системы дефектов в кристалле при облучении и отжиге [Текст] / Л. К. Израилева, Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 27-28
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг дефектов -- сжимающие напряжения -- имплантированные атомы -- ионная имплантация Аннотация: Теоретически исследован отжиг дефектов в условиях сжимающих напряжений - ? [0] \<\ 0, созданных имплантированными атомами с плотностью N. Показано, что отжиг ускоряется при N, превышающих критическое значение N[c]. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |