Влияние облучения ионами на остаточные напряжения в алмазоподобных пленках [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 80-83. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): внутренние остаточные напряжения -- алмазоподобные пленки -- тонкие пленки -- потенциал смещения подложки -- морфология поверхности пленки Аннотация: Рассмотрена зависимость внутренних остаточных напряжений в тонких алмазоподобных пленках, выращенных методом PECVD, от наиболее важных параметров выращивания, таких как мощность возбуждающего ВЧ-разряда и потенциал смещения подложки. Результат показал, что механические напряжения в пленках достигают наивысшей величины 1. 9 ГПа при наименьших из использованных значений мощности и потенциала. Напряжение уменьшается с увеличением обоих параметров и мало зависит от толщины пленки в диапазоне от 0. 1 до 1 мкм. Облучение полученных пленок ионами аргона с энергией 300 кэВ и фосфора с энергией 200 кэВ привело к уменьшению величины сжимающего напряжения с ростом дозы ионов вплоть до его инверсии. AFM-исследование облученных пленок выявило заметные изменения морфологии их поверхности. Доп.точки доступа: Карасев, П. А.; Подсвиров, О. А.; Виноградов, А. Я.; Азаров, А. Ю.; Карасев, Н. Н.; Смирнов, А. С.; Титов, А. И.; Коркин, И. В.; Поплевкин, С. В. |