539.17 А 655 Андреев, А. В. К возможности получения инверсии населенностей между ядерными уровнями [Текст] / А. В. Андреев, Р. А. Чалых // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 1. - Библиогр: с. 38 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): инверсия населенностей -- ядро Ge{73} -- селекция ядер -- электронная конверсия Аннотация: Рассмотрена возможная схема получения инверсии населенностей между первым возбужденным и основным состоянием ядра Ge{73}, основанная на селекции ядер в первом вобужденном состоянии. Проведено моделирование динамики инверсии в этой схеме и проанализировано влияние параметров системы на инверсии населенностей. Доп.точки доступа: Чалых, Р. А. |
539.2 К 636 Комолов, А. С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейca пленок олиго (фенилен-винилена) с поверхностью Ge (111 [Текст] / А. С. Комолов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 116-117 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): интерфейсы -- незаполненные электронные состояния -- олигомеры фенилен-винилена -- тонкие пленки Аннотация: Тонкие пленки три-олиго (фенилен-винилена) , замещенного ди-бутил-тиолом (tOPV) , были нанесены на Ge (111) и подложку в условиях высокого вакуума. Потенциал поверхности и структура незаполненных электронных состояний (DOUS) в интервале энергий 5-20 eV выше уровня Ферми (E[F]) измерялись в процессе нанесения пленок посредством пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS) . Электронная работа выхода поверхности изменялась в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4. 3+ 0. 1 eV при толщине tOPV пленок 8-10 nm. Нанесению tOPV пленок до 3 nm соотвествовало появление промежуточной DOUS, а при дальнейшем нанесении пленок до 8-10 nm следовало изменение DOUS. Наличие промежуточной DOUS связывается с существенным изменением электронной структуры tOPV вследствие взаимодействия с поверхностью Ge (111) . Анализ TCS данных позволил определить зоны незаполненных состояний в tOPV: 5. 5-6. 5 и 7. 5-9. 5 eV выше E[F] как pi*-зоны и 11-14 и 16-19 eV выше E[F] как sigma*-зоны. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-113.html.ru |
Орлов, Л. К. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Si[1-x]Ge[x]/Si в условиях нестационарного процесса [Текст] / Л. К. Орлов, С. В. Ивин, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 57 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидридная эпитаксия -- массоперенос -- твердые растворы -- численное моделирование -- кинетика роста слоев -- силан -- герман -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероструктуры Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si[1-x]Ge[x] как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10{-3}Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста T[gr]<600C может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры Доп.точки доступа: Ивин, С.В.; Потапов, А.В.; Ивина, Н.Л. |
539.4.015 А 149 Абзаев, Ю. А. Анализ подобия междислокационных взаимодействий в монокристаллах Ni[3]Ge [Текст] / Ю. А. Абзаев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.52-53 (9 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): взаимодействие дислокаций -- деформация -- дислокации -- дислокационные субструктуры -- электронная микроскопия Аннотация: Методами дифракционной электронной микроскопии и механических испытаний проведено исследование эволюции дислокационной структуры с деформацией монокристаллов Ni[3]Ge различных ориентаций оси деформации при разных температурах испытания. Выявлено, что дислокационные субструктуры относятся к хаотическому типу. Установлена линейная зависимость между сдвиговым напряжением tau и плотностью дислокаций ro{0,5}. Проведен анализ подобия междислокационных взаимодействий в Ni[3]Ge в интервалах температур с развитым октаэдрическим скольжением, а также кубическим, т.е. до температуры пика аномалии и выше соответственно. Установлено, что в условиях октаэдрического скольжения междислокационные взаимодействия вплоть до деформаций разрушения подобны при разных исследуемых температурах. Подобие наблюдается также в температурном интервале с развитым кубическим скольжением Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics |
539.4.015 А 149 Абзаев, Ю. А. (???? 1). Эволюция распределения дислокаций при деформации в монокристаллах Ni[3]Ge [Текст] / Ю. А. Абзаев // Известия вузов. Физика. - 2003. - N5. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): деформация монокристаллов -- деформация сплавов -- распределение дислокаций Аннотация: Исследована эволюция распределения дислокаций при деформации в монокристаллах Ni[3]Ge. Установлено, что дислокационный ансамбль в Ni[3]Ge относится к хаотическому и однородному типу. При доминирующем контактном торможении дислокаций обнаруживается линейная зависимость расстояния между дислокациями от длины сегментов дислокаций между стопорами произвольного типа. Для функции плотности распределения доли подвижных сегментов дислокаций получено уравнение, решением которого является нормальный закон распределения. Данное решение может быть распространено также на параметры, которые являются функцией плотности дислокаций, или расстояния между дислокациями. Экспериментально установленные гистограммы расстояний между дислокациями и стопорами произвольного типа с высоким уровнем значимости подчинены логарифмически нормальному закону при всех исследуемых степенях деформации Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
539.2 А 149 Абзаев, Ю. А. Анализ распределения напряжений в среде скольжения при деформации монокристаллов Ni[3]Ge [Текст] / Ю. А. Абзаев, В. А. Старенченко // Прикладная механика и техническая физика. - 2003. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.145 (27 назв.) . - ISSN 0869-5032
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): деформация -- монокристаллы -- напряжение -- сдвиговая деформация -- сдвиговые напряжения -- скопление дислокаций -- графики -- таблицы Аннотация: Исследовано распределение сдвиговых напряжений вследствие формоизменения монокристаллов Ni[3]Ge при сжатии. Проведен анализ эволюции дислокационной структуры в процессе деформации монокристаллов Ni[3]Ge различной ориентации. Установлено, что вплодь до деформаций разрушения дислокационная структура характеризуется однородным распределением дислокаций. Независимо от ориентации оси деформации при всех исследуемых температурах испытания, за исключением Т = 77 К, имеет место линейная зависимость т = f(р{0.5}). Отклонение от линейной зависимости при Т = 77 К обусловлено подавленным термоактивированным скольжением дислокаций во фрагментах с неоднородной деформацией на краю образцов Доп.точки доступа: Старенченко, В.А. |
539.2 К 129 Каган, М. С. Стимулированное излучение терагерцового диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si [Текст] / М. С. Каган, И. В. Алтухов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N9. - Библиогр.:с.1144 (39 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): когерентные источники излучения -- лазер на резонансных состояниях -- полупроводниковые структуры -- терагерцовый диапазон частот Аннотация: Рассмотрены природа и свойства стимулированного терагерцового излучения одноосно сжатого германия и напряженных структур SiGe/Si, легированных мелкими акцепторами. Это излучение объяснено стимулированными оптическими переходами между резонансным и локализованным состояниями акцепторов. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Алтухов, И.В.; Синис, В.П.; Чиркова, Е.Г.; Яссиевич, И.Н.; Колодзей Д, ж. |
669 К 653 Коныгин, Г. Н. Сверхтонкие магнитные поля и магнитные моменты в ОЦК-разупорядоченных нанокристаллических сплавах Fe[100-x]Ge[x] (х = 5-32 [Текст] / Г. Н. Коныгин, Е. П. Елсуков, В. Е. Порсев // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N3. - Библиогр.:с.65-66 (26 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): ОЦК-сплавы -- германий -- железо -- магнитные измерения -- магнитные поля -- мессбауэровская спектроскопия -- нанокристаллы -- рентгеновская дифракция -- сплавы Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, мессбауровской спектроскопии и магнитных измерений исследованы полученные механическим сплавлением в шаровой планетарной мельнице ОЦК-разупорядоченные нанокристаллические однофазные сплавы. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Елсуков, Е.П.; Порсев, В.Е. |
669 Е 552 Елсуков, Е. П. Структурно-фазовые превращения при механическом сплавлении системы Fe(50)Ge(50 [Текст] / Е. П. Елсуков, Г. А. Дорофеев, А. Л. Ульянов, А. В. Загайнов // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.95,N5. - Библиогр.:с.95 (16 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): германий -- графики -- железо -- механическое сплавление -- рентгеновская дифракция -- структурно-фазовые превращения -- твердофазные реакции -- термомагнитные измерения Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, мессбауэровской спектроскопии и термомагнитных измерений изучены твердофазные реакции при механическом сплавлении порошков железа и германия в атомном соотношении 50:50. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Дорофеев, Г.А.; Ульянов, А.Л.; Загайнов, А.В. |
669.017 Н 178 Надточий, В. А. Микропластичность монокристаллов Ge при воздействии лазерного облучения и деформации сжатия [Текст] / В. А. Надточий, В. П. Алехин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): микропластичность -- монокристаллы -- гелий -- лазерное облучение -- облучение -- деформация сжатия -- сжатие -- дислокационная структура -- дефектообразование -- исследования Аннотация: Исследована дислокационная структура на поверхности Ge после воздействия лазерного импульса. Доп.точки доступа: Алехин, В. П. |
621.382 Б 591 Бибилашвили, А. П. Исследование контактов сплава Ni-Ge на GaAs [Текст] / А. П. Бибилашвили, А. Б. Герасимов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): сплавы -- гелий -- омические контакты -- подложки -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- микросхемы -- потенциальные барьеры -- исследования Аннотация: Исследованы процессы формирования контактов на основе барьера Шоттки и омических контактов при фотонной обработке сплавов Ni-Ge с различным содержанием Ge. Продемонстрирована возможность получения контакта барьера Шоттки и омического контакта в едином технологическом цикле на одной подложке. Доп.точки доступа: Герасимов, А. Б.; Самадашвили, З. Д.; Кванталиани, И. О.; Казаров, Р. Э. |
004.382.7 М 865 Мочар, Василий. Новые модели ИБП переменного тока [Текст] : Обзор новых моделей июня-ноября 2003 г. / В. Мочар, Л. Сальников // PC Magazine. - 2004. - N 1 . - ISSN 0869-4257
Рубрики: Вычислительная техника--Персональные компьютеры Кл.слова (ненормированные): 2003 г. 2-я пол. -- источники бесперебойного питания -- бесперебойное питание -- ИБП -- интерактивные ИБП -- резервные ИБП -- постояннодействующие ИБП Аннотация: Модели западных производителей, анонсированные на росссийском рынке. Перейти: http://pcmagazine.ru/?ID=312165 Доп.точки доступа: Сальников, Леонид; "APC", компания"GE Digital Energy", компания; "Invensys Powerware", компания; "Ippon", компания; "Liebert-Hiross", компания; "MGE", компания; "Mandex Trading", компания; "NeWave", компания; "Powercom", компания; "PowerMan", компания; "Riello", компания |
539.2 Б 948 Буш, А. А. Трансформация диэлектрических свойств и возникновение релаксаторного поведения в кристаллах Pb[5] (Ge[1-x]Si[x]) [3]O[11] [Текст] / А. А. Буш, К. Е. Каменцев, Р. Ф. Мамин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 1. - Библиогр.: с. 169-170 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- релаксаторное поведение -- диэлектрические свойства -- сегнетоэлектрические кристаллы -- твердые растворы Аннотация: Исследованы особенности диэлектрических свойств и проводимости сегнетоэлектрических кристаллов твердых растворов Pb[5] (Ge[1-x]Si[x]) [3]O[11]. Доп.точки доступа: Каменцев, К. Е.; Мамин, Р. Ф. |
530.1 Я 453 Якимов, А. И. Прыжковая проводимость и кулоновские корреляции в двумерных массивах квантовых точек Ge/Si [Текст] / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 4. - Библиогр.: с. 826 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): прыжковая проводимость -- кулоновские корреляции -- двумерные массивы -- квантовые точки Ge/Si -- проводимость Аннотация: Экспериментально исследованы температурная и магнитополевая зависимости проводимости, обусловленной прыжковым транспортом дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge/Si (001) с различным фактором заполнения точек дырками. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Миньков, Г. М.; Шерстобитов, А. А.; Никифоров, А. И.; Блошкин, А. А. |
539.2 Г 95 Гурин, В. Н. Кристаллизация систем Al-Si, Al-Ge, Al-Si-Ge при центрифугировании [] / В. Н. Гурин, С. П. Никаноров [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 3. - С. 56-62. - Библиогр.: c. 62 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кристаллизация; сплавы; центрифугирование Аннотация: Представлены результаты исследования процессов кристаллизации при центрифугировании систем Al-Si, Al-Ge и Al-Si-Ge. Из них система Al-Si наименее подвержена седиментации, в то время как в системах Al-Ge и Al-Si-Ge седиментация приводит к значительному изменению структуры сплавов внизу образца по сравнению с его верхом. Как правило, для определенных концентраций низ образцов содержит больше кристаллов и они значительно массивнее, чем вверху. В системе Al-Si-Ge соотношение Si : Ge по сравнению с исходным (1: 1) при изменении концентрации (Si + Ge) в результате центрифугирования увеличивается в 2-12 раз; оно изменяется также при перемещении по поверхности кристаллов от одного их края к другому (в отличие от нецентрифугируемых образцов, у которых при таком перемещении соотношение остается постоянным) ; все кристаллы в этой системе покрываются Ge. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/03/page-56.html.ru Доп.точки доступа: Никаноров, С. П.; Волков, М. П.; Деркаченко, Л. И.; Попова, Т. Б.; Коркин, И. В.; Вилкокс, Б. Р.; Регель, Л. Л. |
539.2 В 15 Валеев, Р. Г. Методика определения вклада аморфной фазы в нанокомпозитные пленки полупроводников по данным EXAFS-спектроскопии на примере Ge и GaAs [] / Р. Г. Валеев, А. Н. Деев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2005. - Т. 71, N 1. - С. 44-46. - Библиогр.: с. 46 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Энергетика--Электротехнические материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): EXAFS-спектры; аморфные составляющие; кристаллические составляющие; нанокомпозиты; негомогенные полупроводники; пленки полупроводников; полупроводники; спектроскопия Аннотация: Предложен метод определения долей аморфной и кристаллической составляющих в кластерах. Этот метод основан на выделении вкладов соответствующих составляющих в EXAFS-спектры для материалов в различном структурном состоянии. Доп.точки доступа: Деев, А. Н. |
539.31.6 А 14 Абзаев, Ю. А. Анализ термоактивированного формирования и разрушения барьеров Кира-Вильсдорфа в монокристаллах Ni[3]Ge различных ориентаций [] / Ю. А. Абзаев, В. А. Старенченко, Э. В. Козлов // Прикладная механика и техническая физика. - 2005. - Т. 46, N 1. - С. 116-125. - Библиогр.: с. 124-125 (13 назв. ) . - ISSN 0869-5032
Рубрики: Техника--Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): барьеры Кира-Вильсдорфа; монокристаллы; никель; германий; термическое упрочнение; термоактивные процессы; текучесть; антифазные границы; винтовые дислокации; температурные зависимости Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование ориентационной зависимости предела текучести монокристаллов Ni[3]Ge. Показано, что положительная температурная зависимость предела текучести в низкотемпературной области связывается с формированием барьеров Кира-Вильсдорфа. Доп.точки доступа: Старенченко, В. А.; Козлов, Э. В. |
541.1 Д 33 Денисов, Е. Т. Оценка энергий диссоциации связей по кинетическим характеристикам радикальных жидкофазных реакций [] / Е. Т. Денисов, В. Е. Туманов // Успехи химии. - 2005. - Т. 74, N 9. - С. 905-938. - Библиогр.: с. 937-938 (78 назв. ) . - ISSN 0042-1308
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): энергии диссоциации связей; связи O-O; связи C-H; связи N-H; связи Si-H; связи O-H; связи S-H; связи Si-H; связи Ge-H; связи Sn-H; связи Se-H; связи P-H; связи C-Hal; химическое равновесие; гомолитический распад молекул; кинетика гомолитического распада; линейные корреляции; параболическая модель; радикальные реакции; спирты; кислоты; гипероксиды; гидроксиламины; фенолы; амины; тиолы; жидкофазные радикальные реакции Аннотация: Описаны три метода, используемые в кинетике жидкофазных радикальных реакций для оценки энергий диссоциации индивидуальных связей в многоатомных молекулах. Первый из них основан на изучении равновесия в радикальных реакциях отрыва с участием стабильных радикалов и измерении константы равновесия. Основу второго метода составляет исследование кинетики гомолитического распада молекул. Измерение энергии активации такой реакции позволяет оценить энергию диссоциации наиболее слабой связи, например связи O-O в пероксидах разного строения. Суть третьего метода, созданного в рамках модели пересекающихся парабол, заключается в расчете энергии диссоциации связи по энергии активации радикальной реакции с участием рассматриваемых молекул. Обсуждены границы и специфика применения каждого метода и приведены энергии диссоциации связей, полученные с их помощью. Доп.точки доступа: Туманов, В. Е. |
669 С 77 Старенченко, В. А. Аномальный скачок напряжений при вариации скорости деформации монокристаллов сплава Ni[3]Ge со сверхструктурой Li[2] в условиях кубического скольжения [] / В. А. Старенченко, Ю. В. Соловьева, М. В. Геттингер, Т. А. Ковалевская // Физика металлов и металловедение. - 2005. - Т. 100, N 4. - С. 78-84. - Библиогр.: с. 84 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): монокристаллы; сплавы; Ni[3]Ge; кубическое скольжение; деформации; напряжения; сверхструктуры; Li[2] Аннотация: В работе приведены результаты экспериментов по вариации скорости пластической деформации для сплава Ni[3]Ge со сверхструктурой L1[2], обладающего аномальной температурной зависимостью механических свойств. Доп.точки доступа: Соловьева, Ю. В.; Геттингер, М. В.; Ковалевская, Т. А. |
539.2 В 78 Востоков, Н. В. Влияние предосаждения Si (1-x) Ge (x) слоя на рост SiGe/Si (001) самоформирующихся островков [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 29-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий; гетеропара; кремний; наноостровки; нанофотоника; плотность; поверхностная плотность; предосаждение; самоформирующиеся наноостровки Аннотация: Исследован рост Ge (Si) самоформирующихся островков на напряженном Si (1-x) Ge (x) слое. Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si (1-x) Ge (x) слое. Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Stoffel, M.; Denker, U.; Schmidt, O.; Горбенко, О. М.; Сошников, И. П. |