669.017
Н 178


    Надточий, В. А.
    Микропластичность монокристаллов Ge при воздействии лазерного облучения и деформации сжатия [Текст] / В. А. Надточий, В. П. Алехин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 34.2
Рубрики: Машиностроение--Металловедение
Кл.слова (ненормированные):
микропластичность -- монокристаллы -- гелий -- лазерное облучение -- облучение -- деформация сжатия -- сжатие -- дислокационная структура -- дефектообразование -- исследования
Аннотация: Исследована дислокационная структура на поверхности Ge после воздействия лазерного импульса.


Доп.точки доступа:
Алехин, В. П.


669.017
Н 17


    Надточий, В. А.
    Анизотропия микропластичности германия [] / В. А. Надточий, В. П. Алехин, Н. С. Киселев // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - N 1. - С. 90-93 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 34.2
Рубрики: Машиностроение--Металловедение
Кл.слова (ненормированные):
германий; микропластичность германия; анизотропия микропластичности германия; микропластическая деформация; сжатие кристаллов германия; анизотропия микротвердости; монокристаллический германий
Аннотация: Исследованы особенности кривых деформации монокристаллического Ge различной ориентировки относительно направления сжатия.


Доп.точки доступа:
Алехин, В. П.; Киселев, Н. С.




    Москаль, Д. С.
    Анализ рельефа поверхности GaAs, сформированного воздействием дифракционно-модулированного лазерного излучения [Текст] / Д. С. Москаль, В. А. Надточий, Н. Н. Голоденко // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 89 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- дифракционно-модулированные лазерные излучения -- дифракционные маски -- кластерообразование -- точечные дефекты
Аннотация: Исследован рельеф поверхности GaAs, облученной лазером через дифракционные маски разного профиля. Плотность падающей энергии луча не превышала порогового значения. Под действием дифракционно-модулированного лазерного излучения в поверхностном слое кристалла формируются кластеры из точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов. С помощью теоретических расчетов установлено, что кластерообразование в поверхностном слое происходит в результате перераспределения точечных дефектов в периодическом поле термоупругих напряжений.


Доп.точки доступа:
Надточий, В. А.; Голоденко, Н. Н.