Спиновая инжекция током из зонда в ферромагнитную пленку [Текст] / Ю. В. Гуляев [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2010. - Т. 55, N 6. - С. 715-719. - Библиогр.: с. 719 (12 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные пленки -- поляризация -- спиновые подзоны -- спиновая инжекция Аннотация: Вычислено распределение спиновой поляризации электронов проводимости в условиях спиновой инжекции из зонда в ферромагнитную пленку при протекании тока. Показано, что основными параметрами, определяющими отклонение спиновой поляризации от равновесия, являются плотность тока и спиновая поляризация материала зонда, тогда как соотношение между диаметром зонда и длиной спиновой диффузии в определенных пределах слабо влияет на результат. Показана возможность достижения инверсии заселенности спиновых подзон на расстояниях порядка длины спиновой диффузии от границы между зондом и пленкой. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю. В.; Зильберман, П. Е.; Панас, А. И.; Чигарев, С. Г.; Эпштейн, Э. М. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Кухарев, А. В. Эффективность инжекции носителей заряда с определенным спином в ферромагнетик [Текст] / А. В. Кухарев, А. Л. Данилюк, В. Е. Борисенко // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 9. - С. 80-84. - Библиогр.: c. 84 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): ферромагнетики -- инжекция носителей заряда -- трехслойные структуры -- спиновая инжекция -- эффективность инжекции -- спиновая диффузия -- относительная спиновая поляризация проводимости Аннотация: Проведен анализ эффективности инжекции носителей заряда с определенным спином в ферромагнитный материал в трехслойной структуре ферромагнетик/ (немагнитный металл) /ферромагнетик с учетом вклада немагнитного слоя. Показано, что в структуре Co/Cu/Fe эффективность спиновой инжекции в несколько раз выше, чем в симметричной структуре Co/Cu/Co. Установлены оптимальные условия инжекции носителей заряда с определенным спином в зависимости от параметров используемых материалов. Доп.точки доступа: Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е. |
535.376 И 889 Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co) /GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой [Текст] / М. В. Дорохин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 180-183. - Библиогр.: c. 183 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Теоретические основы радиотехники Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры -- ферромагнитный контакт Шоттки -- Шоттки ферромагнитный контакт -- спиновая инжекция -- квантовая яма -- циркулярная поляризация -- магнитное поле Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs c ферромагнитным контактом Шоттки Ni (Co) /GaAs. Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Зайцев, С. В.; Байдусь, Н. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Звонков, Б. Н.; Кулаковский, В. Д.; Ускова, Е. А. |