539.2 С 302 Семенов, А. П. Тонкие пленки углерода. II. Строение и свойства [Текст] / А. П. Семенов, А. Ф. Белянин [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 104 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- выращивание пленок -- ионные пучки -- распыление -- рентгенофазовый анализ -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- тонкие пленки -- углерод -- электронные пучки Аннотация: Исследованы процессы выращивания тонких пленок углерода различных структурных модификаций распылением графита ионным пучком и воздействием на структуру углеродного конденсата либо электронным, либо ионным пучками при низких температурах и давлениях. Изучены фазовый состав, строение, морфология поверхности и автоэмиссионные свойства полученных тонких пленок методами рентгенофазового анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния света и атомно-силовой микроскопии. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-101.html.ru Доп.точки доступа: Белянин, А. Ф.; Семенова, И. А.; Пащенко, П. В.; Барнаков, Ю. А. |
Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
Вакар, З. Морфология поверхности пиролитического графита, облученного атомами водорода [Текст] / З. Вакар, Е. А. Денисов [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 138 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пиролитический графит -- облучение -- атомы водорода -- ямки травления -- термодесорбционная спектроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия Аннотация: Взаимодействие атомарного водорода с пиролитическим графитом исследовано методами термодесорбционной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии. Первоначально гладкая поверхность графита после экспозиции в атомарном водороде превращается в бугристую с перепадом высот до нескольких нанометров. После прогрева образцов, приводящего к удалению из них водорода, поверхность сглаживается и на ней выявляются ямки травления глубиной в монослой. При многократном повторении цикла сорбция-десорбция происходят рост линейных размеров и увеличение глубины ямок травления Доп.точки доступа: Денисов, Е.А.; Компаниец, Т.Н.; Макаренко, И.В.; Марущак, В.А.; Титков, А.Н. |
546 Н 858 Нохрин, А. В. Методика исследования зеренной структуры микрокристаллических сверхпластичных алюминиевых сплавов методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / А. В. Нохрин, И. М. Макаров, Ю. Г. Лопатин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 12. - Библиогр.: с. 34 (17 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): алюминиевые сплавы -- атомно-силовая микроскопия -- зеренные структуры -- микрокристаллические сплавы -- микроскопия -- пластичность -- прессование -- равноканальное прессование -- сверхпластичные сплавы -- сплавы -- структуры сплавов -- угловое прессование Аннотация: Изложены основные подходы к применению методики атомно-силовой микроскопии для изучения эволюции зеренной структуры микрокристаллических алюминиевых сплавов системы Al - Mg - Sc - Zr и Al -Zn - Mg - Sc - Zr, полученных методом равноканального углового прессования и подвергнутых деформации в условиях высокоскоростной сверхпластичности. Доп.точки доступа: Макаров, И. М.; Лопатин, Ю. Г. |
577.1 Я 556 Яминский, И. (Д-р физико-мат. наук). Кристаллы из белка [Текст] / И. Яминский // Наука и жизнь. - 2004. - N 1 . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Биология--Общая биохимия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- белки -- лизоцим -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: Изучение механизма роста кристаллов необходимо для решения множества практических задач. Особенно полезными в этом плане оказались кристаллы лизоцима - белка-фермента, который помогает организму защищаться от бактерий. Взглянуть на его кристаллическую решетку исследователям удалось с помощью новейшего метода - атомно-силовой микроскопии. |
537 Л 724 Лозовская, Е. (Кандидат физико-мат. наук). Атомно-силовая микроскопия [Текст] / Е. Лозовская // Наука и жизнь. - 2004. - N 1 . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- методы исследования -- микроскопы Аннотация: Атомно-силовая микроскопия позволяет анализировать на атомном уровне структуру самых разных твердых материалов - стекла, керамики, пластиков, металлов, полупроводников. Измерение можно проводить не только в вакууме, но и на воздухе, в атмосфере любого газа и даже в капле жидкости. Этот метод незаменим и для исследования биологических объектов. |
539.2 Б 284 Батог, Г. С. Моделирование контактной жесткости полусферического островкового включения [Текст] / Г. С. Батог, А. С. Батурин, Е. П. Шешин // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 126-128. - Библиогр.: c. 128 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая акустическая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- контактная жесткость -- нанокомпозитные материалы -- численное моделирование Аннотация: С помощью численного моделирования получена модель, выражающая связь контактной жесткости, измеряемой с помощью зондов атомно-силовой микроскопии с постоянным контактным радиусом cредствами атомно-силовой акустической микроскопии, с радиусом одиночного полусферического островкового включения и индентационными модулями материалов включения и матрицы. Анализ проводился методом конечных элементов с использованием изотропной модели материалов. Возможная область применения - исследование нанокомпозитных материалов. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p126-128.pdf Доп.точки доступа: Батурин, А. С.; Шешин, Е. П. |
530.1 Щ 334 Щеглов, Д. В. Кинетический контраст в атомно-силовой микроскопии [Текст] / Д. В. Щеглов, авт. А. В. Латышев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 2. - С. 271-278. - Библиогр.: с. 278 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- поверхности -- микроскопия -- зонды -- кинетический контраст -- фазовый контраст -- осциллирующий зонд Аннотация: Изучен механизм формирования фазового контраста в атомно-силовой микроскопии (АСМ) в различных условиях взаимодействия осциллирующего зонда с поверхностью. Доп.точки доступа: Латышев, А. В. |
539.2 Г 831 Григоров, И. Г. О формировании 3-D изображения с помощью цифровой сканирующей микроскопии [Текст] / И. Г. Григоров, Л. Н. Ромашев, Ю. Г. Зайнулин, В. В. Устинов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 2. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): 3-D изображения -- атомно-силовая микроскопия -- зондовая микроскопия -- микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- сканирующая зондовая микроскопия -- сканирующая микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- туннельная микроскопия -- формирование изображений -- цифровая сканирующая микроскопия Аннотация: Описана методика формирования 3-D изображения исследуемых объектов путем совместного использования растровой электронной и сканирующей туннельной микроскопии. Доп.точки доступа: Ромашев, Л. Н.; Зайнулин, Ю. Г.; Устинов, В. В. |
537.226.8 Б 287 Батурин, А. С. Исследование механизма деградации сверхтонких слоев HfO[2] на кремнии при вакуумном отжиге методами атомно-силовой микроскопии [Текст] / А. С. Батурин, А. В. Зенкевич [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 33-39 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): диэлектрические пленки -- оксид гафния -- сверхтонокие слои -- отжиг -- вакуумный отжиг -- транзисторы -- микроэлектронные технологии -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: В работе предложен комплексный подход в исследовании начальной стадии разрушения диэлектрических пленок оксида гафния при термическом отжиге до Т = 900шС в вакууме. Дополнительно к измерению рельефа поверхности использовались метод сопротивления растекания, метод зонда Кельвина и метод модуляции силы. Была установлена сильная пространственная неоднородность процессов деградации сверхтонких слоев оксида гафния в контакте с кремнием при вакуумном отжиге и показана возможность локализации областей в различных стадиях этого процесса. Доп.точки доступа: Зенкевич, А. В.; Лебединский, Ю. Ю.; Любовин, Н. Ю.; Неволин, В. Н.; Шешин, Е. П. |
621.039.548 П 497 Полетика, Т. М. Исследование поверхности циркониевых оболочек твэлов методами АСМ и ПЭМ [Текст] / Т. М. Полетика, Е. В. Юдина, С. Л. Гирсова, Н. В. Гирсова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 64-68 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Энергетика--Ядерные реакторы Кл.слова (ненормированные): циркониевые оболочки твэлов -- твэлы -- оксидные слои -- коррозия -- атомно-силовая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии проведено исследование морфологии поверхности и внутренней структуры оксидных слоев на циркониевых оболочках из сплава Э110. Установлено, что закономерности формирования структуры оксидных слоев, образующихся в процессе коррозионных испытаний, зависят от режима предварительной обработки циркониевых оболочек. Доп.точки доступа: Юдина, Е. В.; Гирсова, С. Л.; Гирсова, Н. В. |
539.2 Ф 762 Фомин, Л. А. Исследование морфологии и магнитного контраста поверхности эпитаксиальных ферромагнитных структур [Текст] / Л. А. Фомин, И. В. Маликов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 27-32 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные ферромагнитные структуры -- ферромагнитные структуры -- тонкие пленки -- никель -- атомно-силовая микроскопия -- морфология поверхности -- магнитный контраст поверхности Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности тонких пленок никеля. Выявлен сложный механизм формирования пленок, состоящий из нескольких стадий и зависящий от температуры подложки и толщины пленки. Показано, что морфология поверхности влияет на рассеяние электронов проводимости на несовершенствах внешней и внутренней поверхности структур, при этом вклад спектра плотности флуктуации поверхности в рассеяние электронов проводимости интегральный. При определенных условиях роста тонких пленок влияние морфологии можно уменьшить, в этом случае остаточная длина свободного пробега электронов проводимости может достигать 1000 нм, что превышает толщину пленки. Изготовлены эпитаксиальные наноструктуры с высокой электронной подвижностью. Исследование их магнитной структуры показало, что размер магнитных доменов меньше остаточной длины свободного пробега электронов, зависящей от морфологии поверхности. Доп.точки доступа: Маликов, И. В.; Винниченко, В. Ю.; Калач, К. М.; Пяткин, С. В.; Михайлов, Г. М. |
539.2 С 121 Сабинина, И. В. Факторы, определяющие морфологию пленок Cd[x]Hg[1-x]Te при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 48-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe (301) -- пленки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- микроморфология пленок -- микроструктура пленок -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: С помощью атомно-силовой микроскопии исследована зависимость микроморфологии пленок CdHgTe (301), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от условий выращивания и микроморфологии буферного слоя CdTe. Просвечивающая и высокоразрешающая электронная микроскопия были использованы для выявления взаимосвязи между микроморфологией и микроструктурой пленок CdHgTe (301). Доп.точки доступа: Гутаковский, А. К.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Латышев, А. В. |
621.315.592 Б 766 Божков, В. Г. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Г. Божков, Н. А. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 546-554 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- гауссовый рельеф -- арсенид галлия Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии проведены комплексные исследования рельефа, распределения потенциала фи (x, y) и распределения фазового контраста поверхности n-GaAs, подвергнутой различным химическим обработкам. Распределение рельефа и фазового контраста по площади поверхности носит близкий к идеальному гауссовый характер на относительно малых участках поверхности (200x 200 нм\{2\}). С ростом площади отступление от гауссиана становится весьма существенным из-за плавного изменения потенциала по площади контакта. Сохранение гауссового характера рельефа поверхности при одновременном росте среднего уровня неровности с увеличением анализируемой площади указывает на фрактальный механизм формирования рельефа поверхности. Доп.точки доступа: Торхов, Н. А.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А. |
535.37 М 124 Магеррамов, А. М. Структура и фотолюминесценция нанокомпозиций сульфида кадмия с полипропиленом [Текст] / А. М. Магеррамов, М. А. Рамазанов, Ф. В. Гаджиева // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 71-74 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Люминесценция Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): полипропилены -- наночастицы -- нанокомпозиции -- нанокомпозиции сульфида кадмия -- фотолюминесценция -- полимерные нанокомпозиции -- фотолюминесцирующие полимерные нанокомпозиции -- атомно-силовая микроскопия -- полимерные порошки -- полимерные системы -- электроразрядная обработка -- электроразрядная обработка полимерных порошков -- полипропилены с наночастицами -- композиты Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства композитов на основе полипропилена с наночастицами CdS. Доп.точки доступа: Рамазанов, М. А.; Гаджиева, Ф. В. |
Исследование структуры поверхности пленок частично кристаллического полиимида [Текст] / Т. Е. Суханова [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 3. - С. 467-478. - Библиогр.: с. 477-478 (28 назв. ) . - ISSN 0507-5475
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): кристаллические полиимиды -- тонкие пленки -- электронная микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- термическая имидизация -- дискретные кластеры -- дискретные фрагменты -- полиамидокислоты Аннотация: Методами просвечивающей, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучена структура поверхности тонких пленок на основе поли[4, 4 (-бис- (4.-N-фенокси) дифенил]амидокислоты1, 3-бис- (3., 4-дикарбофенокси) бензола и продукта ее термической имидизации на разных стадиях термической имидизации, а также после плавления и последующего отжига. Доп.точки доступа: Суханова, Т. Е.; Вылегжанина, М. Э.; Новиков, Д. В.; Кутин, А. А.; Светличный, В. М.; Диденко, А. Л.; Кудрявцев, В. В.; Закревский, В. А.; Ионов, А. Н. |
Мединцева, Т. И. Особенности структуры и механических свойств смесей изотактического полипропилена и тройного этиленпропилендиенового эластомера [Текст] / Т. И. Мединцева, Э. В. Прут, Н. А. Ерина // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 6. - С. 998-1008. - Библиогр.: с. 1007 (31 назв. ) . - ISSN 0507-5475
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): изотактический полипропилен -- этиленпропилендиеновый эластомер -- механические свойства -- атомно-силовая микроскопия -- невулканизованные смеси -- вулканизованные смеси -- сополимеры Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии изучена структура невулканизованных и динамически вулканизованных смесей изотактического ПП с тройным этиленпропилендиеновым сополимером при содержании последнего 5-85 мас. %. Доп.точки доступа: Прут, Э. В.; Ерина, Н. А. |
Иммобилизация тетрафенилпорфина и его металлокомплексов на поверхности обработанного плазмой полипропилена [Текст] / В. А. Титов [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 8. - С. 1454-1462. - Библиогр.: с. 1461 (19 назв. ) . - ISSN 0507-5475 Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): тетрафенилпорфин -- металлокомплексы -- плазма -- полипропилен -- инфракрасная спектроскопия -- электронная спектроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- плазмохимическая обработка Аннотация: Методами инфракрасной спектроскопии многократного нарушенного полного внутреннего отражения, электронной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследован процесс иммобилизации 5, 10, 15, 20-тетрафенилпорфина, его цинкового и марганцевого комплексов на поверхности полипропилена, модифицированного путем плазмохимической обработки с последующей прививочной сополимеризацией акриламида и 4-винилпиридина. Доп.точки доступа: Титов, В. А.; Кривых, Е. С.; Агеева, Т. А.; Шикова, Т. Г.; Соловьева, А. Б.; Тимофеева, В. А.; Вершинина, И. А.; Рыбкин, В. В.; Choi, H.-S. |
Исследование почвенных гелей методом атомно-силовой микроскопии [Текст] : текст / Г. Н. Федотов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 421, N 2, июль. - С. 202-205 : 1 рис. - Библиогр.: с. 205 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Сельское хозяйство Почвоведение Кл.слова (ненормированные): почвенные гели -- почвенные растворы -- гумусовые студни -- гелевые пленки -- черноземы -- почвы -- атомно-силовая микроскопия -- органоминеральные гели Аннотация: Оценивается возможность применения метода атомно-силовой микроскопии для изучения гелевых структур почв и проверки выдвинутых предположений о строении почвенных гелей. Доп.точки доступа: Федотов, Г. Н.; Иткис, Д. М.; Путляев, В. И.; Омельянюк, Г. Г.; Никулина, М. В. |
Влияние химического модифицирования поверхности полиэтилена галогенидами фосфора, бора, титана, ванадия и кремния на его паропроницаемость. [Текст] / С. А. Трифонов [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 8. - С. 1374-1379. - Библиогр.: c. 1379 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): адсорбционные методы -- атомно-силовая микроскопия -- галогениды титана -- галогениды фосфора -- диметилдихлорсилан -- модифицирование -- морфология поверхностного слоя -- оксохлороид ванадия -- паропроницаемость -- полимерные композиции -- полиэтилен -- хлорид бора Аннотация: Изучено влияние газофазного химического модифицирования полиэтилена высокого давления летучими галогенидами различных элементов на морфологию поверхностного слоя и паропроницаемость полимерных композиций. Доп.точки доступа: Трифонов, С. А.; Соснов, Е. А.; Белова, Ю. С.; Малыгин, А. А.; Разинкова, Н. Г.; Савкин, Г. Г. |