Лукьянов, А. Ю. Фазовый (интерференционный) фототермический метод для раздельного измерения поверхностного и объемного поглощения [Текст] / А. Ю. Лукьянов, А. А. Погорелко // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 77 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): лазерное излучение -- объемное поглощение -- поверхностное поглощение -- фазовый фототермический метод Аннотация: С помощью фазового фототермического метода показана возможность раздельного измерения поверхностного и объемного поглощения на примере полированных образцов ZnSe. Развитая теория позволила непосредственно связывать амплитуду измеряемых сигналов с величинами коэффициентов объемного и поверхностного поглощения. По экспериментальной зависимости амплитуды колебаний температуры на поверхности образца от угла падения накачки определены положение приповерхностного поглощающего слоя относительно границы раздела, а также механизм взаимодействия излучения накачки с веществом образца Доп.точки доступа: Погорелко, А.А. |
539.2 П 21 Пахомов, Г. Л. Люминесценция в тонких пленках фталоцианина [] / Г. Л. Пахомов, Д. М. Гапонова, А. Ю. Лукьянов, Е. С. Леонов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 164-167. - Библиогр.: с. 166-167 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): безметальный фталоцианин; люминесценция; материалы; металлокомплексы; нанофотоника; низкомолекулярные материалы; пленки; тонкие пленки; фотолюминесценция; фталоцианин Аннотация: Исследована люминесценция пленок безметального фталоцианина и некоторых других фталоцианиновых комплексов при комнатной температуре в ближнем ИК-диапазоне. Доп.точки доступа: Гапонова, Д. М.; Лукьянов, А. Ю.; Леонов, Е. С. |
Oптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / П. В. Волков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 5-10
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): низкокогерентная тандемная интерферометрия -- полупроводниковые подложки -- газофазная эпитаксия -- оптический коррелометр -- арсенид галлия -- кремний -- сапфировые подложки Аннотация: Впервые продемонстрированы возможности низкокогерентной тандемной интерферометрии для оптического мониторинга температуры полупроводниковой подложки и толщины наращиваемого слоя в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии. Абсолютная точность измерений температуры подложек Si, GaAs и сапфира в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии ограничена точностью калибровки и составляет плюс минус 1градусов С. Погрешность измерения толщины наращиваемого слоя - 2 нм. Доп.точки доступа: Волков, П. В.; Горюнов, А. В.; Данильцев, В. М.; Лукьянов, А. Ю.; Пряхин, Д. А.; Тертышник, А. Д.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |
Сравнительный анализ морфологии и оптические свойства слоев GaN на сапфире [Текст] / Е. А. Вопилкин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 68-70
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): металлоорганическая газофазная эпитаксия -- нитрид галлия -- запрещенная зона -- спектр фотолюминесценции -- морфология слоев Аннотация: Проведено комплексное исследование слоев нитрида галлия, выращенных на подложках сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Спектр фотолюминесценции этих слоев соответствует ширине запрещенной зоны нитрида галлия. Сравнительный анализ поверхности слоев методами интерферометрии, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии выявил на ней характерные неоднородности. Напыление тонкой металлической пленки на поверхность позволило идентифицировать их как неоднородности работы выхода, а не рельефа. Доп.точки доступа: Вопилкин, Е. А.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, Ю. Н.; Гусев, С. А.; Востоков, Н. В.; Лукьянов, А. Ю. |
539.2 Р 780 Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 86-94 : ил. - Библиогр.: с. 93-94 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллические пленки -- рост пленок -- азот -- плазма -- активация азота -- плазменная активация -- эпитаксия -- газофазная эпитаксия -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- гиротронное излучение -- резонансные разряды -- электронно-циклотронные резонансные разряды -- гиротроны -- технологические гиротроны -- низкие температуры -- гексагональная модификация -- подложки -- иттрий -- цирконий -- стабилизированный цирконий -- буферные слои -- поликристаллы -- текстурированные поликристаллы -- фотолюминесцентные свойства Аннотация: Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота в электронно-циклотронном резонансном разряде, создаваемом излучением технологического гиротрона, при низких (350°C) температурах роста получены пленки InN гексагональной модификации на подложках иттрием стабилизированного циркония, yttria stabilized zirconia (YSZ) ориентаций (111) и (100) и Al[2]O[3] (0001) со скоростью роста 1 mum·h{-1}. Пленки, выращенные без буферного слоя, имеют структуру текстурированного поликристалла. С использованием двойного буферного слоя InN/GaN на подложках Al[2]O[3] (0001) получены монокристаллические пленки InN. Приводятся данные по морфологии, структуре и фотолюминесцентным свойствам выращенных пленок. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p86-94.pdf Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Викторов, М. Е.; Водопьянов, А. В.; Голубев, С. В.; Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Мансфельд, Д. А.; Скороходов, Е. В.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |
621.385 Г 441 Гетероэпитаксиальные пленки GaN на подложках кремния с буферными слоями на основе пористого материала [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1583-1587. - Библиогр.: c. 1587 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксильные пленки -- электрическая однородность -- фотолюминесценция -- подложки кремния -- метод МОГФЭ -- сложные буферные слои -- пленки GaN Аннотация: Для эпитаксии GaN на подложках Si разработаны новые сложные буферные слои на основе пористого материала. Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Лукьянов, А. Ю.; Хрыкин, О. И.; Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Рау, Э. И.; Лукьянов, Ф. А. |
621.383 Т 572 Тонкопленочные фотовольтаические ячейки на основе фталоцианина ванадила и фуллерена / Г. Л. Пахомов [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 74-81. - Библиогр.: c. 80-81 (31 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фталоцианин ванадила -- фталоцианины -- тонкие пленки -- фуллерены -- фотовольтаические ячейки -- тонкопленочные фотовольтаические ячейки -- планарные гетеропереходы -- гетеропереходы -- фотопреобразование -- фотоактивные слои -- молекулярные фотоактивные слои -- подкатодные интерфейсные слои -- интерфейсные слои -- скорость осаждения слоев -- КПД фотовольтаических ячеек Аннотация: Описано получение прототипов органических фотовольтаических ячеек, содержащих планарный гетеропереход "фталоцианин/фуллерен". Измерены основные параметры фотопреобразования в таких структурах в зависимости от условий формирования молекулярного фотоактивного слоя (фталоцианина ванадила) и от материала подкатодного интерфейсного слоя. Показано, что изменения морфологии слоя фталоцианина ванадила в результате уменьшения скорости осаждения в вакууме приводят к росту кпд ячеек примерно на порядок. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p74-81.pdf Доп.точки доступа: Пахомов, Г. Л.; Травкин, В. В.; Лукьянов, А. Ю.; Стахира, П. И.; Костив, Н. В. |