53 С 654 Сорокин, Л. М. Композиционная неоднородность и дефекты структуры в кристаллах твердого раствора Ge[x]Si[1-x], выращенных методом Чохральского [Текст] / Л. М. Сорокин, Т. С. Аргунова [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 37-46 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- пластическая деформация -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- твердые растворы -- кристаллы твердых растворов -- дефекты структуры -- композиционная неоднородность Аннотация: Исследована взаимосвязь между пластической деформацией и неоднородностью распределения Ge в кристаллах твердых растворов Ge[x]Si[1-x] (x=4/ 9 at. % Ge), выращенных методом Чохральского. Показано, что механизмом пластической деформации служит зарождение дислокаций на источниках в полосах сегрегации Ge, а неоднородность в распределении Ge поперек оси роста вызвана термоупругими напряжениями. Доп.точки доступа: Аргунова, Т. С.; Абросимов, Н. В.; Гуткин, М. Ю.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Jung, J. W.; Je, J. H. |
530.1 П 850 Прудников, П. В. Влияние дефектов структуры на аномальные особенности распространения ультразвука в твердых телах при фазовых переходах второго рода [Текст] / П. В. Прудников, В. В. Прудников, Е. А. Носихин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 5. - С. 1027-1035. - Библиогр.: с. 1035 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): дефекты структуры -- распространение ультразвука -- твердые тела -- структуры -- ультразвук -- фазовые переходы второго рода -- аномальные особенности Аннотация: Исследуется влияние дефектов структуры на аномальные особенности распространения ультразвука в твердых телах при фазовых переходах второго рода. Доп.точки доступа: Прудников, В. В.; Носихин, Е. А. |
Ткаль, В. А. Моделирование теоретического контраста дефектов структуры различного типа с "зашумляющими факторами" [Текст] / В. А. Ткаль, И. В. Дзюба, Л. Н. Данильчук // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 59-65. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- поляризационно-оптический анализ -- дефекты структуры -- моделирование контраста Аннотация: Приводятся результаты моделирования изображений дефектов структуры различного типа в монокристаллах 6H-SiC и Si с зашумляющими факторами (фоновой неоднородностью и зернистостостью контраста). Зная параметры, заложенные при моделировании изображений дефектов, можно при сопоставлении экспериментального и зашумленного теоретического контраста повысить надежность идентификации и расположения дефектов в объеме монокристалла, определить их количественные и качественные характеристики. Доп.точки доступа: Дзюба, И. В.; Данильчук, Л. Н. |
539.21:534 В 586 Влияние плотности планарных дефектов структуры на структурно-фазовые превращения в слабоустойчивом состоянии тетрагональных сплавов [Текст] / В. В. Кулагина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 4. - С. 11-18 : рис. - Библиогр.: c. 17-18 (36 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): дефекты структуры -- плотность планарных дефектов структуры -- слабоустойчивые состояния сплавов -- термодинамическая устойчивость сплавов -- тетрагональные сплавы Аннотация: На примере упорядоченного гранецентрированного тетрагонального сплава со сверхструктурой L1[0] исследовано влияние плотности планарных дефектов структуры (антифазных границ) на термодинамическую устойчивость сплавов относительно структурно-фазовых превращений в слабоустойчивом состоянии систем. Показано, что термодинамическая выгодность длиннопериодической структуры релаксационного типа по сравнению с исходной сверхструктурой обеспечивается уже при Т = 0 К релаксационными эффектами в форме атомных смещений. Структура областей атомных смещений вблизи периодических антифазных границ не отличается от соответствующих областей одиночных антифазных границ: наибольшие атомные смещения локализованы в окрестности АФГ и при удалении от нее быстро убывают. Сохраняются размеры и структура этих областей возмущений. Установлено, что в упорядочивающихся гранецентрированных тетрагональных системах при структурнофазовых превращениях длиннопериодическое состояние является слабоустойчивым состоянием системы, поэтому можно ожидать, что внешнее воздействие будет вызывать не только структурно-фазовое превращение, но и определять канал этого превращения. Доп.точки доступа: Кулагина, В. В.; Потекаев, А. И.; Клопотов, А. А.; Старостенков, М. Д. |
539.2 В 586 Влияние ультрамалых доз ионизирующего излучения на диэлектрические свойства кристаллов CdZnTe с аномально высокой поляризуемостью [Текст] / В. К. Комарь [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- диэлектрические свойства -- ионизирующие излучения -- гамма-излучения -- диэлектрическая проницаемость -- низкочастотные области -- дефекты структуры -- экспозиционные дозы излучения -- поляризуемость -- электрический потенциал -- крупномасштабные флуктуации Аннотация: Обнаружено влияние ультрамалых экспозиционных доз (10-45 R) гамма-излучения на обе части комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe в низкочастотной области. Показано, что в основе этого эффекта лежат изменения системы собственных дефектов структуры, связанные с отклонением состава кристалла от стехиометрического, а также крупномасштабные флуктуации электрического потенциала ростовой природы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Комарь, В. К.; Сулима, С. В.; Чугай, О. Н.; Абашин, С. Л.; Николов, О. Т.; Олейник, С. В.; Пузиков, В. М.; Терзин, И. С.; Яцина, Ю. А. |
539.21:534 П 860 Псахье, С. Г. Локальные структурные трансформации в кристаллите меди при наноиндентировании [Текст] / С. Г. Псахье, Д. С. Крыжевич, К. П. Зольников // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): медь -- кристаллиты -- отклики (физика) -- наноиндентирование -- структурные трансформации -- локальные структурные трансформации -- генерация трансформаций -- механизмы генерации -- молекулярно-динамическое моделирование -- контактное взаимодействие -- локальное контактное взаимодействие -- пластические деформации -- результаты расчетов -- дислокации -- дефекты упаковки -- границы раздела -- дефекты структуры -- процессы нагружения -- свободные поверхности -- формоизменения Аннотация: Проведено молекулярно-динамическое моделирование отклика кристаллита меди на атомном уровне при локальном контактном взаимодействии. Результаты расчетов показали, что зарождение и развитие пластической деформации осуществляется по механизму генерации локальных структурных трансформаций, которые, в свою очередь, формируют дефекты более высокого уровня (дислокации, дефекты упаковки, границы раздела и т. д. ). В процессе нагружения сформированные дефекты структуры распространяются из зоны контакта в глубь кристаллита и при выходе на свободную поверхность приводят к ее формоизменению. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p80-86.pdf Доп.точки доступа: Крыжевич, Д. С.; Зольников, К. П. |
621.315.592 Г 441 Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402 : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p396-402.pdf Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. |
621.315.592 К 110 К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур [Текст] / А. М. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1422-1426 : ил. - Библиогр.: с. 1425 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): радиационная стойкость -- карбид кремния -- ядерные излучения -- SiC -- детекторы -- радиация -- неравновесные заряды -- локализация носителей -- рекомбинация -- носители заряда -- дефекты структуры -- температурные зависимости -- протоны -- генерационные токи Аннотация: Отмечается, что благодаря глубокой компенсации проводимости карбида кремния, возникающей при воздействии радиации, в захвате неравновесного заряда в детекторах происходит преобладание локализации (прилипания) носителей над рекомбинацией. Это позволяет, повышая температуру, снижать время удержания носителя заряда центром захвата до значений, меньших времени формирования сигнала электроникой. Для случая дефектов структуры, создаваемых протонами с энергией 6. 5 МэВ, проведена оценка значений температуры, исключающей деградацию сигнала детектора за счет локализации носителей заряда. Определены величины возникающего генерационного тока, шумы которого могут ограничивать работу детектора в режиме спектрометрии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1422-1426.pdf Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Садохин, А. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
539.2 Ш 181 Шалдин, Ю. В. Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4. 2-300 K [Текст] / Ю. В. Шалдин, авт. S. Matyjasik // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1159-1165 : ил. - Библиогр.: с. 1165 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пироэлектрические свойства -- пироэлектрики -- поляризация -- широкозонные полупроводники -- температурные зависимости -- газовые фазы -- азот -- электрические воздействия -- дефекты структуры -- сегнетоэлектрическое упорядочение -- кристаллы -- примеси кислорода -- деформация тетраэдров -- координационные тетраэдры -- структура вюрцита -- вюрцит -- дипольный момент Аннотация: Представлены результаты измерений поляризации AlN в интервале 4. 3-300 K, по которым были рассчитаны величины пирокоэффициентов в зависимости от температуры. Эксперимент ставился как на исходном образце, выращенном из газовой фазы в атмосфере азота при T~2400 K, так и подвергнутом внешнему электрическому воздействию в поле разной полярности. Поляризация образца при T=4. 2 K привела к принципиальному изменению полярного состояния реального образца AlN: за счет дефектов структуры возникает сегнетоэлектрическое упорядочение и на порядок увеличивается суммарная поляризация образца, зависящая от T. Выявленные аномалии прежде всего связаны с вхождением в состав кристалла неконтролируемой примеси кислорода, приводящей к значительным деформациям координационных тетраэдров в структуре вюрцита. Процесс замещения вакансий азота разнозаряженными ионами кислорода приводит не только к изменению дипольных моментов координационных тетраэдров, но и к изменению их ориентации в структуре. Сегнетоэлектрическое упорядочение в "чистом виде" в данном образце AlN существует только до T~80 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1159-1165.pdf Доп.точки доступа: Matyjasik, S. |
621.315.592 Э 455 Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs / В. Н. Неведомский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1196-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1202 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронно-микроскопические исследования -- структуры -- арсенид галлия -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- арсенид индия -- InAs -- металлические квантовые точки -- МКТ -- механизм роста Странского - Крастанова -- Странского - Крастанова механизм роста -- барьерные слои -- мышьяк -- рельеф поверхности -- дефекты структуры -- температура отжига -- диффузия квантовых точек Аннотация: Проведены электронно-микроскопические исследования структур на основе GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих массивы полупроводниковых квантовых точек InAs и металлических квантовых точек As. Массив квантовых точек InAs формировался по механизму Странского-Крастанова и состоял из вертикально-сопряженных пар квантовых точек, разделенных спейсером GaAs толщиной 10 нм. Для разделения массивов полупроводниковых и металлических квантовых точек и предотвращения диффузионного перемешивания массив квантовых точек InAs заращивался барьерным слоем AlAs толщиной 5 или 10 нм, после чего проводилось наращивание слоя GaAs при низкой температуре (180°C). Массив квантовых точек As формировался в обогащенном мышьяком слое низкотемпературного GaAs путем послеростовых отжигов при температурах 400-760°C в течение 15 мин. Установлено, что барьерный слой AlAs имеет рельеф поверхности, соответствующий рельефу подбарьерного слоя с квантовыми точками InAs. Наличие такого рельефа вызывало формирование V-образных дефектов структуры при последующем заращивании слоем GaAs. Кроме того, обнаружено, что слой AlAs истончается на вершинах квантовых точек InAs. Показано, что в областях между квантовыми точками InAs барьерный слой AlAs эффективно препятствует исходящей диффузии избыточного As при температурах отжига до 600°C. Однако концентрация механических напряжений и пониженная толщина барьерного слоя AlAs вблизи вершин квантовых точек InAs приводят к локальным прорывам барьера и диффузии квантовых точек As в область сопряженных пар квантовых точек InAs при более высоких температурах отжига. Electron microscopy was utilized to study GaAs structures grown by molecular-beam epitaxy and containing arrays of semiconducting quantum dots (SQDs) InAs and metallic quantum dots (MQDs) As. The array of InAs SQDs was formed by the Stranski-Krastanow mechanism. It consisted of vertically coupled pairs of SQDs separated by a 10 nm thick spacer. In order to separate the SQD and MQD arrays and prevent the InAs from diffusion intermixing, the InAs SQD array was overgrown by an AlAs barrier layer, which was 5 or 10 nm thick, after that a layer of GaAs was grown at low temperature (180°С). An array of As MQDs was formed in the arsenic-rich layer of low-temperature grown GaAs by post-growth anneals at 400-760°С for 15min. It was determined that the AlAs barrier layer has a surface relief corresponding to the relief of the underlying layer with InAs SQDs. Presence of such relief led to the formation of V-shaped structure defects when overgrown by a GaAs layer. In addition we revealed that the AlAs layer becomes thinner on the tops of InAs SQDs. The AlAs barrier layer is shown to efficiently prevent the out diffusion of excess As upon annealing at the temperature below 600°С. However, the concentration of the mechanical stresses and lower thickness of the AlAs barrier layer near the tops of InAs SQDs result in local breaks of the barrier and diffusion of As MQDs into the region of coupled pairs of InAs SQDs at higher annealing temperatures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1196-1203.pdf Доп.точки доступа: Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск) |
621.315.55/.58 Т 454 Титов, К. С. Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP_2 / К. С. Титов, В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 1. - С. 46-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ZnGeP_2 -- дефекты монокристаллов -- дефекты структуры -- дислокации -- полупроводниковые соединения -- структурные дефекты Аннотация: В представленных исследованиях внимание концентрируется на дефектах структуры тройного полупроводникового соединения ZnGeP_2. Показаны результаты влияния включений второй фазы (ZnGeP_2) на оптические характеристики материала. Рассмотрены вариации расположения как цепочек, так и отдельных дислокаций в объёме материала ZnGeP_2. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н. |