621.3 С 810 Стогний, А. И. Лабораторный генератор с. в. ч.-плазмы для обработки поверхностей [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 165 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полимеры -- лабораторные исследования -- генераторы -- СВЧ плазма -- СВЧ печи -- обработка поверхностей -- диэлектрики -- очистка -- полупроводники -- органические примеси -- травление Аннотация: Описан усовершенствованный генератор с. в. ч.-плазмы на основе бытовой с. в. ч.-печи, предназначенный для очистки поверхностей изделий, в том числе полупроводниковых и диэлектрических, от органических примесей, а также для для травления полимеров. Доп.точки доступа: Корякин, С. В.; Марченко, А. В.; Демченко, А. И.; Хитько, В. И. |
621.3 С 810 Стогний, А. И. Лабораторный генератор с. в. ч.-плазмы для обработки поверхностей [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 165 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полимеры -- лабораторные исследования -- генераторы -- СВЧ плазма -- СВЧ печи -- обработка поверхностей -- диэлектрики -- очистка -- полупроводники -- органические примеси -- травление Аннотация: Описан усовершенствованный генератор с. в. ч.-плазмы на основе бытовой с. в. ч.-печи, предназначенный для очистки поверхностей изделий, в том числе полупроводниковых и диэлектрических, от органических примесей, а также для для травления полимеров. Доп.точки доступа: Корякин, С. В.; Марченко, А. В.; Демченко, А. И.; Хитько, В. И. |
532.5 М 30 Марченко, А. В. Метод расчета ледовых нагрузок при навале льда на неподвижную стенку [Текст] / А. В. Марченко // Прикладная математика и механика. - 2006. - Т. 70, N 3. - С. 427-439. - Библиогр.: с. 439 (11 назв. ) . - ISSN 0032-8235
Рубрики: Механика--Гидромеханика Кл.слова (ненормированные): ледовые нагрузки; навалы льда; расчеты ледовых нагрузок; торосы; торошение льда; шельфовые ледостойкие платформы Аннотация: Разрабатывается модель расчета ледовых нагрузок на шельфовую ледостойкую платформу, соответствующая наблюдающемуся в лабораторных экспериментах циклическому сценарию взаимодействия льда со стенкой платформы. |
53 Т 356 Теруков, Е. И. Экспериментальное определение температурной зависимости эффективной плотности сверхтекучих электронов в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Е. И. Теруков, П. П. Серегин, А. В. Марченко // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 10. - С. 1-6 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- сверхтекучие электроны -- эффективная плотность сверхтекучих электронов -- мессбауэровская спектроскопия -- теория Бардина-Купера-Шриффера -- Бардина-Купера-Шриффера теория Аннотация: Показано, что отсутствует согласие расчетных (теория Бардина-Купера-Шриффера (БКШ) ) и экспериментальных (данные мессбауэровской спектроскопии) температурных зависимостей эффективной плотности сверхтекучих электронов для узлов Cu (1) в решетках YBa[2]Cu[3]O[7], YBa[2]Cu[4]O[8], Tl[2]Ba[2]Ca[2]Cu[3]O[10], Bi[2]Sr[2]Ca[2]Cu[3]O[10] и HgBa[2]Ca[2]Cu[3]O[8], однако имеется удовлетворительное согласие для узлов Cu (2). Доп.точки доступа: Серегин, П. П.; Марченко, А. В. |
621.315.592 Б 820 Бордовский, Г. А. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1429-1433 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): олово -- валентные состояния олова -- полупроводниковые стекла Аннотация: Количественное соотношение в стеклах (As2Se3) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO[2], блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Марченко, А. В.; Немов, С. А.; Серегин, П. П. |
621.315.592 Т 356 Теруков, Е. И. Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, А. В. Зайцева, П. П. Серегин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1434-1439 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): германий -- двухэлектронные донорные центры -- халькогениды свинца -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта \{73\}Ge, возникающего в анионных подрешетках PbS, PbSe и PbTe после радиоактивного превращения \{73\}As, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как в катионных подрешетках PbS и PbSe центр \{73\}Ge представляет собой двухэлектронный донор с отрицательной корреляционной энергией: в образцах n-типа мессбауэровский спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge\{2+\}), в а образцах p-типа - двукратно ионизованному состоянию (Ge\{4+\}) этого центра. Для частично компенсированных образцов PbSe реализуется быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{119\}Sn продемонстрировано, что в PbS и PbSe энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова. Доп.точки доступа: Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Серегин, П. П. |
Экспериментальное определение пространственного распределения электронных дефектов в решетках La[2-x]Sr[x]CuO[4 ]и Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 9. - С. 55-64
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- металлы -- мощные излучения -- электронные дефекты -- кристаллические решетки Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах \{67\}Cu (\{67\}Zn) и \{67\}Ga (\{67\}Zn) показано, что дырки, появляющиеся в результате замещения La\{3+\} на Sr\{2+\} в решетке La[2-x]Sr[x]CuO[4], локализованы преимущественно на атомах кислорода, находяшихся в одной плоскости с атомами меди, тогда как электроны, появляющиеся в решетке Nd[2-x]Ce[x]CuO[4] за счет замещения ионов Nd\{3+\} на Ce\{4+\}, локализованы в подрешетке меди. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
Теруков, Е. И. Наблюдение эффекта Мессбауэра на примесных атомах олова в жидком галлии [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 20. - С. 50-56 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): эффект Мессбауэра -- Мессбауэра эффект -- примесные атомы олова -- олово -- жидкий галлий Аннотация: Для примесных атомов \{119\}Sn в металлическом галлии явление безотдачного поглощения гамма-квантов исчезает при температурах выше 292. 45 K, однако диспергирование жидкого галлия в пористом стекле с размером пор ~ 70 Ангстрем позволяет наблюдать эффект Мессбауэра при температуре 298. 15 K, что связывается с "ужесточением" фононного спектра галлия при диспергировании. Доп.точки доступа: Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Мессбауэровские U\{-\}-центры как инструмент исследования бозе-конденсации в полупроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1172-1179
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): мессбауэровские двухэлектронные центры -- корреляционная энергия -- бозе-конденсация -- сверхпроводящие фазовые переходы -- двухэлектронные процессы Аннотация: Продемонстрировано, что мессбауэровские двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией являются эффективным инструментом исследования процессов бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе. Такие зонды чувствительны к двухэлектронным процессам, что и определяет их высокую чувствительность к изменению электронной плотности при фазовом переходе. Показано, что изменение электронной плотности при фазовом переходе зависит от критической температуры T[c] и оно различно в различных подрешетках. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Зайцева, А. В. |
Свойства и структура стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1353-1356
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стеклообразные системы -- халькогенидные стекла -- олово Аннотация: В структуре стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe[2]) [z-x] (Tl[2]Se) [x] и (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (Tl[2] Se) [x] олово стабилизируется в двух- и четырехвалентном состояниях. Присутствие в структурной сетке стекла двухвалентного олова не приводит к появлению примесной проводимости. Зависимости плотности, микротвердости и температуры стеклования от состава стекол объясняются в рамках модели, согласно которой структура стекол построена из структурных единиц, отвечающих соединениям As[2]Se[3], AsSe, TlAsSe[2], Tl[2]Se, SnSe и SnSe[2]. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Теруков, Е. И.; Серегин, П. П.; Лиходеева, Т. В. |
Марченко, А. В. Правовая природа гражданского иска в уголовном процессе [Текст] / А. В. Марченко // Известия вузов. Правоведение. - 2009. - N 2. - С. 72-82. - Библиогр. в сносках . - ISSN 0131-8039
Рубрики: Право Уголовное процессуальное право Кл.слова (ненормированные): уголовный процесс -- гражданские иски -- гражданские ответчики Аннотация: Основные концепции соотношения процессуальной и материально-правовой составляющих гражданского иска. Отраслевая принадлежность, правовая природа и особенности гражданского иска в уголовном процессе. |
Определение состава стекол и пленок As-Se методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 22. - С. 15-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): количественное содержание -- стекла -- пленки -- определение состава стекол -- определение состава пленок -- мышьяк -- As -- селен -- Se -- стеклообразные сплавы -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- метод стандарта -- количественный состав Аннотация: Для определения количественного содержания мышьяка и селена в стеклообразных сплавах и пленках As[100-x]Se[x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол и пленок As[100-x]Se[x] с точностью x±0. 02. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И. |
Марченко, А. В. Проблемы развития и становления института выдачи (экстрадиции) в России: историко-правовой аспект [Текст] / А. В. Марченко // Российская юстиция. - 2010. - N 6. - С. 52-54. - Библиогр.: с. 53-54 (14 назв. ) . - ISSN 0131-6761
Рубрики: Право Международное право в целом Кл.слова (ненормированные): экстрадиция -- институты выдачи -- правовое регулирование -- история вопроса Аннотация: Статья посвящена актуальной проблеме историко-правового исследования развития института экстрадиции в России. Проведенный в статье анализ нормативно-правовых актов и научной литературы дает возможность показать предпосылки формирования института экстрадиционного права в нашем государстве. |
Исследование влияния аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 7-10 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеноструктурный анализ -- структура аморфных материалов -- мессбауэровская спектроскопия -- полупроводники -- рентгеновское излучение -- аморфизация -- халькогениды мышьяка Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) изучено влияние аморфизации на симметрию локального окружения атомов халькогенов в соединениях As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3]. В мессбауэровских спектрах кристаллического As2Te3 3 состояния трехкоординированных атомов теллура оказываются неразличимыми. Аморфизация As[2]Te[3] приводит к понижению локальной симметрии трехкоординированных состояний атомов теллура и к появлению двухкоординированных состояний в цепочках типа -As-Te-Te-As-. В структуре кристаллических As[2]S[3] и As[2]Se[3] два состояния двухкоординированных атомов халькогенов X в цепочках типа -As-X-As- проявляются в уширении мессбауэровских спектров. Аморфизация As2S3 и As[2]Se[3] не сопровождается изменением локальной симметрии двухкоординированных атомов халькогенов в цепочках типа -As-X-As-, однако в структуре аморфного материала образуются двухкоординированные состояния атомов серы и селена в цепочках типа -As-X-X-As-. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |
Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 369-371
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- матрица стекла -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{129\}Te (\{129\}I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Анисимова, Н. И.; Дземидко, И. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1232-1236 : ил. - Библиогр.: с. 1236 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сплавы -- стеклообразные сплавы -- германий -- селен -- теллур -- мессбауэровская спектроскопия -- изотопы -- стекла -- халькогены -- локальная структура Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах {119}Sn и {129}Te ({129}I) показано, что стекла Ge[100-y]X[y] (X = S, Se, Те), обогащенные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные атомы халькогена в цепочках типа - Ge-X-Ge- и - Ge-X-X-Ge-. Германий в этих стеклах только четырехвалентен и 4-координирован, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Стекла, обедненные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные (в цепочках типа - Ge-X-Ge-) и 3-координированные атомы халькогена (в цепочках типа - Ge-X-Ge-). Германий в этих стеклах стабилизируется как в четырехвалентном и 4-координированном состоянии, так и в двухвалентном и 3-координированном состоянии, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Анисимова, Н. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 26-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стекла -- бинарные стекла -- халькогенидные стекла -- бинарные халькогенидные стекла -- стеклообразные сплавы -- германий -- мышьяк -- сера -- селен -- рентгенофлуоресцентный анализ -- метод рентгенофлуоресцентного анализа -- рентгенофлуоресцентные спектры -- метод стандарта -- стехиометрические соединения -- спектральные линии Аннотация: Для определения количественного содержания германия, мышьяка, серы и селена в стеклообразных сплавах As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол As[1-x]S[x], Ge[1-x]S[x], As[1-x]Se[x] и Ge[1-x]Se[x] с точностью ±0. 001 по параметру x. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Смирнова, Н. Н.; Теруков, Е. И. |
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 445-451 : ил. - Библиогр.: с. 450 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примеси -- фоновые примеси -- Fe -- железо -- Cu -- медь -- Si -- кремний -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- рентгеновская флуоресценция -- инфракрасная спектроскопия -- спектры излучения -- кристаллы -- объемные кристаллы -- ZnO -- концентрация примесей Аннотация: На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода-основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с p-типом проводимости. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В.; Полетаев, Н. К.; Трапезникова, И. Н.; Чукичев, М. В.; Бордовский, Г. А.; Марченко, А. В.; Еременко, М. В. |
Идентификация двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2094-2097. - Библиогр.: с. 2097 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): определение эффективных зарядов атомов -- сверхпроводники -- метод эмиссионной мессбауэровской спектроскопии -- мессбауэровская спектроскопия -- тензоры градиента электрического поля -- кристаллические решетки -- модели сверхпроводимости -- металлоксиды меди Аннотация: На основе сравнения экспериментальных и расчетных параметров тензора градиента электрического поля показано, что дырки в решетках YBa[2]Cu[3]O[7] и YBa[2]Cu[4]O[8] локализованы на ионах кислорода в CuO[3] -цепочках. Эти результаты находятся в согласии с моделью, предполагающей, что механизмом, ответственным за высокотемпературную сверхпроводимость в соединениях YBa[2]Cu[3]O[7] и YBa[2]Cu[4]O[8], является взаимодействие электронов с двухатомными двухэлектронными центрами меди с отрицательной корреляционной энергией. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П. |
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. |