Гольдберг, Ю. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур [Текст] / Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.65 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вентильный контакт -- омический контакт -- арсенид галлия -- никель -- емкость -- ток -- диоды Шоттки Аннотация: Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (С-U) и ток-напряжение (I[f]-U и I[r]-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T[Ohm]=720K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур,отожженных при различных температурах T[ann] и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T[ann] Доп.точки доступа: Поссе, Е.А. |
539.2 Б 684 Бланк, Т. В. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaAs [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 2. - С. 140-142. - Библиогр.: c. 142 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия; индий; омические контакты; протекание тока; сплавные контакты; термоэлектрическая эмиссия Аннотация: Изучен механизм протекания тока в сплавном In омическом контакте к слаболегированному арсениду галлия (n=4ъ10{15} cm{-3}). Из зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры было установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через потенциальный барьер высотой 0. 03 eV. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/02/p140-142.pdf Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Константинов, О. В.; Никитин, В. Г.; Поссе, Е. А. |
535 Б 684 Бланк, Т. В. Фотоприемник канцерогенного ультрафиолетового излучения на основе 4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. В. Калинина, О. В. Константинов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 88-89 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): Шоттки барьеры -- фотоприемники -- ультрафиолетовое излучение -- селективные фотоприемники -- квантовая эффективность -- карбид кремния -- канцерогенное излучение -- барьеры Шоттки -- бактерицидное излучение -- p-n-переходы Аннотация: Канцерогенное (бактерицидное) излучение (200-300 nm с максимумом при 254 nm) присутствует в естественных (Солнце) и искусственных (лампы) источниках ультрафиолетового излучения. Его интенсивность очень мала по сравнению с другими видами излучения, но оно оказывает сильное влияние на здоровье человека. Для профилактики онкологических заболеваний необходимо контролировать уровень канцерогенного излучения, т. е. необходимы селективные фотоприемники. Предложен фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе n-4H-SiC барьеров Шоттки и p{+}-n-переходов. Спектр квантовой эффективности таких приборов очень близок к спектру относительного воздействия на человека канцерогенного излучения. Квантовая эффективность в максимуме спектра (254 nm) составляет около 0. 3 el/ph при практически полной нечувствительности в других спектральных областях. Квантовая эффективность в интервале длин волн 247-254 nm практически не зависела от температуры в интервале -100-+100{o}C. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p86-89.pdf Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Калинина, Е. В.; Константинов, О. В. |
621.3 Б 684 Бланк, Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] : обзор / Т. В. Бланк, авт. Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1281-1308 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- термоэлектронная эмиссия -- полевая эмиссия -- термополевая эмиссия -- диоды шоттки -- шоттки диоды Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа A\{II\}B\{VI\} (ZnSe, ZnO), A\{III\}B\{V\} (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), A\{IV\} (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А. |
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации основных носителей заряда [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1345-1347
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- сплавные омические контакты -- In-n-GaN -- механизм протекания тока -- концентрация носителей заряда Аннотация: На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In-n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N = 5 х 10\{16\} - 1 х 10\{18\} см\{-3\} основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N больше равно 8 х 10\{18\} см\{-3\} - туннелирование. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Константинов, О. В.; Поссе, Е. А. |
Бланк, Т. В. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А. |