621.3 З-584 Зерова, В. Л. Модуляция межподзонного поглощения света в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах [Текст] / В. Л. Зерова, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, E. Towe // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 615-624 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- поглощение света -- межподзонное поглощение света -- электрическое поле -- квантовые ямы -- туннельно-связанные квантовые ямы -- инфракрасный диапазон Аннотация: Изучена модуляция поглощения света среднего инфракрасного диапазона в двойных туннельно-связанных квантовых ямах в продольном электрическом поле. Спецификой квантовых ям является малое энергетическое расстояние между двумя нижними уровнями, вследствие чего даже в слабом поперечном электрическом поле может происходить "антипересечение" этих уровней. Предложена интерпретация изменения межподзонного поглощения света, опирающаяся на предположение о возникновении в данной структуре поперечной компоненты электрического поля. Изменение коэффициента поглощения света вычислено с учетом перераспределения электронов между подзонами размерного квантования и изменения их температур в подзонах в продольном электрическом поле, а также изменения оптических матричных элементов, энергий переходов и концентраций электронов в подзонах в поперечном электрическом поле. Показана возможность использования исследуемой структуры для эффективной модуляции излучения среднего инфракрасного диапазона с энергией кванта 136 мэВ. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Towe, E. |
621.315.592 В 751 Воробьев, Л. Е. Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах спонтанного и стимулированного излучения [Текст] / Л. Е. Воробьев, В. Л. Зерова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 753-761 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инжектированные носители заряда -- квантовые ямы -- лазерные гетероструктуры -- стимулированное излучение Аннотация: Найдены концентрация носителей заряда и температура горячих электронов и дырок как функция плотности тока (j) в режимах спонтанного и индуцированного излучения в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами на примере структур InGaAs/GaAs. В режиме спонтанного излучения концентрация в активной области структур увеличивается с ростом тока, а разогрев носителей заряда мал. Рассчитанные спектры спонтанного излучения с учетом запрещенных оптических переходов хорошо совпадают с экспериментальными. В режиме стимулированного излучения ситуация иная. Концентрация инжектированных носителей при не очень больших плотностях тока накачки (при токах, превышающих пороговый в несколько раз) стабилизируется и не растет с увеличением тока, а температура носителей заряда существенно возрастает. При плотностях тока, превышающих пороговую плотность в десятки и сотни раз, стабилизации концентрации носителей заряда не происходит: концентрация носителей заряда возрастает в несколько раз, а их температура при j=80 кА/см\{2\} увеличивается примерно до 450 K. Число выброшенных из квантовой ямы в барьер носителей заряда, определяющих квантовый выход в лазерах, при этом также растет из-за разогрева носителей заряда. Ослабить этот нежелательный процесс можно, увеличив глубину квантовых ям. Доп.точки доступа: Зерова, В. Л.; Борщев, К. С.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С.; Belenky, G. |
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 53-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- лазерные наноструктуры -- квантовые ямы -- твердые растворы -- InGaAsSb -- фотолюминесценция -- ФЛ -- межзонная фотолюминесценция -- динамика фотолюминесценции -- барьеры -- температура -- возбуждения -- оптические возбуждения -- носители зарядов -- оптически инжектированные носители зарядов -- время жизни носителей зарядов -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- резонансная оже-рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- электроны -- разогрев электронов -- квантование -- размерное квантование -- фононы -- неравновесные фононы -- оптические фононы -- лазеры -- Sb-содержащие лазерные наноструктуры -- длина волны Аннотация: В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Зерова, В. Л.; Hosoda, T.; Тхумронгсилапа, П.; Воробьев, Л. Е.; Belenky, G. |
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1443-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я. |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1451-1454 : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. |
539.2 П 546 Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами [Текст] / В. Я. Алешкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1188-1197. - Библиогр.: с. 1197 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансы Фано -- Фано резонансы -- фотопроводимость -- квантовые ямы -- мелкие доноры Аннотация: Рассчитан спектр примесного фотопоглощения гетероструктуры с квантовыми ямами, легированными мелкими донорами, в области энергий, близких к энергии оптического фонона. Показано, что резонансная особенность фотопроводимости (резонанса Фано), обусловленная взаимодействием электронов с полярными оптическими фононами, сильно зависит от поляризации излучения в том случае, когда энергия резонансного состояния выше энергии дна второй подзоны размерного квантования. Указанная зависимость от поляризации была экспериментально обнаружена в спектре примесной фотопроводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Антонов, А. В.; Жолудев, М. С.; Паневин, В. Ю.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е. |
621.315.592 Э 554 Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В. |
621.315.592 П 432 Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 265-267. - Библиогр.: c. 267 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические переходы -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- туннельно-связанные квантовые ямы GaAs/AlGaAs -- внутризонное поглощение -- квантовые ямы -- спектры излучения -- температурная зависимость -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Ganichev, S. D.; Danilov, S. N.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Жуков, А. Е.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П. |
538.958 Э 455 Электролюминесценция горячих носителей заряда в режиме спонтанного и стимулированного излучения из лазерных наноструктур и поглощение ИК-излучения горячими электронами в квантовых ямах [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 79-82. - Библиогр.: c. 82 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- электролюминесценция -- лазерные наноструктуры -- ИК-излучение -- спонтанное излучение -- стимулированное излучение -- горячие носители зарядов -- туннельно-связанные квантовые ямы -- горячие электроны -- оптическое возбуждение Аннотация: В работе изучены разогрев и зависимость концентрации носителей заряда от тока в квантовых ямах (КЯ) гетероструктур в режимах спонтаного и стимулированного излучения, а также межподзонное поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах в условиях разогрева носителей заряда латеральным электрическим полем и при мощном оптическом возбуждении. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Винниченко, М. Я.; Паневин, В. Ю.; Тхумронгсилапа, П.; Борщев, К. С.; Жуков, А. Е.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С.; Belenky, G.; Hanna, S.; Seilmeier, A. |
538.958 М 550 Механизмы рекомбинации носителей заряда в Sb-содержащих лазерных структурах с квантовыми ямами [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 78-80. - Библиогр.: c. 80 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Бурштейна-Мосса динамический эффект -- динамический эффект Бурштейна-Мосса -- квантовые ямы -- лазерные структуры -- оптическое возбуждение -- резонансная оже-рекомбинация -- твердые растворы -- фотолюминесценция Аннотация: Исследована динамика межзонной фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaAsSb и барьерами различных типов при различных температурах и уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Suchalkin, S.; Kisin, M. |
538.958 П 432 Поглощение и модуляции излучения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 91-94. - Библиогр.: c. 94 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- квантовые ямы -- легирование бериллием -- наноструктуры -- оптические явления -- резонансные состояния -- спектры поглощения Аннотация: В работе проведены экспериментальные исследования оптических явлений в квантовых ямах GaAs/AlGaAs, легированных акцепторами, в средней ИК-области спектра. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Софронов, А. Н.; Паневин, В. Ю.; Винниченко, М. Я.; Тхумронгсилапа, П.; Ганичев, С. Д.; Данилов, С. Н.; Жуков, А. Е. |
538.958 Э 554 Эмиссия терагерцевого излучения из GaN при ударной ионизации доноров в электрическом поле [Текст] / В. А. Шалыгин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 95-97. - Библиогр.: c. 97 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): внутрицентровые переходы -- интегральная интенсивность электролюминесценции -- ионизация -- оптические переходы -- терагерцевая электролюминесценция -- терагерцевое излучение -- электрические поля -- эпитаксильные слои GaN Аннотация: Впервые обнаружена и исследована эмиссия терагерцевого излучения из эпитаксильных слоев n-Gan в латеральном электрическом поле. Доп.точки доступа: Шалыгин, В. А.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Мелентьев, Г. А.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Зиновьев, Н. Н.; Suihkonen, S.; Lipsanen, H. |
535.37 З-135 Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами / М. Я. Винниченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1526-1529 : ил. - Библиогр.: с. 1529 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инжекционные лазеры -- лазеры -- инфракрасные диапазоны -- квантовые ямы -- спектральные зависимости -- люминесценция -- спонтанная люминесценция -- токовая зависимость -- лазерная генерация -- носители заряда -- размерное квантование -- поглощение света -- свободные дырки -- волноводы -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе. The current dependence of spontaneous luminescence in the injection infrared lasers with InGaAsSb/InAlGaAsSb quantum wells has been studied. The current dependence of carrier concentration was determined from the spectral dependence of integral spontaneous luminescence. The lack of concentration saturation with current has been observed in the lasing regime. We associate it with carrier heating in the quantum wells and with the increase of the light absorption related to free holes in the waveguide. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1526-1529.pdf Доп.точки доступа: Винниченко, М. Я.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Машко, М. О.; Балагула, Р. М.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
621.37/.39 Л 271 Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si / В. Ю. Паневин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1599-1603 : ил. - Библиогр.: с. 1602 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): продольная фотопроводимость структур -- фотопроводимость структур -- структуры -- оптическое поглощение -- оптические переходы -- дырки -- квантовые точки -- КТ -- Ge/Si -- температура решетки -- неравновесные свободные дырки -- экспериментальные данные -- гетерограницы Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости и оптического поглощения, обусловленного внутризонными оптическими переходами дырок в квантовых точках Ge/Si, при различных температурах решетки. Обнаружены поляризационно-зависимые спектральные особенности, связанные с оптическими переходами дырок из основного состояния квантовых точек. Экспериментально наблюдается температурное гашение сигнала фотопроводимости, обусловленное обратным захватом неравновесных свободных дырок на связанные состояния квантовых точек. Полученные экспериментальные данные позволили определить высоту приповерхностного изгиба зон на гетерогранице квантовой точки. Lateral photoconductivity, optical absorption due to intraband transitions within Ge/Si quantum dots (QDs) and their temperature dependences are studied using infrared optical spectroscopy. Optical spectra reveal polarization-dependent features related to transitions of holes from the ground state of QDs into the continuum of states. The decrease in photocurrent with the increase in temperature is experimentally observed. We attribute this effect to the capture of photo-excited carriers back to QDs. The latter effect allowed us to determine the energy of band bending at the interface of QDs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1599-1603.pdf Доп.точки доступа: Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Винниченко, М. Я.; Балагула, Р. М.; Тонких, А. А.; Werner, P.; Fuhrman, B.; Schmidt, G.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany); Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Interdisziplinares Zentrum fur Materialwissenschaften (IZM) (Germany)Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Institut fur Physik (Germany); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.2 Э 410 Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием / В. Ф. Агекян [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 260-264 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- кристаллография в целом -- легирование -- нитрид галлия -- экситонные спектры -- электропроводность -- эпитаксиальные слои Аннотация: Исследованы оптические спектры и электропроводность легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия с концентрациями нескомпенсированных доноров. Доп.точки доступа: Агекян, В. Ф.; Воробьев, Л. Е.; Мелентьев, Г. А.; Nykanen, Н.; Серов, А. Ю.; Suihkonen, S.; Философов, Н. Г.; Шалыгин, В. А.; Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Aalto University, School of Electrical Engineering (Espoo (Finland); Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета; Aalto University, School of Electrical Engineering (Espoo (Finland); Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета |
539.2 С 721 Спиновая ориентация дырок при протекании тока в теллуре / В. А. Шалыгин [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 12. - С. 2237-2247. - Библиогр.: с. 2246-2247 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дырки в теллуре -- монокристаллы теллура -- токи -- оптическая активность -- средний инфракрасный диапазон Аннотация: Проведены экспериментальные исследования индуцированной током оптической активности в монокристалле теллура в среднем инфракрасном диапазоне. Рассмотрена феноменологическая теория эффекта и описан его микроскопический механизм. Определена зависимость степени спиновой ориентации дырок в теллуре от плотности электрического тока. Получено приближенное аналитическое выражение, связывающее величину индуцированной током оптической активности со степенью спиновой поляризации дырок. Доп.точки доступа: Шалыгин, В. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Фарбштейн, И. И. |