Меркулов, В. CeBIT-2004 в Ганновере [Текст] / В. Меркулов // Радио. - 2004. - N 11. - Окончание. Начало: N 10 . -
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): 2004 г. -- выставки -- международные выставки -- технологические выставки -- аналоговая цветная фотография -- фотография -- фотоэлементы -- фотокамеры -- цифровые фотокамеры -- Интернет-радио -- радио -- мобильные телефоны -- сотовые телефоны -- стереотелевидение -- стереоскопическое телевидение -- музыкальные центры -- телевизионные дисплеи Аннотация: Говорится об аналоговой цветной фотографии, Интернет-радио, стереотелевидении, приводится краткое описание новейших цифровых фотокамер, мобильных телефонных аппаратов, совмещенных с фотокамерой. Доп.точки доступа: CeBIT-2004, международная выставка |
621.37/.39 В 17 Ванюшин, И. В. Профилирование распределения бора в асимметричных кремниевых n{+} -p-фотодиодах и новая концепция создания селективно чувствительных фотоэлементов для мегапиксельных приемников цветного изображения [Текст] / И. В. Ванюшин, В. А. Гергель [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 12. - С. 1514-1519. - Библиогр.: с. 1519 (4 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): фотодиоды; мегапиксельные приемники; диффузиозные каналы; чувствительные фотоэлементы Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования спектральной фоточувствительности кремниевых n{+} -p-фотодиодов с имплантированным p{+} -слоем в подложке. Показано, что такое p{+} -легирование эффективного сдвигает длинноволновый край фоточувствительности в оптическом диапазоне спектра в зависимости от глубины залегания p{+} -слоя. Сформулирована новая концепция создания селективно чувствительных фотоэлементов для мегапиксельных приемников цветного изображения на основе n{+} -p-фотодиодных структур, содержащих несколько разноглубинных имплантированных слоев, формирующих требуемые цветоделительные потенциальные барьеры и латеральные диффузионные каналы коллектирования неосновных носителей, генерированных квантами различающейся цветности. Доп.точки доступа: Гергель, В. А.; Зимогляд, В. А.; Лепендин, А. В.; Тишин, Ю. И. |
621.37/.39 В 17 Ванюшин, И. В. Влияние многослойного диэлектрического покрытия Si[3}N[4]-PSG-SiO[2] на спектральную чувствительность элементов матричных КМОП-фотоприемников [Текст] / И. В. Ванюшин, В. А. Гергель [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2006. - Т. 51, N 12. - С. 1520-1525. - Библиогр.: с. 1525 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): диэлектрические покрытия; фотоприемники; матричные комплементарные фотоприемники; фотодиоды; чувствительные фотоэлементы Аннотация: Применительно к вопросам разработки и конструирования цветных матричных комплементарных фотоприемников на основе металл-окисел- полупроводник, теоретически и экспериментально исследованы спектральные зависимости пропускания защитного многослойного диэлектрического покрытия соответствующих интегральных схем. Приведенные измерения демонстрируют модуляцию спектральной чувствительности фотодиодов, закрытых стандартным многослойным диэлектрическим покрытием, что существенно препятствует качественному цветоделению фотосигнала. Численное моделирование спектральной прозрачности используемого стандартного диэлектрического покрытия показывает, что основную роль при этом играет интерференция в верхнем диэлектрическом слое, показатель преломления в котором оказался значительно больше соответствующего справочного значения. Представлен краткий обзор возможных путей коррекции негативных особенностей спектральной прозрачности, обусловленных максимально большим показателем преломления защитной пленки Si[3]N[4]. Доп.точки доступа: Гергель, В. А.; Горшкова, Н. М.; Затолокин, К. М.; Князев, А. Н. |
620.9 Г 554 Глуховский, М. Светить - и никаких гвоздей! [Текст] / М. Глуховский // Знание-сила. - 2007. - N 8. - С. 14-17. - Безальтернативный выборРоссия в роли догоняющегоНанотехнологии - новые перспективы . - ISSN 0130-1640
Рубрики: Энергетика--Другие отрасли энергетики Кл.слова (ненормированные): фотоэнергетика; солнечная энергетика; кремний; фотоэлементы; солнечные батареи Аннотация: О фотоэнергетике. |
621.3 З-233 Залесский, В. Б. Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu (In, Ga) Se[2]/ (In[2]S[3]) : создание и свойства [Текст] / В. Б. Залесский, Ю. В. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 992-997 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- фотоэлементы -- гетерофотоэлементы -- тонкопленочные гетерофотоэлементы -- бескадмиевые гетерофотоэлементы Аннотация: Методом термообработки металлических слоев Cu-In-Ga в инертной атмосфере N[2] в присутствии паров селена и серы выращены однородные пленки твердых растворов Cu (In, Ga) (S, Se) [2], на которые были нанесены пленки CdS или In[2]S[3] и на их основе созданы тонкопленочные фотоэлементы: стекло /Mo/ p-Cu (In, Ga) (S, Se) [2]/n- (In[2]S[3], CdS) /n-ZnO/Ni-Al. Обсуждаются механизм токопереноса и процессы фоточувствительности в полученных структурах при их освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Обнаружены широкополосная фоточувствительность тонкопленочных гетерофотоэлементов и наведенный фотоплеохроизм, свидетельствующие об интерференционном просветлении полученных структур. Сделан вывод о возможности применения экологически безопасных бескадмиевых тонкопленочных гетероструктур в качестве высокоэффективных фотопреобразователей солнечного излучения. Доп.точки доступа: Рудь, Ю. В.; Гременок, В. Ф.; Рудь, В. Ю.; Леонова, Т. Р.; Кравченко, А. В.; Зарецкая, Е. П.; Тиванов, М. С. |
620.91 Г 257 Гвоздкова, И. А. (канд. физ.-мат. наук). Солнечная энергетика: подрастающий игрок [Текст] / И. А. Гвоздкова, авт. Д. Ю. Паращук // Химия и жизнь - XXI век. - 2007. - N 3. - С. 6-9 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы Кл.слова (ненормированные): энергия; источники энергии; солнечная энергетика; гелиоэнергетика; солнечные батареи; фотоэлементы Аннотация: На один квадратный метр падает примерно столько солнечной энергии, сколько нужно одному человеку. Вопрос в том, как научиться ее использовать. Доп.точки доступа: Паращук, Д. Ю. (д-р физ.-мат. наук) |
Паращук, Д. Ю. Современные фотоэлектрические и фотохимические методы преобразования солнечной энергии [Текст] / Д. Ю. Паращук, А. И. Кокорин // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2008. - Т. 52, N 6. - С. 107-117. - Библиогр.: с. 116-117 (94 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Энергетика Общие вопросы энергетики Кл.слова (ненормированные): квантовые провода -- полимер-фуллереновые фотоэлементы -- полупроводниковые преобразователи -- РСВМ -- солнечная энергия -- солнечные фотоэлементы -- СФЭ -- фотоэлектрические методы преобразования -- элементная база -- энергия световых квантов Аннотация: Проведен анализ направлений в области разработок СФЭ нового поколения. Доп.точки доступа: Кокорин, А. И. |
Гладун, А. Д. Изучение фотоэлектрических свойств солнечной батареи [Текст] / А. Д. Гладун, Ф. Ф. Игошин, Ю. М. Ципенюк // Физическое образование в вузах. - 2008. - Т. 14, N 4. - С. 43-49 : ил.: 5 рис. - Библиогр.: с. 49 (3 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Физика Общие вопросы физики Образование. Педагогика Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): лабораторные работы -- работы -- солнечные батареи -- батареи -- вентильные фотоэлементы -- фотоэлементы -- фототок -- токи -- фотоэдс -- эдс -- электродвижущая сила -- сила -- p-n - переход -- полупроводники -- вентильный фотоэффект -- фотоэффект Аннотация: Приводится описание лабораторной работы по курсу общей физики, которая посвящена изучению фотоэлектрических свойств элемента солнечной батареи. Целью работы является исследование зависимостей фототока и фотоэдс вентильного фотоэлемента от длины волны падающего света. Доп.точки доступа: Игошин, Ф. Ф.; Ципенюк, Ю. М. |
Суров, В. Фотореле-таймер [Текст] / В. Суров // Радио. - 2009. - N 2. - С. 48-49 : ил.
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотоэлементы -- освещение -- микроконтроллеры -- таймеры -- светодиодные индикаторы Аннотация: Устройство управления освещением. |
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD. Доп.точки доступа: Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 270-277 : ил. - Библиогр.: с. 277 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- эмиттеры -- инфракрасные эмиттеры -- солнечное излучение -- карбид кремния -- вольфрам -- тантал -- термофотоэлектрические элементы -- ТФЭ элементы -- элементы ТФЭ -- антимонид галлия -- тепловые излучения -- вольфрамовые эмиттеры -- ТФЭ генераторы цилиндрического типа -- ТФЭ генераторы конического типа -- фотоэлементы -- электрическая мощность Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов-цилиндричесого и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило P=3. 8 Вт. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Малевская, А. В.; Власов, А. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов [Текст] / А. С. Власов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1284-1289 : ил. - Библиогр.: с. 1288 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- металлические эмиттеры -- эмиттеры -- GaSb-элементы -- фотопреобразователи -- фотоэлементы -- ФЭ -- термофотоэлектрические элементы -- газовые термофотоэлектрические генераторы Аннотация: Разработана и испытана модель компактного термофотоэлектрического генератора с пропановой горелкой (давление 2 бара) и металлическим сетчатым эмиттером. Изготовлен фотогенерирующий модуль, использующий 24 (1x1 см2) GaSb-элемента. Проведены исследования по оптимизации технологии изготовления фотопреобразователей. Показано, что полученные данные могут быть использованы для отбора исходного слиткового материала для получения фотопреобразователей с близкими характеристиками. Экспериментально показано, что для достижения максимального кпд помимо использования фотоэлементов с близкими характеристиками необходимо также обеспечивать одинаковые условия их работы (температуру, освещенность). Доп.точки доступа: Власов, А. С.; Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. А.; Калиновский, В. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М.; Бобыль, А. В.; Терещенко, Г. Ф. |
621.383 С 535 Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия [Текст] / Ф. Ю. Солдатенков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1266-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): омические потери -- фотоэлектрические преобразователи -- омические контакты -- фотоэлементы -- TLM -- transmission line model -- антимонид галлия -- метод магнетронного распыления -- магнетронное распыление -- резистивное испарение -- многослойные контактные системы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отжиг -- фронтальные поверхности -- удельное сопротивление -- фототоки Аннотация: С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr-Au, Cr-Au-Ag-Au, Ti-Pt-Au, Pt-Ti-Pt-Au, Pt-Au, Ti-Au, Ti-Pt-Ag, Ti-Pt-Ag-Au, Pt-Ag, осажденные на поверхность p-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti-Pt-Ag-Au и Ti-Pt-Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления (rho[c]<10{-6} Ом x см{2}), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1266-1273.pdf Доп.точки доступа: Солдатенков, Ф. Ю.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Задиранов, Ю. М.; Растегаева, М. Г.; Усикова, А. А. |
681.7 А 691 Аномальное увеличение коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики в коротковолновой области солнечного спектра у кремниевого фотоэлемента, содержащего структуру из пористого кремния / Э. Шатковскис [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 21. - С. 23-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- коэффициенты заполнения -- коротковолновые излучения -- солнечный спектр -- кремневые фотоэлементы -- пористый кремний -- эффективные показатели -- диффузионные технологии -- монокристаллический кремний -- фотоэлектролитическое травление Аннотация: Предложена и исследована возможность увеличения эффективности кремниевого фотоэлемента путем создания структуры из пористого кремния в его объеме. Исследовались фотоэлементы, изготовленные путем диффузионной технологии из пластин монокристаллического кремния p-типа. Структуры пористого кремния создавались анодным фотоэлектролитическим травлением в смеси HF: этанол. Ток и время травления задавались компьютером в пределах (6-14) mA/cm{2} и (10-20) s соответственно. Установлено, что структура пористого кремния, расположенная в объеме эмитера, значительно повышала эффективность фотоэлементов. Аномально большое (в 5-9 раз) увеличение эффективности наблюдалось в области длины волны lambda приблизительно 550 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/21/p23-29.pdf Доп.точки доступа: Шатковскис, Э.; Миткявичюс, Р.; Загадский, В.; Ступакова, И. |
621.315.592 В 932 Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 273-279 : ил. - Библиогр.: с. 278-279 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлементы -- сильноточные фотоэлементы -- диффузия цинка -- цинк -- антимонид галлия -- солнечные батареи -- солнечное излучение -- эмиттеры -- лазерная энергия -- p-n переходы -- фотоэлектрические преобразования -- фототоки -- система с расщеплением солнечного излучения -- СРСИ -- термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы Аннотация: С помощью метода диффузии цинка из газовой фазы разработаны и изготовлены сильноточные фотоэлементы на основе антимонида галлия для использования в солнечных батареях и системах с расщеплением солнечного спектра при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, для термофотоэлектрических генераторов с высокой температурой эмиттера, а также для преобразования лазерной энергии. Исследовано влияние толщины диффузионного p{+}-слоя на основные характеристики фотоэлемента. Определены оптимальный профиль легирования и глубина залегания p-n-перехода, обеспечивающие высокую эффективность фотоэлектрического преобразования при плотностях фототока вплоть до 100 A/cм{2}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p273-279.pdf Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Хвостикова, О. А.; Тимошина, Н. Х.; Потапович, Н. С.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Андреев, В. М. |
681.7 И 889 Исследование световой деградации тандемных alpha -Si:H/mu c-Si:H солнечных фотопреобразователей / В. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 667-674 : ил. - Библиогр.: с. 673 (33 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): фотопреобразователи -- солнечные фотоэлементы -- фотоиндуцированная деградация -- тандемные реакции -- плотность потока -- стабильное состояние -- спектральные характеристики -- вольтамперные характеристики -- носители заряда -- аппроксимирование -- модифицированные модели -- моделирование зависимостей -- экспериментальные данные Аннотация: Исследована фотоиндуцированная деградация тандемных alpha-Si: H/mu c-Si: H фотопреобразователей с начальным кпд 10. 4% при плотностях потока падающего излучения 1 и 10 кВт/м{2} (AM1. 5G). Установлено, что стабилизированное состояние достигается после 500 ч экспозиции при стандартной плотности потока излучения или после 300 минут при плотности, повышенной в 10 раз. Cнижение кпд в обоих случаях составило 1. 2-1. 4 абс %. Из экспериментально измеренных спектральных и вольт-амперных характеристик фотопреобразователей определены значения времен жизни неравновесных носителей заряда и рассчитаны зависимости изменения концентрации свободных (оборванных) связей в слоях i-alpha-Si: H и i-mu c-Si: H. Аппроксимация зависимостей осуществлялась по модифицированной модели плавающих связей. Вычисленные значения концентраций свободных связей при различных длительностях экспозиции использовались при моделировании зависимостей параметров фотопреобразователей от времени светового воздействия. Полученные результаты показали хорошее согласование расчетных темпов деградации тока и кпд тандемного фотопреобразователя с экспериментальными данными. Photo-induced degradation of tandem-Si: H/muc-Si: H photo converters with initial efficiency of 10. 4% under light flux densities of 1 and 10 kW/m{2} (AM1. 5G) has been investigated. It has been established that the stabilized state is achieved after 500 h of light soaking under standard light flux density and after 300 minutes under 10 times raised flux density. In both cases reduction of efficiency of the photo converters averaged about 1. 2? 1. 4% (absolute). From the experimentally measured spectral and voltage-current characteristics of the photo converters lifetimes of non-equilibrium charge carriers have been estimated and dependencies of dangling bonds` concentration change in i-S: H and i-muc-Si: H layers have been calculated. Approximation of the dependencies was performed with the floating bond model. Rated concentrations of the dangling bonds after different exposure periods were used in simulation of dependencies of photo converters` parameters versus lime length of the light soaking. The obtained results showed a good coincidence between the simulated current and efficiency degradation rates and the experimental data. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p667-674.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, В. М.; Абрамов, А. С.; Бобыль, А. В.; Гудовских, А. С.; Орехов, Д. Л.; Теруков, Е. И.; Тимошина, Н. Х.; Честа, О. И.; Шварц, М. З. |
621.315.592 Э 260 ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода / В. А. Борщак [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 828-832 : ил. - Библиогр.: с. 832 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- неидеальные гетеропереходы -- туннельно-рекомбинационные переносы -- ЭДС -- холостой ход -- фотовозбуждение -- спектральный состав -- освещенность -- потенциальные барьеры -- уровни освещенности -- белый свет -- инфракрасный свет -- фотоэлементы -- экспериментальные результаты Аннотация: Показана возможность применения модели туннельно-рекомбинационного переноса для расчета эдс холостого хода освещенного неидеального гетероперехода. Применена методика фотовозбуждения светом различного спектрального состава, объяснено различие в поведении зависимости эдс от освещенности. Проведен расчет значений фотоэдс гетероперехода с учетом преобладания туннельно-рекомбинационного механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения зависимости хорошо согласуются с полученными экспериментально. In the work the possibility of tunnel-recombination current transport model application for emf calculation of illuminated nonideal heterojunction is shown. The technique of photoexcitation with light of different spectral composition was used. The difference of emf on illumination dependences is explained. Heterojunction photo-emf was calculated taking into account the prevalence of tunnel-recombination mechanism of transport in the barrier region and potential barrier form changing shape upon exposure to light. It is shown, that emf dependencies calculated at various illumination intensities are in good agreement with those observed experimentally. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p828-832.pdf Доп.точки доступа: Борщак, В. А.; Смынтына, В. А.; Бритавский, Е. В.; Карпенко, А. А.; Затовская, Н. П. |
541.6 Н 766 Новые донорно-акцепторные бензотритиофенсодержащие сопряженные полимеры для солнечных фотоэлементов / М. Л. Кештов [и др.] // Доклады Академии наук. - 2014. - Т. 454, № 4, февраль. - С. 417-423 : 4 рис., 3 табл, 3 схемы. - Библиогр. : с. 423 (12 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): органические солнечные фотоэлементы -- бензотритиофенсодержащие сопряженные полимеры -- реакция Сузуки-Мияура -- Сузуки-Мияура реакция -- электроноакцепторные мономеры -- сополимеры -- фотовольтаические свойства -- фуллерены -- реакция Стилле -- Стилле реакция Аннотация: Разработан новый бензотритиофенсодержащий мономер. Доп.точки доступа: Кештов, М. Л.; Куклин, С. А.; Кочуров, В. С.; Константинов, И. О.; Краюшкин, М. М.; Радычев, Н. А.; Хохлов, А. Р. |
544.6 Д 360 Дергачева, М. Б. Фотоэлектрохимическое осаждение тонких пленок теллура / М. Б. Дергачева, К. А. Уразов, К. А. Леонтьева // Журнал прикладной химии. - 2014. - Т. 87, вып. 6. - С. 732-737. - Библиогр.: с. 737 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): пленки теллура -- стеклоуглеродные электроды -- теллур -- фотоэлементы -- электрохимическое осаждение Аннотация: Изучено влияние полихроматического света на электрохимическое осаждение ионов теллура на стеклоуглеродном электроде из кислых растворов. Доп.точки доступа: Уразов, К. А.; Леонтьева, К. А.; Институт органического катализа и электрохимии им. Д. В. Сокольского (Алма-Ата); Институт органического катализа и электрохимии им. Д. В. Сокольского (Алма-Ата)Институт органического катализа и электрохимии им. Д. В. Сокольского (Алма-Ата) |
539.2 В 586 Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge / В. М. Андреев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1249-1253 : ил. - Библиогр.: с. 1252-1253 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические характеристики -- трехпереходные солнечные элементы -- солнечные элементы -- фотоэлементы -- чипы -- наногетероструктуры Аннотация: Исследованы фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga (In) As/Ge в зависимости от метода формирования чипа фотоэлемента. Показано, что применение разработанной постростовой технологии разделения на чипы наногетероструктуры в едином процессе позволяет повысить качество пассивации боковой поверхности мезы чипов, что обеспечивает уменьшение поверхностных токов утечки и увеличение выхода приборов с улучшенными характеристиками. The dependence of triple-junction InGaP/Ga (In) As/ Ge solar cell photoelectric characteristics on the mesa structure formation method have been investigated. It was shown that the method of post-growth nanoheterostructure separation into individual chips in a one step final process improves the quality of the chip edges passivation decreasing the effects of edge leakage currents and increasing the output of working elements. As a result, this method improves the solar cell characteristics. To estimate the cell efficiency the analysis of dark forward current? voltage characteristics has been used. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1249-1253.pdf Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Гребенщикова, Е. А.; Дмитриев, П. А.; Ильинская, Н. Д.; Калиновский, В. С.; Кантрош, Е. В.; Малевская, А. В.; Усикова, А. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |