53 Б 241 Баранов, А. М. Петли гистерезиса на зависимостях тока от напряжения в магнитных туннельных переходах [Текст] / А. М. Баранов, Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман // Радиотехника и электроника. - 2001. - N1 . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): магнитное поле -- токи -- ферромагнитные металлы -- ферромагнитные слои Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования проводимости магнитных туннельных переходов, составленных из двух ферромагнитных металлических слоев и ультратонкого разделяющего слоя немагнитного диэлектрика. Выполнены измерения зависимостей тока, текущего сквозь переход от приложенного к переходу напряжения. На измеренных зависимостях обнаружены петли, которые могут иметь сложный и невоспроизводимый характер. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю.В.; Зильберман, П.Е. |
537 К 823 Крикунов, А. И. Оптический контроль в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных элементов [Текст] / А. И. Крикунов, Ф. А. Егоров // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 8. - Библиогр.: с. 998 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): спин-туннельные элементы -- оптический контроль -- ферромагнитные слои Аннотация: Предложена методика оптического контроля, которая может быть использована в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных переходов. Метод основан на измерении коэффициентов отражения тонких пленок или слоистых структур на различных этапах технологического процесса. Показана высокая эффективность метода при измерении толщин металлических слоев от единиц до десятков нанометров. Метод может быть использован для контроля процесса окисления тонких слоев алюминия при формировании барьерного слоя спин-туннельных структур. Доп.точки доступа: Егоров, Ф. А. |
537 К 823 Крикунов, А. И. Оптический контроль в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных элементов [Текст] / А. И. Крикунов, Ф. А. Егоров // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 8. - Библиогр.: с. 998 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): спин-туннельные элементы -- оптический контроль -- ферромагнитные слои Аннотация: Предложена методика оптического контроля, которая может быть использована в технологии изготовления магниторезистивных спин-туннельных переходов. Метод основан на измерении коэффициентов отражения тонких пленок или слоистых структур на различных этапах технологического процесса. Показана высокая эффективность метода при измерении толщин металлических слоев от единиц до десятков нанометров. Метод может быть использован для контроля процесса окисления тонких слоев алюминия при формировании барьерного слоя спин-туннельных структур. Доп.точки доступа: Егоров, Ф. А. |
538.9 Г 944 Гуляев, Ю. В. Эффекты необратимого переключения намагниченности и бистабильности в ферромагнитных переходах [Текст] / Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман, А. И. Панас, Э. М. Эпштейн // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 381-385 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные нанопереходы -- проводящие слоистые структуры -- слоистые структуры -- ферромагнитные слои -- необратимое переключение намагниченности -- бистабильность Аннотация: Показано, что в ферромагнитных нанопереходах - проводящих слоистых структурах, включающих, по меньшей мере, два ферромагнитных слоя, возможно достижение высокого уровня инжекции спинов перпендикулярным током. При этом структуры демонстрируют принципиально новые интересные свойства, в частности, необратимое переключение намагниченности и бистабильность. Доп.точки доступа: Зильберман, П. Е.; Панас, А. И.; Эпштейн, Э. М. |
539.2 Б 937 Бутько, Л. Н. Отражение электромагнитных волн от слоистой структуры ферромагнетик-немагнитный проводник-ферромагнетик [Текст] / Л. Н. Бутько, В. Д. Бучельников, И. В. Бычков, В. Г. Шавров // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 1. - С. 98-107. - Библиогр.: с. 107 (10 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Физика твердого тела Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): отражение электромагнитных волн -- ферромагнитные слои -- слоистая структура -- коэффициент отражения Аннотация: Проведено теоретическое исследование влияния межслоевого обменного взаимодействия ферромагнитных (ФМ) слоев через электроны проводимости проводящих прослоек на условия равновесия, отражательную способность и интегральную восприимчивость слоистой структуры ФМ-немагнитный проводник-ФМ. Получены и проанализированы частотные и полевые зависимости коэффициента отражения электромагнитных волн (ЭМВ) и интегральной восприимчивости при различном числе слоев в структуре для случаев взаимодействующих и не взаимодействующих между собой ФМ-слоев. Показано, что различными значениями межслоевого обменного взаимодействия и толщины слоев можно управлять резонансным поведением коэффициента отражения от структуры. Доп.точки доступа: Бучельников, В. Д.; Бычков, И. В.; Шавров, В. Г. |
537.6 Г 944 Гуляев, Ю. В. Наноразмерные структуры с включением ферромагнитных металлических слоев: новые эффекты при прохождении перпендикулярного тока [Текст] / Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман, Э. М. Эпштейн // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 4. - С. 433-436. - Библиогр.: с. 436 (14 назв. ). - Доклады Научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): конференции -- сессии -- наноразмерные структуры -- ферромагнитные слои -- перпендикулярный ток -- магнитные переходы -- магнитные поля -- доклады Аннотация: Исследуются эффекты, возникающие при протекании тока через магнитный переход - слоистую наноразмерную структуру, включающую в себя контактирующие ферромагнитные слои. Доп.точки доступа: Зильберман, П. Е.; Эпштейн, Э. М.; Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук (Вторичная ответственность) |
Обменное смещение в структурах IrMn/Co с альтернативным чередованием антиферромагнитного и ферромагнитного слоев [Текст] / Е. В. Хоменко [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 9. - С. 693-697
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): IrMn/Co -- антиферромагнитные слои -- ферромагнитные слои -- высокочастотное излучение -- импульсное лазерное осаждение -- температура Нееля -- Нееля температура Аннотация: Путем измерения угловой зависимости поглощения высокочастотного излучения в области ферромагнитного резонанса исследованы магнитные свойства структур Mo/IrMn/Co/Mo/SiO[2]/Si с альтернативным чередованием антиферромагнитного (АФ) и ферромагнитного (Ф) слоев. Осаждение слоев производилось с помощью импульсного лазерного осаждения в отсутствие магнитного поля. Установлено, что термический отжиг и охлаждение позволяют создавать обменное смещение в структуре с верхним АФ-слоем при температуре, существенно ниже температуры Нееля. В то же время при идентичной термической обработке в структуре с верхним Ф-слоем обменное смещение не возникает. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений. Доп.точки доступа: Хоменко, Е. В.; Чеченин, Н. Г.; Гойхман, А. Ю.; Зенкевич, А. В. |
Динамика магнитного кинка в обменно-связанных ферромагнитных слоях [Текст] / М. А. Шамсутдинов [и др. ] // Физика металлов и металловедение. - 2009. - Т. 108, N 4. - С. 345-358. - Библиогр.: с. 357-358 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитные кинки -- кинки -- ферромагнетики -- межслойные границы -- скорость движения -- дефекты -- ферромагнитные слои -- обменно-связанные ферромагнитные слои -- динамика Аннотация: Развита динамическая теория магнитных кинков в двухслойном ферромагнетике, распространяющихся в направлении нормали к межслойной границе (плоскому "дефекту"). Определены условия прохождения кинков через границу и найдена критическая скорость их поглощения. Показано, что при скорости движения, выше критической, граница, поглощая кинк, испускает антикинк. Установлена зависимость времени задержки кинка на дефекте от его скорости. Доп.точки доступа: Шамсутдинов, М. А.; Хабибуллин, И. Т.; Харисов, А. Т.; Танкеев, А. П. |
Магнитная анизотропия в структурах IrMn/Co с альтернативной последовательностью осаждения антиферромагнитного и ферромагнитного слоев [Текст] / В. В. Хоменко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1583-1589. - Библиогр.: с. 1588-1589 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитная анизотропия -- феромагниты -- ферромагнитные слои -- антиферромагнитные слои -- импульсное лазерное осаждение -- отжиг в магнитном поле -- многослойные ультратонкие структуры -- генерация обменного смещения -- спинтроника Аннотация: Исследованы условия создания и величины одноосной и однонаправленной магнитных анизотропий в структурах IrMn/Co с альтернативной последовательностью нанесения антиферромагнитного (АФ) и ферромагнитного (Ф) слоев при термическом отжиге и охлаждении во внешнем магнитном поле. Обнаружено, что однонаправленная анизотропия (обменное смещение) возникает в структурах с АФ-слоем, нанесенным на Ф-слой (TS-структура), при температуре отжига выше 100 градусов Цельсия. В структурах с Ф-слоем, нанесенным на АФ-слой (BS-структура), обменное смещение не возникает в исследованном диапазоне температур отжига. Обсуждаются возможные причины этого эффекта и соотношение температуры возникновения обменного смещения и температуры Нееля. Доп.точки доступа: Хоменко, Е. В.; Чеченин, Н. Г.; Джунь, И. О.; Перов, Н. С.; Самсонова, В. В.; Гойхман, А. Ю.; Зенкевич, А. В. |
539.21:537 П 276 Перов, Н. С. Резонансное магнитоэлектрическое взаимодействие в несимметричной биморфной структуре ферромагнетик-сегнетоэлектрик [Текст] / Н. С. Перов, Л. Ю. Фетисов, Ю. К. Фетисов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 6. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Магнетизм Кл.слова (ненормированные): биморфные структуры -- несимметричные структуры -- планарные структуры -- планарные несимметричные структуры -- биморфные пластины -- ферромагнетики -- сегнетоэлектрики -- ферромагнетик-сегнетоэлектрик -- магнитоэлектрические взаимодействия -- резонансные взаимодействия -- экспериментальные исследования -- свинец -- цирконаты -- титанаты -- цирконат-титанат свинца -- ферромагнитные слои -- аморфные магнетики -- никель -- магнитострикция -- знаки магнитострикции -- изгибные колебания -- возбуждение колебаний -- резонансные частоты -- коэффициент магнитоэлектрического взаимодействия Аннотация: Экспериментально исследовано магнитоэлектрическое (МЭ) взаимодействие в планарной несимметричной структуре, содержащей биморфную пластину из цирконата-титаната свинца, расположенную между ферромагнитными слоями из аморфного магнетика и никеля с разными знаками магнитострикции. За счет эффективного возбуждения изгибных колебаний на резонансной частоте ~ 5 KHz получен коэффициент МЭ-взаимодействия 18 V· Oe{-1}· cm{-1}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/06/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Фетисов, Л. Ю.; Фетисов, Ю. К. |
539.21:537 Ш 187 Шалыгина, Е. Е. Влияние квантовых размерных эффектов на магнитные свойства тонкопленочных Fe/HMC/Fe (HMC: Mo, Ta) систем [Текст] / Е. Е. Шалыгина, А. А. Рожновская, А. Н. Шалыгин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 20. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (22 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные системы -- магнитные системы -- тонкопленочные магнитные системы -- магнитные свойства -- магнитные характеристики -- размерные эффекты -- квантовые эффекты -- квантовые размерные эффекты -- результаты исследований -- поля насыщения (физика) -- немагнитные слои -- осцилляции -- толщина слоев -- железо -- осцилляционные зависимости -- обменное взаимодействие -- ферромагнитные слои Аннотация: Представлены результаты исследования магнитных характеристик тонкопленочных магнитных систем Fe/НМС/Fe (НМС: Mo, Ta). Обнаружено, что поле насыщения H[S] исследуемых образцов осциллирует как функция толщины немагнитного слоя t[NML] и период этих осцилляций зависит от толщины слоев железа. Найденные осцилляционные зависимости H[S] (t[NML]) объяснены наличием обменного взаимодействия между ферромагнитными слоями и его осцилляционной зависимостью от толщины немагнитной прослойки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/20/p80-86.pdf Доп.точки доступа: Рожновская, А. А.; Шалыгин, А. Н. |
621.375 С 243 Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией [Текст] / А. В. Кудрин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 24. - С. 57-65 : ил. - Библиогр.: с. 65 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- pin-диодные структуры -- светодиоды -- электролюминесценция -- магнитоуправляемая электролюминесценция -- квантовые ямы -- полупроводники -- магнитные поля -- внешние поля -- внешние магнитные поля -- источники напряжения -- диоды -- светоизлучающие диоды -- ферромагнетизм -- ферромагнитные слои -- температура Кюри -- Кюри температура -- температуры Аннотация: Сформирована и исследована pin-диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnAs в качестве полупроводника p-типа проводимости. Показано, что внешнее магнитное поле приводит к уменьшению (на ~ 5% в магнитном поле 3600 Oe при 10 К) сопротивления слоя GaMnAs. В режиме источника напряжения изменение сопротивления приводит к увеличению интенсивности электролюминесценции светоизлучающего диода. Указанный эффект обусловлен ферромагнетизмом в GaMnAs и спадает до нуля при температуре, превышающей температуру Кюри ферромагнитного слоя. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/24/p57-65.pdf Доп.точки доступа: Кудрин, А. В.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И. |
537.311.33 С 721 Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb [Текст] / М. В. Дорохин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 69-77 : ил. - Библиогр.: с. 77 (17 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- светоизлучающие диоды -- спиновые светоизлучающие диоды -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- диодные структуры -- ферромагнитные слои -- инжектирующие слои -- полупроводники -- электролюминесценция -- поляризация структур -- циркулярная поляризация -- магнитные поля -- температуры -- спин-поляризованные дырки -- инжекция дырок -- проводимость -- исследования Аннотация: Сформирована и исследована диодная структура с квантовой ямой InGaAs/ GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника p-типа проводимости. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0. 012 в магнитном поле 0. 37 T) практически не меняется в диапазоне температур 10-50 K. Циркулярная поляризация обусловлена инжекцией в GaAs спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p69-77.pdf Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Малышева, Е. И.; Здоровейщев, А. В.; Данилов, Ю. А. |
621.318.1 Ф 451 Фетисов, Ю. К. Магнитоэлектрический эффект в многослойных структурах ферромагнетик-пьезоэлектрик и его применения в электронике [Текст] / Ю. К. Фетисов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1667-1669. - Библиогр.: c. 1669 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): магнитоэлектрический эффект -- многослойные структуры -- пьезоэлектрические слои -- ферромагнитные слои -- характеристики -- электроника Аннотация: Рассмотрен магнитоэлектрический (МЭ) эффект в многослойных структурах, содержащих магнитострикционные и пьезоэлектрические слои, материалы и технологии, применяемые для изготовления структур, результаты исследований МЭ-эффекта в структурах. |
537.622.4 М 126 Магнитные свойства трехслойных пленок на основе Co-P [Текст] / А. В. Чжан [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1222-1224. - Библиогр.: c. 1224 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): гистерезис -- Керра меридианный эффект -- магнитные свойства -- магнитожесткие слои -- магнитомягкие слои -- меридианный эффект Керра -- многослойные магнитные пленки -- перемагничивание -- ферромагнитные слои -- эффекты магнитного последействия Аннотация: Приведены результаты исследований магнитных свойств трехслойной пленочной системы, которая образована из магнитожесткого и магнитомягкого ферромагнитных слоев Co-P и немагнитным промежуточным слоем Ni-P. Доп.точки доступа: Чжан, А. В.; Кипарисов, С. Я.; Середкин, В. А.; Патрин, Г. С.; Пальчик, М. Г. |
539.2 И 889 Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb / А. И. Бобров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1613-1616 : ил. - Библиогр.: с. 1615 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллические структуры -- ферромагнитные слои -- GaMnSb -- марганец -- метод лазерного осаждения -- лазерное осаждение -- лазерная плазма Аннотация: Исследована кристаллическая структура и состав пленки GaMnSb, полученной на подложке GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в потоке водорода при температуре 400°C. Обнаружено образование включений GaMn в матрице GaSb: Mn, в стехиометрическом соотношении Ga[162. 5]Mn[101. 5. ]. The crystal structure and composition of GaMnSb layer on a GaAs (100) substrate obtained by laser synthesis at 400°C have been investigated. The formation of inclusions GaMn in the matrix GaSb: Mn in stoichiometric composition Ga162. 5Mn101. 5 was found. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1613-1616.pdf Доп.точки доступа: Бобров, А. И.; Павлова, Е. Д.; Кудрин, А. В.; Малехонова, Н. В.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. ЛобачевскогоНанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
537.6 М 801 Морозов, Александр Игоревич (доктор физико-математических наук). Принципы создания магнитной памяти нового поколения / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Вестник Российской академии наук. - 2014. - Т. 84, № 11. - С. 973-979 : 2 портр., 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (30 назв.) . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- магнитная память -- магнитные наноструктуры -- магнитные структуры -- магниторезистивная память -- новые поколения -- ферромагнитные слои Аннотация: В центре внимания авторов - создание магниторезистивной памяти с записью электрическим током. Доп.точки доступа: Сигов, Александр Сергеевич (академик); МГТУ МИРЭА (Москва)МГТУ МИРЭА (Москва) |
535 С 721 Спин-инжекционное стимулированное излучение терагерцевых волн в магнитных переходах / Ю. В. Гуляев [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 9. - С. 591-594
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): терагерцевое излучение -- магнитные переходы -- спин-инжекционное излучение -- ферромагнитные слои -- антиферромагнитные слои Аннотация: Сообщается о наблюдениях стимулированного терагерцевого излучения в магнитных переходах, вызванного инжекцией неравновесных спинов током при комнатных температурах. Исследован контакт между ферромагнитными слоями, а также контакт между ферромагнитным и антиферромагнитным слоями. Ток создает инверсную заселенность спиновых уровней энергии. При помещении в резонатор возникают положительная обратная связь и стимулированное излучение. Наблюдаются выделение доминирующего пика излучения и электромагнитная турбулентность. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю. В.; Вилков, Е. А.; Зильберман, П. Е.; Михайлов, Г. М.; Черных, А. В.; Чигарев, С. Г.; Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН; Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН; Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН; Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН |