Левин, М. Н. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимотям фотоэмиссионного тока [Текст] / М. Н. Левин, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 51 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МДП -- фотоэмиссионные токи -- спектральные зависимости -- потенциальный барьер -- объемный заряд Аннотация: Рассмотрена полевая зависимость фотоэмиссионных токов в МДП структуре при произвольном распределении объемного заряда по толщине диэлектрического слоя. Аналитически установлено, что положение вершины потенциального барьера для фотоэммитируемых из затвора в диэлектрик МДП структуры электронов определяется производной высоты этого барьера по напряженности внешнего поля. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДП структуры по семейству спектральных характеристик, измеренных при различных напряжениях на затворе. Метод эффективен при исследовании распределения отрицательного заряда в диэлектрических слоях МДП структур Доп.точки доступа: Бормонтов, Е.Н.; Волков, О.В.; Остроухов, С.С.; Татаринцев, А.В. |
Загоруйко, Ю. А. Спектрально-чувствительные МОП-фотоварикапы на основе кристаллов CdZnTe и CdS [Текст] / Ю. А. Загоруйко, В. А. Христьян, П. В. Матейченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 4. - С. 12-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектрально-чувствительные структуры -- МОП-фотоварикапы -- CdZnTe кристаллы -- CdS кристаллы -- МОП-структуры -- метод фототермического окисления -- фототермическое окисление -- кислородосодержащая атмосфера -- фотоокислительные отжиги -- отжиги подложек -- пленки CdO -- спектральные зависимости -- фотоварикапы -- полупроводниковые кристаллы -- активные примеси -- кристаллические подложки -- CdO Аннотация: МОП-гетероструктуры на основе кристаллических подложек из CdS и CdZnTe получены методом фототермического окисления образцов в кислородсодержащей атмосфере. При этом были определены режимы проведения фотоокислительных отжигов подложек из CdS, обеспечивающие получение пленок CdO с различными электрическими характеристиками. Установлено, что полученные МОП-структуры имеют высокий коэффициент перекрытия емкости по свету. Впервые определены спектральные зависимости изменения емкости таких МОП-фотоварикапов. Показана возможность значительного изменения максимума спектральной чувствительности емкости фотоварикапов путем легирования исходного полупроводникового кристалла электрически активными примесями. Доп.точки доступа: Христьян, В. А.; Матейченко, П. В. |
Набиев, Г. А. Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения и фотонапряжения [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 924-925 : ил. - Библиогр.: с. 925 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): механизмы генерации фотонапряжения -- фотодиффузионный эффект -- эффект Дембера -- Дембера эффект -- коэффициент поглощения -- p-n переходы -- полупроводниковые пленки -- спектральные зависимости -- спектральные характеристики -- коэффициент фотонапряжения Аннотация: Предложен метод определения механизма генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках: разделение носителей на p-n-переходе или фотодиффузия носителей. Метод основан на спектральных характеристиках коэффициента поглощения и фотонапряжения. |
Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si[1-x]Sn[x] [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 17. - С. 104-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- структурные исследования -- фотоэлектрические исследования -- эпитаксиальные слои -- Si[1-x]Sn[x] -- растворы-расплавы -- оловянные растворы-расплавы -- подложки (физика) -- кристаллографическая ориентация -- эпитаксиальные пленки -- спектральные зависимости -- фоточувствительность -- температуры -- монокристаллические структуры -- субкристаллиты -- влияние температуры Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111) выращивались эпитаксиальные пленки Si[1-x]Sn[x] (0=< x=< 0. 04) n-типа проводимости. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности pSi-nSi[1-x]Sn[x] (0=< x=< 0. 04) структур при различных температурах. Показано, что эпитаксиальная пленка Si[0. 96]Sn[0. 04] имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 60 nm. Наблюдался сдвиг края фоточувствительности структуры pSi-nSi[0. 96]Sn[0. 04] в длинноволновую сторону по сравнению со структурой pSi-nSi. Обнаружено влияние температуры на фоточувствительность структур pSi-nSi[0. 96]Sn[0. 04] в примесной области поглощения. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Усмонов, Ш. Н.; Каланов, М.; Мадаминов, Х. М. |
535.31 С 714 Спектральные зависимости оптического поглощения в кристалле германата висмута, подвергнутом отжигу в вакууме [Текст] / М. Г. Кистенева [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 4. - С. 90-94 : рис. - Библиогр.: c. 93-94 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): германат висмута -- оптическое поглощение -- отжиг в вакууме -- примесное поглощение -- спектральные зависимости Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных зависимостей коэффициента поглощения света в диапазоне 400-1100 нм, наблюдаемых при комнатной температуре в нелегированном кристалле Bi[12]GeO[20], подвергнутом как отжигу в вакууме при температуре 650 °С, так и последующему отжигу в воздушной атмосфере при различных температурах в диапазоне Т[АА] = 315 - 590 °С. Получено, что оптическое поглощение кристалла после температурного отжига в вакууме увеличивается во всем исследованном спектральном диапазоне. Дальнейший отжиг на воздухе приводит к постепенному восстановлению исходного спектра примесного поглощения в диапазоне от 530 до 1100 нм. Обнаружена широкая полоса в спектре наведенных отжигом в вакууме изменений в поглощении, которая может быть обусловлена кислородными вакансиями. Доп.точки доступа: Кистенева, М. Г.; Акрестина, А. С.; Шандаров, С. М.; Мандель, А. Е.; Гребенчуков, А. Н.; Поздеева, Э. В.; Каргин, Ю. Ф. |
535 А 623 Амосова, Л. П. Спектральная зависимость фотоиндуцированного фазового набега в оптически адресуемом модуляторе света [Текст] / Л. П. Амосова, авт. М. Н. Волкова // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 2. - С. 17-24 : ил. - Библиогр.: с. 24 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): спектральные зависимости -- фазовые набеги -- фотоиндуцированные фазовые набеги -- свет -- модуляторы света -- оптически адресуемые модуляторы -- исследования -- пространственные модуляторы -- жидкокристаллические модуляторы -- жидкокристаллические пространственные модуляторы -- длины волн -- волны записи -- волны считывания -- алгоритмы перерасчета -- фотослои -- области чувствительности Аннотация: Исследуется зависимость фотоиндуцированного фазового набега Delta Phi[lambda]оптически адресуемом жидкокристаллическом пространственном модуляторе света (ОА ЖК ПМС) от длин волн записи и считывания. Предлагается алгоритм перерасчета DeltaPhi[lambda] двух произвольных длин волн из области чувствительности фотослоя. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/02/p17-24.pdf Доп.точки доступа: Волкова, М. Н. |
539.21:537 У 748 Усиление магнитооптического эффекта Керра в мультислойных пленках Co/TiO[2] [Текст] / В. В. Поляков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 15-20 : ил. - Библиогр.: с. 20 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): мультислойные пленки -- магнитооптические эффекты -- эффект Керра -- Керра эффект -- спектральные диапазоны -- поляризация эффекта -- плоскость поляризации -- углы вращения -- спектральные зависимости -- результаты исследований -- спектры -- магнитооптические спектры -- диэлектрические слои -- вращение пленок -- керровское вращение -- однородные пленки -- слоистые структуры -- длины волн Аннотация: Представлены результаты исследования спектральных зависимостей угла вращения плоскости поляризации полярного эффекта Керра (theta[k]) мультислойных пленок Co/TiO[2] в спектральном диапазоне 400-1000 nm. Показано, что знак, величина и форма магнитооптического спектра зависят от толщины диэлектрической прослойки и количества слоев. Обнаружено значительное увеличение угла керровского вращения пленок Co/TiO[2] по сравнению с однородными пленками Co. Угол поворота плоскости поляризации достигает рекордного значения 2theta[k]=7. 3 deg в слоистой структуре Co (5 nm) /TiO[2] (17 nm) с числом пар слоев n=8 на длине волны 540 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p15-20.pdf Доп.точки доступа: Поляков, В. В.; Полякова, К. П.; Середкин, В. А.; Патрин, Г. С. |
621.315.592 С 585 Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур O[x]/p-InAs [Текст] / В. Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1293-1296 : ил. - Библиогр.: с. 1296 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ГС -- фотоэлектрические свойства -- поверхностное термическое взаимодействие -- метод поверхностного термического взаимодействия -- арсенид индия -- InAs -- контакты -- тонкие пленки -- собственные окислы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные зависимости -- фоточувствительность -- фотодетекторы -- широкополосные фотодетекторы -- оптическое излучение -- фотоактивное поглощение Аннотация: Впервые методом поверхностного термического взаимодействия арсенида индия с нормальной воздушной атмосферой Земли получены гетероструктуры, представляющие собой контакт тонкой пленки собственного окисла O[x] арсенида индия с пластиной InAs. Исследованы первые вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур O[x]/p-InAs. Впервые для этих гетероструктур обнаружено выпрямление и анализируются спектральные зависимости фоточувствительности. Сделан вывод о возможности использования новой технологии для получения широкополосных фотодетекторов оптического излучения O[x]/p-InAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1293-1296.pdf Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Ушакова, Т. Н.; Сергинов, М. С. |
621.315.592 Б 811 Бондарь, И. В. Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In[2]S[3])[x](CuIn[5]S[8])[1-x] [Текст] / И. В. Бондарь, авт. В. В. Шаталова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1146-1149 : ил. - Библиогр.: с. 1148-1149 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- твердые растворы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- запрещенные зоны -- собственное поглощение -- спектры пропускания -- квадратичная зависимость -- концентрационные зависимости -- полосы поглощения -- полупроводниковые соединения -- спектральные зависимости Аннотация: На монокристаллах соединений In[2]S[3], CuIn[5]S[8] и твердых растворах (In[2]S[3]) [x] (CuIn[5]S[8]) [1-x], выращенных методом Бриджмена (вертикальный вариант), проведены исследования спектров пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения при 80 и 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава x при 80 и 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1146-1149.pdf Доп.точки доступа: Шаталова, В. В. |
621.315.592 П 641 Потенциальный барьер и фотопотенциал на интерфейсах пленок фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди на поверхности диоксида олова [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1015-1016 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): потенциальные барьеры -- ультратонкие покрытия -- фталоцианин меди -- CuPc -- диоксид меди -- поверхность диоксида меди -- интерфейсы пленок -- длина волны -- фотопотенциал поверхности -- органические пленки -- осаждение пленок -- подложки -- спектральные зависимости -- спектры поглощения -- органические материалы -- пучки электронов -- электроны -- спектроскопия полного тока -- СПТ -- электронная плотность -- носители заряда -- фотовольтаические свойства Аннотация: Исследовано формирование потенциального барьера при осаждении ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 16-фторозамещенного гексадекафлюро-фталоцианина меди (F[16]CuPc) на поверхность поликристаллического диоксида олова, а также при осаждении F[16]CuPc-покрытия поверх пленки CuPc. При освещении приготовленных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности. Фотопотенциал поверхности исследованных органических пленок имеет положительный знак относительно подложки, его спектральные зависимости соответствуют спектрам поглощения органических материалов CuPc и F[16]CuPc. Измерения потенциала поверхности проводили с помощью тестирующего пучка медленных электронов на основе методики спектроскопии полного тока. В процессе осаждения пленки CuPc толщиной до 8 нм на подложку SnO[2] обнаружено суммарное уменьшение работы выхода на 0. 2 эВ, а в случае F[16]CuPc/SnO[2] интерфейса обнаружено увеличение работы выхода на 0. 55 эВ. При этом на начальной стадии осаждения при толщине органических пленок на 1. 5 нм пограничный потенциальный барьер соответствовал переносу электронной плотности от органической пленки в подложку как в случае CuPc/SnO[2], так и в случае F[16]CuPc/SnO[2]. Предположено, что фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности вызвано разделением носителей заряда в пограничной области толщиной до 1. 5 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1012-1016.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, С. А.; Репин, П. С.; Гавриков, А. А. |
621.315.592 Б 892 Брус, В. В. Об импедансной спектроскопии структур с потенциальным барьером [Текст] / В. В. Брус // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1035-1038 : ил. - Библиогр.: с. 1037-1038 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импедансная спектроскопия -- спектральные зависимости -- импеданс -- p-n переходы -- кремниевые p-n переходы -- потенциальные барьеры Аннотация: Проведен детальный анализ спектральных зависимостей действительной и мнимой компонент измеренного импеданса смоделированного кремниевого p-n-перехода в рамках общепринятой эквивалентной схемы (параллельная R[d]C[b] цепочка и последовательное сопротивление R[s]). Предложен простой способ определения истинного значения барьерной емкости структур с потенциальным барьером (при отсутствии поверхностных электрически активных состояний) на основе анализа спектральной зависимости мнимой части измеренного импеданса. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1035-1038.pdf |
621.315.592 В 586 Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства [Текст] / А. В. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 769-774 : ил. - Библиогр.: с. 773-774 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное облучение -- облучение лазером -- фемтосекудное лазерное облучение -- гидрогенизированный аморфный кремний -- аморфный кремний -- кремний -- пленки кремния -- структурные свойства -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- лазерная обработка -- неоднородность поверхности -- фотопроводимость -- спектральные зависимости -- коэффициент поглощения -- фототоки Аннотация: Исследовано влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si : H) на изменение их структурных, фотоэлектрических и оптических свойств. Использованные в работе условия проведения лазерной обработки различной интенсивности приводили к неоднородному по поверхности изменению структуры пленки. Рост интенсивности облучения приводил к увеличению вклада нанокристаллической фазы в усредненную по поверхности образца структуру, а также к увеличению проводимости и фотопроводимости исследованных образцов. В то же время спектральная зависимость коэффициента поглощения для всех исследованных образцов, полученная методом постоянного фототока, имела форму, характерную для пленок аморфного кремния. Полученные результаты указывают на возможность увеличения фотопроводимости в пленках a-Si : H в результате их облучения фемтосекундными лазерными импульсами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p769-774.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, А. В.; Казанский, А. Г.; Кашкаров, П. К.; Коньков, О. И.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Хенкин, М. В.; Кукин, А. В.; Beresna, M.; Kazansky, P. |
621.315.592 С 585 Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/n-GaP [Текст] / В. Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 798-801 : ил. - Библиогр.: с. 800-801 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- безвакуумное термическое воздействие -- термическое воздействие -- кристаллы -- фосфид галлия -- фотовольтаический эффект -- окисные пленки -- спектральные зависимости -- квантовая эффективность -- фотопреобразование -- межзонные переходы -- запрещенные зоны -- монокристаллы -- оптические излучения Аннотация: Методом безвакуумного термического взаимодействия кристаллов фосфида галлия с окружающей воздушной средой созданы первые фоточувствительные гетероструктуры Ox/n-GaP (Ox - естественный окисел). Выявлен фотовольтаический эффект гетероструктур, который преобладает при их освещении со стороны окисной пленки. Анализируются первые спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетероструктур, определен характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны фосфида галлия. Сделан вывод о возможностях применения безвакуумного термического окисления гомогенных монокристаллов n-GaP в окружающей воздушной атмосфере для создания широкодиапазонных фотопреобразователей оптических излучений. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p798-801.pdf Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И.; Ушакова, Т. Н. |
621.315.592 О-754 Особенности спектральных зависимостей пропускания в органических полупроводниках на основе молекул трет-бутилзамещенного дифталоцианина лютеция [Текст] / И. А. Белогорохов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1509-1513 : ил. - Библиогр.: с. 1512 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): спектральные зависимости -- органические полупроводники -- вибронные свойства -- трет-бутилзамещенный дифталоцианин лютеция -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- спектры пропускания -- ИК-спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- спектральные характеристики -- лиганды -- фталоцианиновые лиганды -- атомы углерода -- атомы изотопа Аннотация: В работе проведены исследования вибронных свойств органических полупроводников на основе молекул трет-бутилзамещенных дифталоцианинов лютеция. Методами ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света было показано, что при замене нескольких атомов углерода в исходных фталоцианиновых (Pc) лигандах на атомы изотопа {13}C наблюдается спектральный сдвиг положения основных линий поглощения, характеризующих бензольную, изоиндольную группу, а также периферийные C-H группы. Сравнение спектральных характеристик показало, что величина смещения может меняться от 3 до 1 см{-1}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1509-1513.pdf Доп.точки доступа: Белогорохов, И. А.; Тихонов, Е. В.; Дронов, М. А.; Белогорохова, Л. И.; Рябчиков, Ю. В.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р. |
535.2/.3 Д 400 Джалилов, Н. З. Спектры оптических параметров в массивных и пленочных аморфных твердых растворах системы Se[95]As[5], содержащих примеси самария (Sm) [Текст] / Н. З. Джалилов, авт. Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1223-1228 : ил. - Библиогр.: с. 1227-1228 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- аморфные твердые растворы -- пленочные твердые растворы -- массивные твердые растворы -- примеси самария -- самарий -- Sm -- оптические параметры -- спектры отражения -- метод Крамерса - Кронига -- Крамерса - Кронига метод -- спектральные зависимости -- оптические постоянные -- производные -- диэлектрические функции -- кластерные модели -- электронные состояния -- кластеры -- исследования Аннотация: Исследованы спектры отражения массивных и пленочных аморфных твердых растворов системы Se[95]As[5], содержащих примеси самария (Sm) в интервале энергии 1-6 эВ. Методом Крамерса-Кронига рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных и производных от них оптических диэлектрических функций. Изменения спектров оптических параметров в зависимости от содержания введенных в Se[95]As[5] примесей и условия их приготовления объясняются на основе кластерной модели, по которой изменения плотности электронных состояний при этом зависят от характера изменения конфигураций атомов в кластерах, т. е. изменения характера ближнего порядка. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1223-1228.pdf Доп.точки доступа: Дамиров, Г. М. |
537.632 О-627 Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких композитных слоев GaAs-MnAs [Текст] / Е. А. Ганьшина [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 176-179. - Библиогр.: c. 179 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): оптическая спектроскопия -- магнитооптическая спектроскопия -- композиты -- спектральные зависимости -- экваториальный эффект Керра -- Керра экваториальный эффект -- диэлектрическая проницаемость -- рентгеноспектральный анализ -- эллипсометрические исследования -- метод лазерного осаждения Аннотация: В диапазоне энергий 1-4. 5 эВ проведены эллипсометрические и магнитооптические исследования слоев MnAs и композитов GaAs-MnAs, полученных методом лазерного осаждения. Доп.точки доступа: Ганьшина, Е. А.; Голик, Л. Л.; Ковалев, В. И.; Кунькова, З. Э.; Вашук, М. В.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н.; Сафьянов, Ю. Н.; Сучков, А. И. |
535 О-862 Отражательный интерферометр для исследования амплитудно-фазовых характеристик полупроводниковых наноструктур [Текст] / А. А. Ковалёв [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 2. - С. 290-291 : Рис. - Библиогр.: c. 291 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Оптика в целом Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): отражательный интерферометр -- спектральные зависимости -- полупроводниковые наноструктуры -- амплитудно-фазовые характеристики -- многолучевая интерферометрия -- зеркала -- отражательная способность -- квантовые ямы -- интерферометры Аннотация: Предложено применять отражательный интерферометр для измерения спектральной зависимости фазы отражения зеркал, изготовленных на основе многослойных полупроводниковых наноструктур. Доп.точки доступа: Ковалёв, А. А.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Пчеляков, О. П.; Рубцова, Н. Н. |
539.2 Ф 815 Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO[2], сенсибилизированного нанокристаллами CdSe / К. А. Дроздов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 360-363 : ил. - Библиогр.: с. 363 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- композитные структуры -- нанокристаллы -- коллоидные квантовые точки -- квантовые точки -- сенсибилизация -- спектральные зависимости -- носители заряда -- пористые нанокристаллы -- зарядоперенос -- матрицы -- селенид кадмия Аннотация: Внедрение в пористую матрицу SnO[2] нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77-300 K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2. 7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена. Introduction of CdSe nanocrystals (colloidal quantum dots) into a porous SnO[2] matrix results in appearance of photoconductivity in the resulting structures. Photosensitization arises from the charge transfer between the quantum dot and the matrix. Photoconductivity spectra show that CdSe nanocrystals are responsible for the optical activity of resulting composite systems. Photoconductivity of the structures, photosensitized with CdSe quantum dots of different size, was measured in the temperature interval 77-300K. It is shown, that highest photoconductivity is achieved for structures with CdSe nanocrustals of smallest size (2. 7 nm). Possible mechanisms of charge transport in matrix and kinetics of charge transfer are discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p360-363.pdf Доп.точки доступа: Дроздов, К. А.; Кочнев, В. И.; Добровольский, А. А.; Васильев, Р. Б.; Бабынина, А. В.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
536.22/.23 В 586 Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства / М. В. Хенкин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1283-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1286 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Газы и жидкости Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- оптические свойства -- фотоэлектрические свойства -- пленки кремния -- полиморфный кремний -- метод плазмохимического осаждения -- плазмохимическое осаждение -- газовые смеси -- моносилан -- водород -- рамановское рассеяние -- спектры рамановского рассеяния -- фотопроводимость -- ФП -- спектральные зависимости -- коэффициент поглощения -- фототоки Аннотация: Исследовались структурные, оптические и фотоэлектрические свойства пленок полиморфного кремния, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой смеси моносилана и водорода при высоком давлении. Изменение давления газовой смеси при получении пленок не приводило к существенному изменению измеренных для них спектров рамановского рассеяния, но вызывало изменение величины фотопроводимости и формы спектральной зависимости коэффициента поглощения, измеренной методом постоянного фототока. Наблюдаемое изменение оптических и фотоэлектрических параметров пленок связывается с некоторым изменением их структуры при изменении параметров осаждения. We have studied structural, optical and photoelectric properties of polymorphous silicon thin films, obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition from high pressure silane and hydrogen gas mixture. Change of gas mixture pressure in deposition chamber did not affect substantially films Raman spectra, but resulted in changes of photoconductivity value and shape of spectral dependencies of absorption coefficient measured by constant photocurrent method. Observed changes in optical and photoelectric parameters of the films are associated with certain modification of their structure caused by variation of deposition parameters. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1283-1287.pdf Доп.точки доступа: Хенкин, М. В.; Емельянов, А. В.; Казанский, А. Г.; Форш, П. А.; Кашкаров, П. К.; Теруков, Е. И.; Орехов, Д. Л.; Roca i Cabarrocas, P.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). ООО НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). ООО НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике; LPICM-CNRS, Ecole polytechnique (France)Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |
535.37 З-135 Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами / М. Я. Винниченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1526-1529 : ил. - Библиогр.: с. 1529 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инжекционные лазеры -- лазеры -- инфракрасные диапазоны -- квантовые ямы -- спектральные зависимости -- люминесценция -- спонтанная люминесценция -- токовая зависимость -- лазерная генерация -- носители заряда -- размерное квантование -- поглощение света -- свободные дырки -- волноводы -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе. The current dependence of spontaneous luminescence in the injection infrared lasers with InGaAsSb/InAlGaAsSb quantum wells has been studied. The current dependence of carrier concentration was determined from the spectral dependence of integral spontaneous luminescence. The lack of concentration saturation with current has been observed in the lasing regime. We associate it with carrier heating in the quantum wells and with the increase of the light absorption related to free holes in the waveguide. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1526-1529.pdf Доп.точки доступа: Винниченко, М. Я.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Машко, М. О.; Балагула, Р. М.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |