621.315.592 Ш 672 Школьник, А. С. Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек [Текст] / А. С. Школьник, А. В. Савельев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 296-302 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители заряда -- квантовые точки -- фотолюминесценция -- гетероструктуры Аннотация: Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временным разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами "медленной" компоненты до сотен наносекунд и "быстрой" в единицы наносекунд. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание "медленной" компоненты фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Савельев, А. В.; Карачинский, Л. Я.; Гордеев, Н. Ю.; Сейсян, Р. П.; Зегря, Г. Г.; Pellegrini, S.; Buller, G. S.; Евтихиев, В. П. |
Распределение неравновесных носителей заряда в нелинейном тонкопленочном конденсаторе [Текст] / В. А. Вольпяс [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 19. - С. 80-86 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители заряда -- нелинейные тонкопленочные конденсаторы -- электрические заряды -- напряжения смещения Аннотация: Измерены и проанализированы процессы релаксации емкости нелинейного тонкопленочного BSTO конденсатора между стационарными состояниями, определяемыми различными значениями приложенного напряжения смещения. На основе предложенной методики измерения динамических вольт-фарадных характеристик получены оценки значений коэффициентов диффузии и подвижности неравновесных носителей электрического заряда и область их пространственной локализации. Доп.точки доступа: Вольпяс, В. А.; Гагарин, А. Г.; Козырев, А. Б.; Алтынников, А. Г. |
Установка для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда монокристаллического кремния [Текст] / Н. Н. Горюнов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 5. - С. 27-30. - Библиогр.: с. 30 (3 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): АПК-Тауметр (аппаратно-программные комплексы) -- аппаратно-программные комплексы -- время жизни заряда -- измерение времени жизни -- кремний -- монокристаллический кремний -- неравновесные носители заряда -- носители заряда -- установки Аннотация: Описаны конструкции и принцип работы автоматизированной установки для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в кремнии по спаду фотопроводимости, регистрируемому по поглощению СВЧ. Доп.точки доступа: Горюнов, Н. Н.; Кобелева, С. П.; Чарыков, Н. А.; Лукашов, Н. В.; Слесарев, В. Н. |
Ладутенко, К. С. Прямое наблюдение утечек неосновных носителей заряда в действующем лазерном диоде методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии [Текст] / К. С. Ладутенко, А. В. Анкудинов, В. П. Евтихиев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 74-80 : ил. - Библиогр.: с. 80 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): метод сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии -- метод СКЗМ -- СКЗМ метод -- сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии метод -- процессы утечки -- дырки -- электроны -- активные области -- лазерные диоды -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые лазерные диоды -- лазерные зеркала -- усредненные сигналы вариаций -- разность потенциалов -- импульсное питание -- сигналы -- степени перезарядки -- медленные поверхностные состояния -- носители заряда -- неравновесные носители заряда -- утечка тока Аннотация: Предлагается подход к изучению процессов утечки дырок и электронов из активной области полупроводниковых лазерных диодов, заключающийся в измерениях с помощью сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии на поверхности лазерных зеркал усредненного сигнала вариаций локальной контактной разности потенциалов, возникающих в действующем приборе при импульсном питании. Показано, что уровень измеряемого сигнала определяется степенью перезарядки медленных поверхностных состояний, взаимодействующих с неравновесными носителями заряда, концентрация которых прямо связана с током утечки. Доп.точки доступа: Анкудинов, А. В.; Евтихиев, В. П. |
Особенности электропроводимости и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы M (II) /Cr (III) [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 507-511
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полимерные композиты -- магнитные поля -- малоразмерные частицы -- неравновесные носители заряда -- магнитные центры Аннотация: Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полимерных композитов с добавками гетерополиядерных комплексов Zn (II) /Cr (III) или Co (II) /Cr (III). При возбуждении d-d-переходов Cr\{3+\} внутренний фотоэффект в пленках исследуемых композитов для комплекса цинка больше, чем для комплекса кобальта. Фотопроводимость возрастает при введении в состав композитов акцепторной добавки C[60]. Энергия активации электропроводимости и фотопроводимости >1 эВ и слабо зависит от внешнего электрического поля. Фототок уменьшается при включенном внешнем магнитном поле, и это в большей степени проявляется для композитов, содержащих комплекс Co (II) /Cr (III). Различия в фотопроводимости связываются с различными магнитными свойствами металлических центров в гетерополиядерных комплексах. Доп.точки доступа: Давиденко, Н. А.; Дехтяренко, С. В.; Кокозей, В. Н.; Козинец, А. В.; Семенака, В. В.; Скрышевский, В. А.; Третяк, О. В. |
Данильченко, В. Г. Арсенидгаллиевые быстродействующие импульсные диоды на основе гетероструктур [Текст] / В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Ф. Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1093-1095 : ил. - Библиогр.: с. 1095 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- импульсные диоды -- арсенидгаллиевые диоды -- быстродействующие диоды -- гетероструктуры -- p-n переходы -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- диоды с накоплением заряда -- ДНЗ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- инжектированные носители Аннотация: Приведены результаты исследования переключающих свойств арсенидгаллиевых диодов на основе гетероструктур. Показано, что использование в базовой области градиента запрещенной зоны или широкозонной "стенки" (резкий гетеропереход) позволяет управлять характером распределения инжектированных носителей и осуществлять их накопление вблизи p-n-перехода, что приводит к более быстрому этапу восстановления обратного напряжения (60-70 пс). Для повышения рабочих напряжений рассмотрены структуры, в которых наряду с градиентом ширины запрещенной зоны использовался градиент примеси. Доп.точки доступа: Корольков, В. И.; Солдатенков, Ф. Ю. |
Стафеев, В. И. Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами [Текст] / В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1321-1328 : ил. - Библиогр.: с. 1328 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- носители заряда -- неравновесные носители заряда -- термоэлектрические явления -- электрофизические явления -- электрогравитационные явления -- n-p переходы -- эффект Пельтье -- Пельтье эффект -- инжекционный перенос тепла -- молекулярные наночастицы Аннотация: Приведены результаты исследований термоэлектрических и других электрофизических явлений в полупроводниковых структурах с n-p-переходами при прохождении тока в пропускном направлении. Направление переноса тепла противоположно наблюдаемому при "обычном" эффекте Пельтье, а величина эффекта намного больше. Оценены возможные параметры термоэлектрических охлаждающих устройств на этом эффекте. Оценены размеры элементарных структурных единиц конденсированных фаз. Описаны термоэлектрические, электрогравитационные и другие явления в веществах, носителями электрических зарядов в которых являются многомолекулярные нанокомплексы - зародыши других фаз. |
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd]. Доп.точки доступа: Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В. |
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1519-1522 : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. |
621.315.592 П 195 Пастор, А. А. Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре [Текст] / А. А. Пастор, П. Ю. Сердобинцев, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 637-640 : ил. - Библиогр.: с. 639-640 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители заряда -- релаксация (физика) -- время жизни носителей заряда -- эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- коэффициент преломления света -- GaAs Аннотация: Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Условия выращивания эпитаксиального слоя обеспечивали содержание в нем избыточного мышьяка в количестве 1. 2%. В таком материале время жизни носителей заряда составляет <1 пс. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. Определено время жизни неравновесных носителей заряда, оказавшееся равным (200±35) фс. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p637-640.pdf Доп.точки доступа: Сердобинцев, П. Ю.; Чалдышев, В. В. |
621.315.592 М 300 Марченко, И. Г. Технологические особенности электронного облучения Si p{+}-n-n{+}-диодов при повышенных температурах [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- облучение электронами -- электроны -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- температура облучения -- диоды -- силовые полупроводниковые приборы -- СПП -- радиационные центры -- легирование фосфором -- выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- ядерные реакции -- технологическое облучение -- электрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- КЭФ -- КОФ -- кремниевые пластины Аннотация: Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда tau[p], обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (E[irr]=6 МэВ) промышленных p{+}-n-n{+}-диодах при температурах облучения в интервале T[irr]=20-400°C. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений tau[p] при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины tau[p] в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при T[irr]=300°C, а в образцах на КОФ - при T[irr]=350°C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1549-1552.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
538.9 З-481 Зеленер, Б. Б. Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле / Б. Б. Зеленер, Б. В. Зеленер, Э. А. Маныкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 3. - С. 164-167
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- магнитное поле -- неравновесные носители заряда -- рекомбинация носителей заряда Аннотация: В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур T= (1-10) К, концентраций зарядов n[e]= (10\{10\}-10\{14\}) см и значений индукции магнитного поля B= (3 10\{2\}-3 10\{4\}) Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при p-n-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения. Доп.точки доступа: Зеленер, Б. В.; Маныкин, Э. А. |
621.315.592 Ш 544 Шеховцов, Н. А. Зависимость дифференциальной емкости p{+}-n-перехода от напряжения / Н. А. Шеховцов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 521-531 : ил. - Библиогр.: с. 530 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дифференциальные емкости -- p-n-переходы -- однородное легирование -- легирование -- неравновесные носители заряда -- биополярная дрейфовая подвижность -- электроны -- дырки -- напряжение -- инжекция -- дрейфовая подвижность -- уравнения динамического равновесия -- динамическое равновесие -- положительные значения -- постоянные положительные значения -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Получены зависимости дифференциальной емкости и тока p{+}-n-перехода с однородным легированием n-области от напряжения на области перехода. Емкость p{+}-n-перехода определяет изменение заряда в области перехода с учетом изменения электрического поля квазинейтральной n-области и изменения биполярной дрейфовой подвижности в ней при увеличении концентрации неравновесных носителей заряда. Показано, что изменение знака емкости p{+}-n-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности при увеличении концентрации пар электрон-дырка в n-области. Показано, что с ростом обратного напряжения емкость p{+}-n-перехода уменьшается и стремится к постоянному положительному значению. Dependences of capacitance and current of a p{+}-n-junction with homogeneous doping of n-region on its voltage are calculated. The capacitance of a p{+}-n-junction defines a change of charge into region of junction according to a change of electrical field of quasineutral n-region and a change of bipolar drift mobility under an increase of nonequilibrium charge carrier concentration. It is shown that a change of sign of p{+}-n-junction capacitance with an increase in the injection level is caused by a decrease of bipolar drift mobility under an increase of electron-hole pair concentration in the n-region. It is shown that the capacitance of p{+}-n-junction decreased with an increase of reverse voltage and tended to a constant positive value. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p521-531.pdf |
539.2 В 586 Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре / А. А. Пастор [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1144-1148 : ил. - Библиогр.: с. 1147-1148 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- образцы -- GaAs -- арсенид галлия -- отжиг -- коэффициент преломления света -- преломление света -- время жизни заряда -- неравновесные носители заряда -- точечные дефекты -- станционарное оптическое поглощение -- оптическое поглощение -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- нановключения -- металлические нановключения -- кристаллические матрицы Аннотация: Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (230 °C). Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600 °C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанной на методике накачки-зондирования (pump-probe), было определено время жизни неравновесных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным (275±30) фс. Причиной весьма малого времени жизни в неотожженном материале является большая концентрация точечных дефектов, преимущественно антиструктурных дефектов AsGa. Исследования рентгеновской дифракции и стационарного оптического поглощения показали, что в данных образцах концентрация AsGa составляет 3 x 10{19} см{-3}, что соответствует избытку мышьяка 0. 26 ат%. В процессе отжига при 600 °C сверхстехиометрические дефекты As самоорганизуются и формируют нановключения As в кристаллической матрице GaAs. Показано, что при этом время жизни неравновесных носителей заряда увеличивается до (452±5) фс. Такое время жизни, по-видимому, преимущественно обеспечивается захватом неравновесных носителей заряда на металлические нановключения As. Studied were GaAs samples grown by molecular-beam epitaxy at low temperature (230°С). A part of the samples was additionally subjected to a post-growth annealing at 600°С. Using an original technique for measurements of dynamic changes in the light refraction coefficient, which was based on the pump? probe method, we determined the lifetime of the non-equilibrium charge carriers. Before the annealing it appeared to be (275±30) fs. The reason for the quite a short lifetime in the unannealed material is a high concentration of point defects, mostly antisite defects AsGa. Study of the x-ray diffraction and stationary optical absorption in the samples showed the AsGa concentration to be 3 x 10{19} cm{-3}, that corresponds to the As excess of 0. 26 at%. During the annealing at 600°С the superstoichiometric As defects get self-organizing and form As nanoinclusions in the crystalline GaAs matrix. Our study showed that it is accompanied by an increase in the lifetime of the non-equilibrium charge carriers to (452±5) fs. Such lifetime seems to be provided via the capture of the non-equilibrium charge carriers by the metallic As nanoinclusions. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1144-1148.pdf Доп.точки доступа: Пастор, А. А.; Прохорова, У. В.; Сердобинцев, П. Ю.; Чалдышев, В. В.; Яговкина, М. А.; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
535.37 К 413 Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI / А. Н. Яблонский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1509-1512 : ил. - Библиогр.: с. 1512 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- спектральные характеристики -- временные характеристики -- фотолюминесценция -- многослойные структуры -- кремниевые подложки -- подложки -- длина волны -- неравновесные носители заряда -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- оптическая накачка -- кинетика фотолюминесценции Аннотация: Представлены результаты исследования спектральных и временных характеристик фотолюминесценции многослойных структур с самоформирующимися Ge (Si) островками, выращенных на кремниевых подложках и подложках "кремний-на-изоляторе", в зависимости от температуры и длины волны возбуждающего излучения. В структурах с Ge (Si) островками, выращенными на кремниевых подложках, обнаружено значительное возрастание интенсивности фотолюминесценции островков при увеличении температуры от 4 до 70 K, связанное с диффузией неравновесных носителей заряда из кремниевой подложки в активный слой с островками. При этом в кинетике нарастания фотолюминесценции островков возникает медленная компонента с характерным временем ~100 нс. В то же время в структурах, выращенных на подложках "кремний-на-изоляторе", в которых активный слой с островками изолирован от кремниевой подложки слоем SiO[2], медленная компонента в кинетике нарастания фотолюминесценции островков отсутствует, и возрастание интенсивности фотолюминесценции с ростом температуры не наблюдается. Установлено, что поглощение возбуждающего излучения в островках и SiGe смачивающих слоях дает основной вклад в возбуждение сигнала фотолюминесценции островков в условиях подзонной оптической накачки. The paper presents the results of a study of the spectral and temporal characteristics of the photoluminescence in multilayer structures with self-assembled Ge (Si) islands grown on silicon and "silicon-on-insulator" substrates, depending on the temperature and excitation wavelength. In the structures with Ge (Si) islands grown on silicon substrates a significant increase in the PL intensity of the islands has been observed with increasing temperature from 4 to 70K, due to the diffusion of nonequilibrium charge carriers from the silicon substrate into the active layer with islands. This was accompanied by appearance of a slow component in the rise kinetics of the island photoluminescence with characteristic time of ~ 100 ns. At the same time, in the structures grown on "silicon-on-insulator" substrates, in which the active layer with islands is isolated from the silicon substrate with SiO[2] layer, the slow component in the rise kinetics of island photoluminescence was absent, and the increase in the PL intensity with increasing temperature was not observed. It has been shown that the direct absorption of the pumping radiation in the islands and SiGe wetting layers makes the main contribution to the excitation of photoluminescence signal of the islands under sub-bandgap optical pumping. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1509-1512.pdf Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Байдакова, Н. А.; Новиков, А. В.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
543.62 П 125 Павлюк, М. Д. Получение Cd, Zn и Te высокой чистоты методом многостадийной вакуумной дистилляции / М. Д. Павлюк, В. М. Каневский, Ю. М. Иванов // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58, № 8. - С. 1082-1085 : рис. - Библиогр.: с. 1085 (8 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): детекторные монокристаллы -- синтезируемые кристаллы -- примеси металлов -- неравновесные носители заряда -- монокристаллы Аннотация: Представлена оригинальная установка многостадийной вакуумной дистилляции Cd, Zn и Te, характеризующаяся простотой аппаратурного оформления и минимальными потерями исходного материала. Доп.точки доступа: Каневский, В. М.; Иванов, Ю. М. |
620.1/.2 А 736 Анфимов, И. М. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом кремнии / И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, И. В. Щемеров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2014. - Т. 80, № 1. - С. 41-45. - Библиогр.: с. 45 (15 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Математика Исследование операций Кл.слова (ненормированные): измерение времени жизни -- неравновесные носители заряда -- монокристаллический кремний -- одномерное приближение -- уравнение непрерывности -- рекомбинационное время жизни -- носители заряда -- свободные носители заряда -- фотопроводимость -- релаксация фотопроводимости -- поверхностная рекомбинация Аннотация: Определены границы применимости приближенных формул оценок эффективного времени жизни с использованием численных методов расчета параметров релаксационной кривой спада фотопроводимости. Доп.точки доступа: Кобелева, С. П.; Щемеров, И. В.; НИТУ "МИСиС" (Москва); НИТУ "МИСиС" (Москва)НИТУ "МИСиС" (Москва) |
539.2 М 806 Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии / С. М. Пещерова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 492-497 : ил. - Библиогр.: с. 497 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): мультикристаллический кремний -- кремний -- мультикремний -- кристаллы мультикремния -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- структура кремния -- исследование структуры -- электрофизические характеристики -- метод Бриджмена - Стокбаргера -- Бриджмена - Стокбаргера метод -- металлография -- микроскопия -- границы зерен -- межзеренные границы -- солнечные преобразователи Аннотация: Проведены исследования структуры мультикристаллического кремния и распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности и в объеме образцов. Выявлены закономерные зависимости электрофизических характеристик от строения зерен и межзеренных границ. Изучены межзеренные границы в мультикремнии, выращенном методом Бриджмена-Стокбаргера из расплава металлургического рафинированного кремния. Полученные с помощью металлографии и микроскопии описания границ зерен могут учитываться при подборе условий кристаллизации, при которых возможно получение мультикремния с совершенной структурой как материала для солнечных преобразователей. The structure of multicrystalline silicon and distribution of minority-carrier lifetime over the surface and in the bulk of the sample have been researched. Regular dependences of electro physical parameters on the structure of grains and grain boundaries were revealed. The description of the grain boundaries is suggested for multisilicon which has been grown up by of Bridzhmen-Stockbarger method from melt of metallurgical refined silicon. Available experimental data can be used in the further research of crystallization conditions to reach more perfect structure of multicrystalline silicon as the material for solar power engineering. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p492-497.pdf Доп.точки доступа: Пещерова, С. М.; Непомнящих, А. И.; Павлова, Л. А.; Елисеев, И. А.; Пресняков, Р. В.; Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук (Иркутск); Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук (Иркутск); Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук (Иркутск); Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук (Иркутск); Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук (Иркутск) |