621.315.592 М 801 Морозова, Н. К. Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос, Е. М. Гаврищук, В. Г. Галстян // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 131-135 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): зона проводимости -- непересекающиеся зоны -- спектры самоактивированной люминесценции -- фоновые примеси Аннотация: В соответствии с теорией расщепления зоны проводимости под действием изоэлектронной примеси кислорода в A\{II\}B\{VI\} дана новая интерпретация спектров самоактивированной люминесценции, позволившая объяснить с общих позиций природу полос, возникновение которых до настоящего времени оставалось неясным. Интерпретация спектров проведена на основе большого экспериментального материала предшествующих исследований при иллюстрации конкретными примерами, необходимыми для изложения проблемы. Доп.точки доступа: Мидерос, Д. А.; Гаврищук, Е. М.; Галстян, В. Г. |
Особенности спектров люминесценции кристаллов ZnS (O) и ZnS Cu (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1039-1045 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектры люминесценции -- теория непересекающихся зон -- изоэлектронные примеси -- экситоны -- зона проводимости Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, определяющей изменение зонной структуры под действием изоэлектронной примеси, сильно искажающей решетку, дана интерпретация природы сложных спектров самоактивированной люминесценции и их особенностей для ZnS (O) и ZnS Cu (O). В работе рассмотрено свечение с участием центров самоактивированной люминесценции SA и SAL, спектральная зависимость его компонент от концентрации растворенного кислорода, влияние центров на возникновение связанного экситона. Представлена на основе экспериментальных данных отсутствующая в настоящее время зонная модель ZnS (O) и ее изменение в присутствии Cu. Доп.точки доступа: Морозова, Н. К.; Мидерос, Д. А.; Галстян, В. Г.; Гаврищук, Е. М. |
Овчинников, С. Г. Температурная зависимость спин-поляронных внутрищелевых состояний в недопированных антиферромагнитных купратах [Текст] / С. Г. Овчинников, М. М. Коршунов, Е. В. Захарова // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 8. - С. 1349-1354. - Библиогр.: с. 1354 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спин-поляронные внутрищелевые состояния -- недопированные антиферромагнитные купраты -- валентная зона -- зона проводимости -- эволюция зонной структуры -- внутрищелевые состояния -- модель Гейзенберга -- Гейзенберга модель Аннотация: Исследована температурная эволюция внутрищелевых состояний, расположенных в щели с переносом заряда между валентной зоной и зоной проводимости и обусловленных эффектом спинового полярона, в режиме сильных электронных корреляций в t - t` - t`` - J-модели недопированных антиферромагнитных купратов. Влияние температуры учитывалось посредством перенормировки концентрации магнонов, которая была вычислена в модели Гейзенберга с учетом слабых межплоскостного обмена и внутриплоскостной спиновой анизотропии, а также путем введения лоренциана с зависящей от температуры полушириной в виде, соответствующем концепции маргинальной Ферми-жидкости. При увеличении температуры спектральный вес внутрищелевого состояния, пропорциональной концентрации магнонов, увеличивается, что приводит к увеличению интенсивности соответствующего ему пика спектральной функции во всех точках зоны Бриллюэна. В точках (пи/2, пи/2) и (пи, 0) имеет место сближение основного пика и сателлитного пика, связанного с внутрищелевой зоной, а в точках (0, 0) и (пи, пи) - их удаление друг от друга. Доп.точки доступа: Коршунов, М. М.; Захарова, Е. В. |
Алексеев, П. С. Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости \ A[3]B[5]-полупроводников в сильном магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 2. - С. 111-115
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): зона проводимости -- полупроводники -- слагаемое Дрессельхауза -- Дрессельхауза слагаемое -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- анизотропия зоны проводимости -- ультраквантовое магнитное поле -- расщепление линий Аннотация: Изучены поправки от кубического по волновому вектору K\{3\}-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A[3]B[5]-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K\{4\}-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A[3]B[5]-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии. |
Резонансное туннелирование в нанокластерах Au на поверхности тонких пленок SiO[2]/Si при исследовании методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии [Текст] / М. А. Лапшина [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 73-79
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): комбинированная сканирующая туннельная/атомно-силовая микроскопия -- нанокластеры -- тонкие пленки -- резонансное туннелирование -- валентная зона -- зона проводимости -- туннельная прозрачность двухбарьерной структуры Аннотация: Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии (СТМ/АСМ) исследованы морфология и электронные свойста нанокластеров Au на поверхности тонких пленок SiO[2] на подложках n\{+\}-Si. На вольт-амперных характеристиках контакта p\{+\}-Si АСМ-зонда к нанокластерам Au наблюдались пики, связанные с резонансным туннелированием электронов из состояний валентной зоны материала зонда в состояния зоны проводимости материала подложки через нанокластеры Au. Результаты эксперимента интерпретируются на основе расчета туннельной прозрачности двухбарьерной структуры SiO[2]/Au/SiO[2] в сильном электрическом поле. Доп.точки доступа: Лапшина, М. А.; Филатов, Д. О.; Антонов, Д. А.; Баранцев, Н. С. |
Петровская, А. Н. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K [Текст] / А. Н. Петровская, В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1368-1373 : ил. - Библиогр.: с. 1373 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaAs/GaAs -- гетероструктуры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- температура -- напряженные квантовые ямы -- заряды -- зона проводимости -- разрыв зоны проводимости Аннотация: Приведены результаты исследования гетероструктур с одиночными напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик в широком интервале температур и частот измерительного сигнала. На основе анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля основных носителей заряда и предложена количественная модель данного явления. Определено влияние неполной ионизации примеси на величину заряда в квантовых ямах, определяемого из эксперимента. С помощью моделирования и подгонки вольт-фарадных характеристик установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs состава x=0. 225 в диапазоне температур от 320 до 100 K остается постоянным и равным 172±10 мэВ. Доп.точки доступа: Зубков, В. И. |
Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пикосекудная оптическая накачка -- сверхбыстрые автомодуляции -- поглощение света -- стимулированное излучение -- субтерагерцовые автоколебания -- частота автоколебаний -- нелинейные волны -- неравновесные среды -- фотогенерация -- автоколебания обеднения заселенностей электронов -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- зона проводимости -- возбуждение -- носители заряда Аннотация: Ранее обнаружено, что при пикосекундной оптической накачке в GaAs возникают сверхбыстрые взаимосвязанные автомодуляции фундаментального поглощения света и собственного стимулированного пикосекундного излучения. В настоящей работе сделаны количественные оценки, подтверждающие предположение, что указанные автомодуляции вызваны автоколебаниями обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. Получено выражение для частоты автоколебаний обеднения заселенностей. Показано наличие условий для самоорганизации, которые приводят к возникновению периодических нелинейных волн в неравновесных средах, каковой является фотогенерированная электроно-дырочная плазма с обеднениями заселенностей. В итоге в цикле работ, включая и настоящую, обнаружено, что при накачке в GaAs под влиянием собственного стимулированного излучения возникает коллективное возбуждение носителей заряда - автоколебания обеднения заселенностей зоны проводимости. Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
539.2 Б 270 Басалаев, Ю. М. Электронная структура кристалла CuBS[2] [Текст] / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, С. И. Филиппов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1655-1658. - Библиогр.: с. 1658 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронные структуры -- кристаллы -- теория функционала плотности -- зона проводимости -- плотность состояний Аннотация: В рамках теории функционала плотности вычислены зонная структура и спектры полной и проектированной плотности состояний нового кристалла из семейства халькопирита CuBS[2]. Установлено, что кристалл является псевдопрямозонным, а наилучшая теоретическая оценка оптической ширины запрещенной зоны составляет 3. 44 eV. Верхняя валентная зона кристалла CuBS[2] содержит в основном вклады p-состояний атомов S и d-состояний атомов Cu. Кристаллическое расщепление составляет 0. 2 eV. Дно зоны проводимости формируется в основном sp-состояниями атомов бора и серы с примесью s-состояний атомов меди. Доп.точки доступа: Гордиенко, А. Б.; Филиппов, С. И. |