621.373.82 Т 51 Токман, М. Д. Стимулированное излучение без инверсии и электромагнитно-индуцированная прозрачность в условиях электронно-циклотронного резонанса [Текст] / М. Д. Токман, А. Г. Литвак, М. А. Ерухимова, А. Ю. Крячко // Физика плазмы. - 2004. - Т. 30, N 7. - С. 644-653. - Библиогр.: с. 653 (25 назв. ). - ил.: 5 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): стимулированное излучение -- электромагнитно-индуцированная прозрачность -- электронно-циклотронный резонанс -- циклотронные мазеры Аннотация: Рассмотрены параметрические эффекты стимулированного излучения без инверсии и электромагнитно-индуцированной прозрачности в классических системах. На примере циклотронного мазера обсуждаются особенности эффекта стимулированного излучения без инверсии в ансамблях классических электронов. Обсуждаются возможные приложения этих эффектов в физике плазмы и электронике СВЧ. Доп.точки доступа: Литвак, А. Г.; Ерухимова, М. А.; Крячко, А. Ю. |
621.315.592 А 661 Андронов, А. А. Стимулированное излучение гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при комнатной температуре в условиях оптической накачки [Текст] / А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 177-180 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптическая накачка -- стимулированное излучение -- гетероструктуры -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- арсенид галлия -- кремниевые подложки Аннотация: Сообщается об экспериментальном наблюдении стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1. 4-4. 5 мкм гетероструктур на основе Cd[x]Hg[1-x]Te при оптической накачке. В экспериментах использовались варизонные образцы Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенные на подложках GaAs и Si с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция таких структур наблюдалась при температурах 77-300 K при импульсной накачке образцов Nd : YAG-лазером (длина волны 1. 064 мкм). При комнатной температуре стимулированное излучение наблюдалось на длинах волн 1. 4-1. 7 мкм. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из объемных варизонных структур Cd[x]Hg[1-x]Te на подложках Si и GaAs. Доп.точки доступа: Ноздрин, Ю. Н.; Окомельков, А. В.; Бабенко, А. А.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Смирнов, Р. Н. |
621.315.592 В 751 Воробьев, Л. Е. Концентрация и температура носителей заряда в квантовых ямах лазерных гетероструктур в режимах спонтанного и стимулированного излучения [Текст] / Л. Е. Воробьев, В. Л. Зерова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 753-761 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инжектированные носители заряда -- квантовые ямы -- лазерные гетероструктуры -- стимулированное излучение Аннотация: Найдены концентрация носителей заряда и температура горячих электронов и дырок как функция плотности тока (j) в режимах спонтанного и индуцированного излучения в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами на примере структур InGaAs/GaAs. В режиме спонтанного излучения концентрация в активной области структур увеличивается с ростом тока, а разогрев носителей заряда мал. Рассчитанные спектры спонтанного излучения с учетом запрещенных оптических переходов хорошо совпадают с экспериментальными. В режиме стимулированного излучения ситуация иная. Концентрация инжектированных носителей при не очень больших плотностях тока накачки (при токах, превышающих пороговый в несколько раз) стабилизируется и не растет с увеличением тока, а температура носителей заряда существенно возрастает. При плотностях тока, превышающих пороговую плотность в десятки и сотни раз, стабилизации концентрации носителей заряда не происходит: концентрация носителей заряда возрастает в несколько раз, а их температура при j=80 кА/см\{2\} увеличивается примерно до 450 K. Число выброшенных из квантовой ямы в барьер носителей заряда, определяющих квантовый выход в лазерах, при этом также растет из-за разогрева носителей заряда. Ослабить этот нежелательный процесс можно, увеличив глубину квантовых ям. Доп.точки доступа: Зерова, В. Л.; Борщев, К. С.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С.; Belenky, G. |
Барышев, В. Р. Нестационарные двумерные модели электронно-волнового взаимодействия [Текст] / В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург, А. С. Сергеев // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 103-110. - Библиогр.: c. 109-110 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электронно-волновое взаимодействие -- квазиоптическое приближение -- стимулированное излучение -- электронные пучки -- электронные сгустки -- усиление электромагнитных импульсов Аннотация: В рамках квазиоптического приближения развита двумерная нестационарная модель стимулированного излучения ленточных электронных пучков и сгустков в свободном пространстве. На базе данной модели рассмотрены задача об усилении короткого электромагнитного импульса при распространении вдоль квазистационарного ленточного электронного потока, теория генератора типа ЛОВ с канализацией излучения электронным потоком, процесс коллективного ускорения короткого электронного сгустка в поле интенсивной попутной волны. Доп.точки доступа: Гинзбург, Н. С.; Сергеев, А. С. |
Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке и стимулированном излучении в GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1053-1060 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхбыстрая автомодуляция -- пикосекундная фотогенерация носителей заряда -- стимулированное излучение -- арсенид галлия Аннотация: Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов). Обнаружена цикличность сверхбыстрой автомодуляции, заключавшаяся в том, что форма автомодуляции спектра (количество и спектральное положение выступов) повторялась через некоторое время T[c], относящееся к пикосекундному диапазону. Изменения T[c] в течение импульса накачки и при увеличении энергии этого импульса обнаружили зависимость времени цикла T[c] от интенсивности накачки. В предположении, что автомодуляция поглощения света отображает автомодуляцию энергетического распределения носителей заряда, эксперимент обнаружил следующее. В процессе сверхбыстрой автомодуляции отклонения заселенностей разных энергетических уровней от фермиевского распределения меняются со временем взаимосвязано, распределение обеднений заселенности в зоне проводимости циклически повторяется во времени, время цикла уменьшается при возрастании интенсивности накачки GaAs. Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Кривоносов, А. Н.; Налет, Т. А. |
Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения [Текст] / В. В. Белых [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 11. - С. 681-684
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): квантовые микрорезонаторы -- встроенные квантовые ямы -- нерезонансное возбуждение лазерными импульсами -- стимулированное излучение -- экситон-фотонная связь Аннотация: В микрорезонаторе на основе GaAs с встроенными квантовыми ямами изучена временная динамика процесса излучения при высоких уровнях нерезонансного возбуждения пикосекундными лазерными импульсами. При уровнях накачки, превышающих порог лазерной генерации, измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии излучения. Установлено, что после импульса возбуждения линия излучения сдвигается в сторону больших энергий в течение некоторого времени, сравнимого с временем достижения максимума интенсивности излучения, а затем движется в обратную сторону к ее положению при низкой поляритонной плотности. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения и достигает минимума, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Показано, что в начальные моменты времени после импульса возбуждения система находится в режиме слабой экситон-фотонной связи и переходит с течением времени в режим сильной связи. Доп.точки доступа: Белых, В. В.; Нгуен, М. Х.; Сибельдин, Н. Н.; Скориков, М. Л.; Цветков, В. А.; Шарков, А. В. |
Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пикосекудная оптическая накачка -- сверхбыстрые автомодуляции -- поглощение света -- стимулированное излучение -- субтерагерцовые автоколебания -- частота автоколебаний -- нелинейные волны -- неравновесные среды -- фотогенерация -- автоколебания обеднения заселенностей электронов -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- зона проводимости -- возбуждение -- носители заряда Аннотация: Ранее обнаружено, что при пикосекундной оптической накачке в GaAs возникают сверхбыстрые взаимосвязанные автомодуляции фундаментального поглощения света и собственного стимулированного пикосекундного излучения. В настоящей работе сделаны количественные оценки, подтверждающие предположение, что указанные автомодуляции вызваны автоколебаниями обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. Получено выражение для частоты автоколебаний обеднения заселенностей. Показано наличие условий для самоорганизации, которые приводят к возникновению периодических нелинейных волн в неравновесных средах, каковой является фотогенерированная электроно-дырочная плазма с обеднениями заселенностей. В итоге в цикле работ, включая и настоящую, обнаружено, что при накачке в GaAs под влиянием собственного стимулированного излучения возникает коллективное возбуждение носителей заряда - автоколебания обеднения заселенностей зоны проводимости. Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
621.315.592 И 373 Изменения спектра пикосекундного стимулированного излучения GaAs с сопутствующими им признаками электрон-фононного взаимодействия [Текст] / Н. Н. Агеева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 944-951 : ил. - Библиогр.: с. 950-951 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пикосекудные импульсы -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- собственное стимулированное излучение -- стимулированное излучение -- спектры излучения -- энергия фотона -- продольные оптические фононы -- оптические фононы -- LO-фононы -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: При фиксированной энергии пикосекундного импульса накачки W[ex], вызывающей собственное стимулированное излучение в GaAs, обнаружено немонотонное изменение ширины спектра излучения deltahomega[s] при изменении энергии фотона накачки homega[ex]. При немонотонном изменении максимальная ширина спектров оказалась близкой к параметру Delta, определяемому энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. По мере усиления немонотонности зависимости deltahomega[s]=f (homega[ex]) проявлялась модуляция этой зависимости и зависимости амплитуды спектра от homega[ex]. Модуляция имела признаки связи с электрон-LO-фононным взаимодействием. Наблюдавшаяся эволюция модуляции не противоречила публиковавшимся предположениям о развитии и разрушении экранирования электрон-LO-фононного взаимодействия для плотной электронно-дырочной плазмы. Уровень потерь излучения в образце влиял на модуляцию и немонотонность. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p944-951.pdf Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |
538.958 Э 455 Электролюминесценция горячих носителей заряда в режиме спонтанного и стимулированного излучения из лазерных наноструктур и поглощение ИК-излучения горячими электронами в квантовых ямах [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 79-82. - Библиогр.: c. 82 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- электролюминесценция -- лазерные наноструктуры -- ИК-излучение -- спонтанное излучение -- стимулированное излучение -- горячие носители зарядов -- туннельно-связанные квантовые ямы -- горячие электроны -- оптическое возбуждение Аннотация: В работе изучены разогрев и зависимость концентрации носителей заряда от тока в квантовых ямах (КЯ) гетероструктур в режимах спонтаного и стимулированного излучения, а также межподзонное поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах в условиях разогрева носителей заряда латеральным электрическим полем и при мощном оптическом возбуждении. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Винниченко, М. Я.; Паневин, В. Ю.; Тхумронгсилапа, П.; Борщев, К. С.; Жуков, А. Е.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С.; Belenky, G.; Hanna, S.; Seilmeier, A. |
539.2 Л 175 Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии / К. А. Ковалевский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 199-205 : ил. - Библиогр.: с. 205 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазеры -- мелкие доноры -- результаты исследований -- экспериментальные исследования -- терагерцовое стимулированное излучение -- стимулированное излучение -- излучение доноров -- доноры -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- висмут -- одноосно-деформированный кремний -- кремний -- оптическое возбуждение -- коэффициент усиления -- деформированный кремний -- рабочие состояния доноров -- теоретические оценки Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эффектов терагерцового стимулированного излучения доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в одноосно-деформированном кремнии при их оптическом возбуждении излучением CO[2]-лазера. Показано, что одноосная деформация сжатия кристалла в направлении [100] увеличивает коэффициент усиления и эффективность стимулированного излучения, значительно снижая пороговую интенсивность накачки. Измерены частоты и идентифицированы рабочие переходы доноров в деформированном кремнии. Дается теоретическая оценка зависимости разностной населенности рабочих состояний доноров от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [100]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p199-205.pdf Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Жукавин, Р. Х.; Цыпленков, В. В.; Шастин, В. Н.; Абросимов, Н. В.; Риман, Г.; Павлов, С. Г.; Хьюберс, Г. - В.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
539.21:535 К 182 Каминский, А. А. Тетрагональные ванадаты REVO нижний символ 4 (RE = Ln (Ce-Lu), Y) - новый класс ВКР-активных кристаллов / А. А. Каминский // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 450, № 3, май. - С. 279-282 : 1 рис., 2 табл. - Библиогр. : с. 282 (15 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- процессы комбинационного рассеяния -- кристаллы -- стимулированное излучение -- эффекты рассеивания -- комбинационное рассеивание в кристаллах Аннотация: Представлены результаты исследований физических свойств кристаллов REVO нижний символ 4. |