538.915 Ж 911 Журавлев, Ю. Н. Электронное строение твердых растворов галогенидов серебра и гетерограниц на их основе [Текст] / Ю. Н. Журавлев, К. А. Сечкарев, Л. А. Сотникова // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 11. - Библиогр.: с. 14 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): галогениды серебра -- гетеропереходы -- фотопроцессы -- галогениды металлов Аннотация: Электронное строение и оптические функции твердых растворов галогенидов серебра и плавных переходов на их основе исследованы в рамках теории функционала локальной электронной плотности. Установлены параметры зонной структуры и их зависимости от х, и показано, что ширины валентной и запрещенной зон изменяются нелинейно. Предложена модель гетероконтактов галогенидов серебра, определены направления транспорта носителей заряда. Доп.точки доступа: Сечкарев, К. А.; Сотникова, Л. А. |
621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N1. - Библиогр.:с.128 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- гетероструктурные транзисторы -- квазигидродинамическое моделирование -- полевые транзисторы -- транзисторы Аннотация: Предложена новая двумерная модель гидродинамического типа для гетероструктурного полевого транзистора в рабочих режимах, являющаяся комбинацией квазигидродинамической модели полевого транзистора с затвором Шоттки и модели Андерсена для гетероперехода. На основе предложенной модели разработана программа моделирования AlGaAs/InGaAs гетероструктурного полевого транзистора с двумя гетеропереходами. проведено сравнение расчитанных выходных вольт-амперных характеристик с опубликованными результатами измерений и моделирования методом Монте-Карло. Показана возможность расчета параметров и сплайновых характеристик малосигнальной(линейной) и большесигнальной(нелинейной) эквивалентных систем гетероструктурных полевых транзисторов. Перейти: http://www.maik.ru |
539.2 О-56 Ольшанецкий, Е. Б. Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGAaS/gAaS И Si/SiGe [Текст] / Е. Б. Ольшанецкий, В. Ренар [и др.] // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 2. - С. 222-227. - Библиогр.: с. 227 (16 назв. ). - ил.: 6 рис. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сессии -- двумерные электроны -- гетеропереходы -- квантовая яма -- проводимость -- квантовые поправки Аннотация: Экспериментальные образцы на основе гетеропереходов Si/SiGe с двумерным электронным газом переводились из первоначального, диэлектрического состояния, которое достигалось посредством охлаждения образцов в криостате до базовой температуры, в металлическое состояние под действием последовательных, специально дозированных кратковременных импульсов излучения светодиода. Полученные таким образом состояния оказывались весьма устойчивыми. Перейти: http://www.ufn.ru Доп.точки доступа: Ренар, В.; Квон, З. Д.; Горный, И. В.; Торопов, А. И.; Портал, Ж. К. |
621.375 П 58 Попов, Ю. М. Об истории создания инжекционного лазера [Текст] / Ю. М. Попов // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 10. - С. 1142-1144. - Библиогр.: с. 1144 (10 назв. ). - ил.: 1 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): сессии -- лазеры -- инжекционные лазеры -- гетеропереходы -- когерентный свет -- нитридные соединения -- волоконно-оптические связи -- твердотельные лазеры Аннотация: В развитии инжекционных лазеров произошло несколько "научно-технических революций", использование гетеропереходов в трехкомпонентных и четырехкомпонентных твердых растворах, увеличение непрерывной работы при комнатной температуре до 100 лет, получение прямого преобразования электрической энергии в когерентный свет с КПД до 70%, достижение генерируемой мощности более 10 Вт, создание инжекционных лазеров в сине-зеленой и фиолетовой областях спектра с использованием нитридных соединений. Перейти: http://data.ufn.ru//ufn04/ufn04_10/Russian/r0410l.pdf |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Политипизм карбида кремния и барьеры Шоттки [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. О. В. Посредник // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 2. - С. 218-219. - Библиогр.: с. 219 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки; гетеропереходы; двухзонные модели; карбид кремния; политипизм карбида кремния; Шоттрки барьеры Аннотация: Исследованы гетеропереходы, образованные различными политипами SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансий в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Доп.точки доступа: Посредник, О. В. |
539.2 К 63 Комолов, С. А. Фотоэлектронные свойства органических пленок на поверхности кремния [Текст] / С. А. Комолов, Н. Б. Герасимова [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 76-80. - Библиогр.: c. 79-80 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы; кремний; органические пленки; слоистые структуры; сэндвичные структуры; фоточувствительность Аннотация: Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0. 25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/07/p76-80.pdf Доп.точки доступа: Герасимова, Н. Б.; Аляев, Ю. Г.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, А. С.; Логинов, Б. А.; Потюпкин, Н. В. |
53 Н 632 Николаев, Ю. А. Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP [Текст] / Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- фосфид индия -- термическое окисление -- фоточувствительность Аннотация: Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
53 Л 330 Лебедев, А. А. Исследование пленок 3C-SiC, выращенных на грани (0001) C подложек 6H-SiC [Текст] / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 61-67 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- пленки 3C-SiC -- подложки (0001) С 6H-SiC -- сублимационная эпитаксия в вакууме -- рентгеновская дифрактометрия -- эпитаксиальные слои -- двумерный электронный газ -- гетеропереходы Аннотация: Проведено исследование пленок 3C-SiC, выращенных на подложках (0001) С 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методом рентгеновской дифрактометрии показано достаточно высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Проведенное исследование спектров рамановского рассеяния показало, что эпитаксиальный слой 3C-SiC вырос непосредственно на подложке 6H-SiC, без образования каких-либо переходных слоев. Сделан вывод, что данные структуры пригодны для исследования двумерного электронного газа у гетероперехода 3C-SiC/6H-SiC. Доп.точки доступа: Зеленин, В. В.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, С. П.; Смирнов, А. Н.; Сорокин, Л. М.; Щеглов, М. П.; Yakimova, R. |
621.3 А 798 Аргунова, Т. С. Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si, полученных методом прямого сращивания [Текст] / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 700-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- прямое сращивание пластин -- Ge[x]Si[1-x]/Si -- кристаллы -- твердые растворы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- структурные свойства -- электрические свойства Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин Ge[x]Si[1-x] и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-Ge[x]Si[1-x]/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si большой площади. Доп.точки доступа: Белякова, Е. И.; Грехов, И. В.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Сорокин, Л. М.; Шмидт, Н. М.; Yi, J. M.; Jung, J. W.; Je, J. H.; Абросимов, Н. В. |
621.3 Д 138 Давыдов, С. Ю. Об электронном сродстве политипов карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 718-720 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- политипы карбила кремния -- электронное сродство политипов -- гетеропереходы Аннотация: Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности. |
539.2 М 895 Музафарова, С. А. Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1111-1116. - Библиогр.: с. 1116 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волт-амперные характеристики; вольт-фарадные характеристики; гетеропереходы; гетеросистемы; диффузия атомов; перенос тока; твердые растворы Аннотация: Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-амперных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10{-8} - 10{-5} A*cm{-2} вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10{-4} - 10{-2} A*cm{-2} ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe[1-x]S[x], а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Показано, что гетероструктура CdTe[1-x]S[x] работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe[1-x]S[x], n-слоем - CdS. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Жанабергенов, Ж. |
539.2 М 482 Мельников, М. Ю. Создание наноструктур в гетеропереходе с глубоким залеганием двумерного электронного газа методом высоковольтной анодно-окислительной литографии с использованием атомно-силового микроскопа [Текст] / М. Ю. Мельников, В. С. Храпай, D. Schuh // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 4. - С. 137-144. - Библиогр.: с. 143-144 (33 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовые микроскопы -- анодное оксидирование -- наноструктуры -- гетеропереходы -- гетероструктуры -- эффект Холла -- Холла эффект Аннотация: Описана методика высоковольтного локального анодного оксидирования поверхности гетероструктур на основе Ga[Al]As с использованием атомно-силового микроскопа. Доп.точки доступа: Храпай, В. С.; Schuh, D. |
621.3 А 954 Ахметоглы (Афраилов, М. А. Электрические свойства изотипных гетеропереходов N\{+\}-GaSb/n\{0\}-GaInAsSb/N\{+\}-GaAlAsSb II типа [Текст] / М. А. Ахметоглы (Афраилов, И. А. Андреев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 154-159 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- гетеропереходы -- изотипные гетероструктуры -- электрические свойства Аннотация: Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N\{+\}-GaSb/n\{0\}-GaInAsSb/N\{+\}-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа. Доп.точки доступа: Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Михайлова, М. П.; Яковлев, Ю. П. |
621.3 Б 752 Боднарь, И. В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn[5]Se[8] [Текст] / И. В. Боднарь, А. А. Вайполин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 160-163 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- монокристаллы -- гетеропереходы -- CuIn[5]Se[8] -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- фотопреобразователи Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn[5]Se[8]. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn[5]Se[8] гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn[5]Se[8]. Доп.точки доступа: Вайполин, А. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
621.3 М 690 Михайлова, М. П. Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs (GaSb [Текст] / М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 166-171 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- твердые растворы -- разъединенные гетеропереходы -- ступенчатые гетеропереходы Аннотация: Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу II типа для одиночных гетероструктур Ga[1-x]In[x]As[y]Sb[1-y]/InAs (GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зон Дельта на гетерогранице. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Воронина, Т. И.; Лагунова, Т. С.; Яковлев, Ю. П. |
621.3 К 592 Козлов, Д. А. Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs [Текст] / Д. А. Козлов, З. Д. Квон, А. К. Калагин, А. И. Торопов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 186-189 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- двумерный электронный газ -- тонкие слои Аннотация: Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32. 5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. Доп.точки доступа: Квон, З. Д.; Калагин, А. К.; Торопов, А. И. |
621.3 Д 138 Давыдов, С. Ю. Роль спонтанной поляризации в формировании гетеропереходов на основе политипов карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, А. В. Трошин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 307-311 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- спонтанная поляризация -- поляризация -- карбид кремния -- политипы карбида кремния -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение Аннотация: В рамках модели истощенного контактного слоя рассмотрено решение уравнения Пуассона для гетероперехода, одним из компонентов которого является некубический политип карбида кремния, обладающй спонтанной поляризацией P[sp]. Показано, что учет P[sp] приводит к уширению областей объемного заряда. Установлено, что модельным объектом для исследования влияния спонтанной поляризации на свойства гетеропереходов SiC может служить изотипный p-p-переход с квантовой ямой в валентной зоне области 3C-политипа на контакте с H-политипом SiC. В модели треугольной потенциальной ямы продемонстрирована возможность заметного влияния P[sp] на энергию основного состояния электрона в яме. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Трошин, А. В. |
621.3 В 343 Верменичев, Б. М. Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO [Текст] / Б. М. Верменичев, О. Л. Лисицкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 298-300 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- гетеропереходы -- электрофизические свойства -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Получена гетероструктура n-ZnO/p-CuO и измерена ее вольт-амперная характеристика. Показано, что в температурную зависимость проводимости гетероструктуры основной вклад вносит слой CuO и собственно гетеропереход n-ZnO/p-CuO. Доп.точки доступа: Лисицкий, О. Л.; Кумеков, М. Е.; Кумеков, С. Е.; Теруков, Е. И.; Токмолдин, С. Ж. |
621.3 Д 726 Драпак, С. И. Влияние буферного слоя собственного окисла селенида галлия нанометровых размеров на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетероструктур ITO-GaSe [Текст] / С. И. Драпак, авт. З. Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 312-317 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- селенид галлия -- оксиды -- буферный слой -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- излучательные свойства -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано влияние толщины буферного слоя собственного оксида селенида галлия на электрические, фотоэлектрические и излучательные свойства гетеропереходов ITO-GaSe. Установлено, что введение слоя Ga[2]O[3] толщиной до 5-6 нм в гетеропереход ITO-GaSe приводит к изменению механизмов токопрохождения в структуре, увеличению напряжения холостого хода V[oc] более чем в 2 раза (при этом реализуется ситуация, когда V[oc] значительно превышает величину контактной разности потенциалов), возрастанию интенсивности электролюминесценции более чем на порядок, а также к увеличению кпд фотопреобразования более чем в 2 раза по сравнению с образцами, в которых слой Ga[2]O[3] специально не выращивался. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д. |
Байков, Ю. М. Новые ионные гетероструктуры "Неорганический протонный проводник-гидрируемый металл" [Текст] / Ю. М. Байков // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 134-136. - Библиогр.: c. 136 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- ионные гетероструктуры -- гидрируемые металлы -- протонные проводники -- протонные гетеропереходы -- гетеропереходы -- электрохимическая активация Аннотация: Гетероструктуры "гидрируемый металл-протонный проводник" особо интересны и для фундаментальных исследований и прикладных разработок в связи с формированием в них протонных гетеропереходов типа "PdH[x]|KOH. nH[]2O". В продолжение этих исследований проведены синтез и изучение оригинальных гетероструктур "Pd| (NaOH+KOH) |Pd", "Pd|CsHSO[4]|Pd[2], "Ti|KOH. H[2]O|C", "Ti|KOH. H[2]O|Ti" (все в области 320-430 K). После электрохимической активации и в зависимости от физико-химических условий между электродами гетероструктур возникает устойчивая разность потенциалов величиной от 0. 8 до 1. 4 V, часть которой (для электродов из Pd ~0. 8, из Ti - 0. 1-0. 2 V) обусловлена протонными гетеропереходами, кинетическая обратимость которых установлена. |