Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 97-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- светодиоды -- рекомбинационные процессы -- InGaN/GaN -- инжекционный ток -- плотности тока -- низкочастотные шумы -- безызлучательная рекомбинация -- внешняя квантовая эффективность -- причины падения квантовой эффективности -- квантовая эффективность Аннотация: Показано, что плотность низкочастотного шума светодиодов на основе InGaN/GaN зависит от плотности тока как j{3} при плотностях тока больше 20 A/cm{2}. Такой вид зависимости свидетельствует об образовании новых центров безызлучательной рекомбинации, и этот процесс может быть причиной падения внешней квантовой эффективности при больших плотностях тока. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Левинштейн, М. Е.; Петров, П. В.; Черняков, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
Россохатый, А. В. Зависимость кинетики рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от параллельного магнитного поля [Текст] / А. В. Россохатый, И. В. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 10. - С. 603-606
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- разделенные электрон-дырочные слои -- кинетика рекомбинации -- интенсивность люминесценции -- перекрытие волновых функций -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Исследована зависимость времени излучательной рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от магнитного поля, параллельного плоскости широкой квантовой ямы. Обнаружено, что интенсивность люминесценции уменьшается с увеличением параллельного магнитного поля. Установлено, что эта зависимость не согласуется с теоретическими предсказаниями, связывающими падение интенсивности с уменьшением заселенности энергетических уровней, разрешенных для излучательной рекомбинации. Показано, что падение интенсивности связано с экспоненциальным ростом времени излучательной рекомбинации от магнитного поля (вследствие уменьшения перекрытия волновых функций электрона и дырки) и проявлением процессов безызлучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Кукушкин, И. В. |
Александров, И. А. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек [Текст] / И. А. Александров, В. Г. Мансуров, П. Хольтц // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 9. - С. 498-500
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- вюрцитные квантовые точки -- квантовые точки -- фотолюминесценция квантовых точек -- лазерное возбуждение -- поляризация излучения -- безызлучательная рекомбинация -- центры безызлучательной рекомбинации Аннотация: Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10\{11\} см\{-2\}, таким образом, около 10\{3\} квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN). Доп.точки доступа: Мансуров, В. Г.; Хольтц, П. |
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 836-840 : ил. - Библиогр.: с. 840 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- светоизлучающие приборы -- безызлучательная рекомбинация -- БР -- фазовый распад -- фотолюминесценция -- ФЛ -- квантовые ямы -- остаточные квантовые ямы -- ОКЯ -- матрицы -- матрица GaN -- матрица AlGaN -- нанослои -- InGaN Аннотация: Исследованы структуры, содержащие нанослои InGaN в матрицах GaN и AlGaN, представляющие собой активные области светоизлучающих приборов. Измерены спектры и относительная интенсивность фотолюминесценции в диапазоне температур 20-300 K и зависимость положения пика фотолюминесценции от энергии фотонов возбуждающего света. Показано, что для объяснения температурной зависимости фотолюминесценции требуется, помимо безызлучательной рекомбинации через дефекты в матрице и в остаточной квантовой яме, учитывать дополнительный канал рекомбинации с малой энергией активации, по-видимому, связанный с дефектами, находящимися вблизи квантовых точек. Обнаружено, что структуры с матрицей AlGaN имеют более сильное падение интенсивности фотолюминесценции при увеличении температуры от 50 до ~200 K, чем структуры с матрицей GaN. Анализ температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции в модели, рассматривающей 3 указанных канала безызлучательной рекомбинации, показывает, что она связана с уменьшением энергии локализации носителей относительно остаточной квантовой ямы. Такое уменьшение вызвано подавлением фазового распада слоев InGaN, выращенных в матрице AlGaN. Последнее подтверждается измерениями фотолюминесценции при различной энергии возбуждающего фотона и, кроме уменьшения энергии локализации, приводит также к наблюдавшемуся для этих структур уменьшению концентрации центров рекомбинации. Доп.точки доступа: Сизов, В. С.; Гуткин, А. А.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф. |
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD. Доп.точки доступа: Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si (001) [Текст] / А. В. Новиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 346-351 : ил. - Библиогр.: с. 350-351 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- низкоразмерные гетероструктуры -- SiGe/Si (001) -- квантовые ямы -- КЯ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- люминесцентные свойства -- радиационное воздействие -- пространственная локализация носителей зарядов -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- радиационные дефекты -- радиационная стойкость -- Si-матрица -- наноостровки -- трехмерная локализация для дырок -- двухмерная локализация для электронов Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур Si/Ge с различной степенью пространственной локализации носителей заряда. Показано, что радиационная стойкость гетероструктур Si/Ge увеличивается по мере роста эффективности локализации носителей заряда в них. Пространственная локализация носителей заряда в SiGe-наноструктурах уменьшает вероятность их безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, созданных в Si-матрице. Продемонстрировано, что наибольшей радиационной стойкостью из исследованных структур обладают люминесцентные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ge (Si) -наноостровками, в которых реализована наиболее эффективная пространственная локализация носителей заряда: трехмерная для дырок в островках и двухмерная для электронов в Si-слоях, разделяющих соседние слои с островками. Доп.точки доступа: Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Платонов, В. В.; Оболенский, С. В.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф. |
Гуляев, Д. В. Форма рельефа гетерограниц в (311) А-ориентированных структурах GaAs/AlAs [Текст] / Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 358-366 : ил. - Библиогр.: с. 365-366 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- СР -- квантовые проволоки -- КП -- гетерограницы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- стационарная фотолюминесценция -- кинетика фотолюминесценции -- структуры -- А-ориентированные структуры -- GaAs/AlAs -- электрические поля -- поверхностные акустические волны -- ПАВ -- безызлучательная рекомбинация -- неравновесные носители зарядов -- флуктуация -- спектры фотолюминесценции Аннотация: Проведено экспериментальное исследование стационарной фотолюминесценции и кинетики фотолюминесценции (100) - и (311) A-ориентированных сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что в (100) -ориентированных структурах падение интенсивности стационарной фотолюминесценции и ускорение кинетики фотолюминесценции не зависят от направления электрического поля поверхностной акустической волны относительно кристаллографических направлений, тогда как в (311) A-ориентированных структурах эти эффекты анизотропны. Показано, что все изменения в стационарной фотолюминесценции, а также в кинетике фотолюминесценции (100) - и (311) A-структур под действием электрического поля акустической волны связаны с переносом и захватом на центры безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, исходно локализованных в широких квантовых ямах, образованных флуктуациями толщины слоев структур. Из полученных экспериментальных данных определены параметры рельефа гетерограниц (311) A-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что латеральные размеры микроканавок в направлении [011] на прямой и на обратной гетерограницах (311) A-сверхрешеток превышают 3. 2 нм, а модуляция толщины слоев AlAs составляет от 0. 8 до 1. 2 нм. Доп.точки доступа: Журавлев, К. С. |
Якимов, Е. Е. Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC) [Текст] / Е. Е. Якимов, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1280-1283 : ил. - Библиогр.: с. 1282 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиодные структуры -- люминесценция -- краевая люминесценция -- метод наведенного тока -- IBIC -- ионная имплантация -- постимплантационный отжиг -- температура отжига -- неосновные носители заряда -- светодиоды -- безызлучательная рекомбинация -- p-n переходы Аннотация: Кремниевые светодиодные структуры с краевой люминесценцией исследованы методом наведенного тока. Структуры были изготовлены методом ионной имплантации и отличались температурой заключительной стадии постимплантационного отжига (950 и 1000{o}C). Увеличение температуры отжига сопровождается увеличением диффузионной длины неосновных носителей заряда в области светодиода, где и имеет место краевая люминесценция, от 1-2 до 25-35 мкм и уменьшением неоднородности распределения центров безызлучательной рекомбинации в этой области в латеральном направлении, параллельном плоскости p-n-перехода, что и приводит к наблюдавшемуся существенному росту интенсивности краевой люминесценции. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
533.9 К 903 Куликов, В. Д. Модель канала электрического пробоя в ионных кристаллах [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 35-40. - Библиогр.: c. 39-40 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- электрический пробой -- канал электрического пробоя -- хлорид натрия -- каскадные оже-переходы -- оже-переходы -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Предложена модель движения канала пробоя в монокристаллическом NaCl с учетом механизма генерации носителей заряда посредством каскадных оже-переходов. Рассмотрен процесс образования газовой фазы канала пробоя, основанный на выделении тепла при безызлучательной рекомбинации электронов и дырок. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p35-40.pdf |
539.2 С 750 Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si (001) -гетероструктур с самоформирующимися наноостровками [Текст] / З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное воздействие -- нейтроны -- электролюминесценция кремния -- ЭЛ -- кремний -- гетероструктуры -- Ge/Si -- подложки -- Si (001) -- самоформирующиеся наноостровки -- наноостровки -- диоды -- кремниевые диоды -- носители заряда -- пространственная локализация -- наноструктуры -- диффузия -- радиационные дефекты -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- оптоэлектронные устройства -- сравнительный анализ Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого p-i-n-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge (Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p230-234.pdf Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Качемцев, А. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Оболенский, С. В.; Шенгуров, Д. В. |
621.315.592 И 369 Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGa [Текст] / В. В. Кабанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1339-1343 : ил. - Библиогр.: с. 1343 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- безызлучательная рекомбинация -- активные слои -- мощные лазерные диоды -- InGaAs/GaAs/AlGa -- лазерные диоды -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры -- волноводы -- люминесценция -- спектры излучения -- излучение лазера -- лазерное излучение Аннотация: Для лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с расширенным волноводом в предпороговой области определены скорости рекомбинации, обусловленные излучательными и безызлучательными процессами, а также рекомбинации, индуцируемой усиленной люминесценцией. Показано, что значение квантового выхода люминесценции для исследованных лазерных образцов составляет не менее 91. 5%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1339-1343.pdf Доп.точки доступа: Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Рябцев, Г. И.; Смаль, А. С.; Щемелев, М. А.; Винокуров, Д. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С. |
621.315.592 В 586 Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1054-1062 : ил. - Библиогр.: с. 1061 (27 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): локализованные состояния -- квантовая эффективность -- квантовые ямы -- плотность тока -- структуры -- InGaN -- светодиоды -- мощные светодиоды -- GaN-светодиоды -- спектры излучения -- эмиссия фотонов -- фотоны -- запрещенные зоны -- анализ результатов -- безызлучательная рекомбинация -- дефекты -- глубокие состояния -- коэффициент полезного действия -- КПД -- туннельная инжекция Аннотация: Изучается механизм уменьшения внутренней квантовой эффективности InGaN/GaN структур с множественными квантовыми ямами при плотностях тока до 40 А/см{2} в мощных светодиодах. Показано, что существует корреляция между уменьшением эффективности и уширением высокоэнергетичного края спектра излучения с ростом плотности тока. Показано также, что эффективность является спектрально зависимой величиной и эффективность эмиссии фотонов с более высокой энергией начинает уменьшаться при большей плотности тока. Рассмотрено влияние туннельного и активационного механизмов термализации носителей, захваченных в мелкие состояния хвостов в запрещенной зоне InGaN, на эффективность и форму спектра излучения. Анализ результатов позволяет сделать вывод, что причиной падения эффективности при высокой плотности тока является относительное возрастание вклада безызлучательной рекомбинации через состояния дефектов в результате роста заселенности глубоких состояний хвостов зон в InGaN. Показано, что близкий к теоретическому пределу коэффициент полезного действия может быть реализован при низковольтной туннельной инжекции в локализованные состояния хвостов зон в активной области InGaN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1054-1062.pdf Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Латышев, Ф. Е.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г. |
621.315.592 I 54 Ilahi, S. Interface recombination velocity measurement in SiO[2]/Si / S. Ilahi, N. Yacoubi // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 318-321 : ил. - Библиогр.: с. 321 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- ультратонкие пленки -- кремниевые подложки -- подложки -- световые пучки -- нерадиационное время жизни -- фототермическая деформация -- электронные параметры Аннотация: The photothermal technique has been used in its orthogonal configuration in order to determine the interface recombination velocity between SiO[2] ultra-thin film and Si substrate. This investigation has been performed by studying the variation of the photothermal signal according to the square root modulation frequency of the pump light beam. A general one-dimensional theoretical model taking into consideration the nonradiative recombination process has been developed. The interface recombination velocity has been evaluated by fitting the experimental curves of the phase and normalized amplitude of the photo-thermal signal with the corresponding theoretical ones. Key words: non-radiative lifetime, photo-thermal deflection, electronic parameters. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p318-321.pdf Доп.точки доступа: Yacoubi, N.; Unite de Recherche de caracterisation photo-thermique IPEIN (La Tunisie)Unite de Recherche de caracterisation photo-thermique IPEIN (La Tunisie) |
539.2 О-627 Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния / К. А. Гончар [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1654-1659 : ил. - Библиогр.: с. 1658-1659 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- нитевидные наноструктуры -- наноструктуры -- метод спектроскопии отражения -- спектроскопия отражения -- комбинационное рассеяние света -- метод комбинационного рассеяния света -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кремниевые нанонити -- нанонити -- монокристаллические кремниевые подложки -- кремниевые подложки -- подложки -- удельное сопротивление -- носители заряда -- время жизни заряда -- безызлучательная рекомбинация -- легированный кристаллический кремний -- кристаллический кремний -- кремний Аннотация: Методами спектроскопии отражения, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции были исследованы слои кремниевых нанонитей с диаметрами 20-200 нм, выращенных металлстимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа с удельным сопротивлением 1-20 Ом x см и ориентацией поверхности (100), полученных от трех компаний-производителей и характеризующихся различным временем жизни фотовозбужденных носителей заряда. Установлено, что для нанонитей с длиной более 1 мкм интенсивность комбинационного рассеяния в 3-5 раз превышает значение для подложек. Интенсивность межзонной фотолюминесценции на длине волны 1. 12 мкм для нанонитей значительно превышала уровень для подложек и была максимальна для образцов с наибольшим объемным временем жизни, что указывает на низкий уровень темпа безызлучательной рекомбинации на поверхности нанонитей. Layers of silicon nanowires with diameters of 20-200 nm, grown by metal-assisted chemical etching of monocrystalline silicon substrates of p-type conductivity with a resistivity of 1-20Ohm x cm and surface orientation (100), which were supplied by three manufacturing companies and were characterized by different lifetimes of photoexcited charge carriers, were investigated by means of the reflection spectroscopy, Raman scattering and photoluminescence. It was found that the Raman intensity for nanowires with length larger than 1micron is 3-5 times stronger than that for the substrates. The intensity of interband photoluminescence at wavelength of 1. 12 Mum for the nanowires exceeded significantly those of the substrates and it was maximal for the samples with the longer volume lifetime that indicates a low rate of the non-radiative recombination on the surface of nanowires. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1654-1659.pdf Доп.точки доступа: Гончар, К. А.; Осминкина, Л. А.; Сиваков, В.; Лысенко, В.; Тимошенко, В. Ю.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Leibniz Institute of Photonic Technology (Germany); Nanotechnology Institute of Lyon (France); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |