53 С 654 Сорокин, Л. М. Композиционная неоднородность и дефекты структуры в кристаллах твердого раствора Ge[x]Si[1-x], выращенных методом Чохральского [Текст] / Л. М. Сорокин, Т. С. Аргунова [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 37-46 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- пластическая деформация -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- твердые растворы -- кристаллы твердых растворов -- дефекты структуры -- композиционная неоднородность Аннотация: Исследована взаимосвязь между пластической деформацией и неоднородностью распределения Ge в кристаллах твердых растворов Ge[x]Si[1-x] (x=4/ 9 at. % Ge), выращенных методом Чохральского. Показано, что механизмом пластической деформации служит зарождение дислокаций на источниках в полосах сегрегации Ge, а неоднородность в распределении Ge поперек оси роста вызвана термоупругими напряжениями. Доп.точки доступа: Аргунова, Т. С.; Абросимов, Н. В.; Гуткин, М. Ю.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Jung, J. W.; Je, J. H. |
53 П 844 Прохоров, И. А. Исследование структурных особенностей кристаллов GaSb (Si), выращенных в различных условиях тепломассопереноса, комплексом дифракционных методов [Текст] / И. А. Прохоров, Ю. А. Серебряков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 5. - С. 36-41 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллы GaSb (Si) -- структурные особенности кристаллов -- тепломассоперенос -- методы выращивания кристаллов -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- дифракционные методы исследования -- рентгеновская топография Аннотация: Методами рентгеновской топографии, двух- и трехкристальной дифрактометрии исследованы структурные особенности монокристаллов GaSb (Si), выращенных в различных условиях тепломассопереноса. Установлено, что снижение интенсивности конвективных течений при выращивании кристаллов вертикальным методом Бриджмена с осесимметричным верхним подводом тепла в сравнении с методом Чохральского приводит к устранению микросегрегационных полос роста и к улучшению однородности электрофизических параметров материала. Наблюдаемая в отдельных областях кристалла повышенная плотность структурных дефектов вызывает, по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии, существенные искажения кристаллической решетки, что вносит дополнительный вклад в неоднородность кристаллов. Выявлен ряд специфических особенностей рентгенотопографического изображения полос роста, обусловленных высокой концентрацией кремния и отклонением состояния примеси в кристалле от идеального твердого раствора замещения. Доп.точки доступа: Серебряков, Ю. А.; Коробейникова, Е. Н.; Захаров, Б. Г.; Ратников, В. В.; Шульпина, И. Л. |
621.3 П 126 Пагава, Т. А. Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si [Текст] / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 651-653 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг радиационных дефектов -- кристаллы p-Si -- облученные кристаллы -- монокристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: Исследовались монокристаллы p-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок p=6 10\{13\} см\{-3\}. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур T[ann]=100-500/{o}C. Исследования проводились методом Холла в интервале 77-300 K. |
621.3 А 798 Аргунова, Т. С. Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si, полученных методом прямого сращивания [Текст] / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 700-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- прямое сращивание пластин -- Ge[x]Si[1-x]/Si -- кристаллы -- твердые растворы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- структурные свойства -- электрические свойства Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин Ge[x]Si[1-x] и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-Ge[x]Si[1-x]/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si большой площади. Доп.точки доступа: Белякова, Е. И.; Грехов, И. В.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Сорокин, Л. М.; Шмидт, Н. М.; Yi, J. M.; Jung, J. W.; Je, J. H.; Абросимов, Н. В. |
620.1/.2 А 724 Антонова, Л. Т. Определение полярных граней полупроводниковых соединений A{III}B{V} [Текст] / Л. Т. Антонова, авт. В. М. Денисов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 1. - C. 41-42. - Библиогр.: с. 42 (5 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): глицерин -- грани полупроводниковых соединений -- дифракция медленных электронов -- краевые углы смачивания -- метод дифракции медленных электронов -- метод травления -- метод фотографирования -- метод Чохральского -- монокристаллы -- полупроводниковые соединения -- полярные грани полупроводниковых соединений -- соединения A{III}B{V} -- способы определения полярных граней -- травление -- углы смачивания -- фотографирование -- Чохральского метод -- экспресс-анализ Аннотация: Описан способ определения полярных граней полупроводниковых соединений A{III}B{V}. Доп.точки доступа: Денисов, В. М. |
539.2 Ш 887 Штейнман, Э. А. Структура и излучательные свойства дислокаций, возникающих при росте кислородных преципитатов в кремнии [Текст] / Э. А. Штейнман, А. Н. Терещенко, В. Я. Резник // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 26-31 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кислородные преципитаты -- кремний -- преципитация кислорода -- дислокации -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- дислокационная люминесценция Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции проведено исследование структуры и излучательных свойств дефектов, образующихся в процессе преципитации кислорода в кремнии, выращенном по методу Чохральского (Cz-Si). Показано, что по мере развития преципитатов происходит существенное перераспределение спектральной интенсивности дислокационной люминесценции (ДЛ). Сравнение концентрации различных типов дефектов с интегральной интенсивностью ДЛ показало, что основной вклад в ДЛ дают вторичные дефекты - дислокации, испущенные из преципитатов. При этом распределение спектральной и интегральной интенсивностей ДЛ связано с протяженностью дислокационных петель. Полученные результаты показывают возможность оптимизации процесса генерации дислокаций для увеличения интенсивности линии D1 с целью ее применения в оптоэлектронике. Доп.точки доступа: Терещенко, А. Н.; Резник, В. Я. |
621.3 Л 186 Лайхо, Р. О квазилокальных состояниях Sn в Bi[2]Te[3] на основе исследования гальваномагнитных эффектов в классических и квантующих магнитных полях [Текст] / Р. Лайхо, С. А. Немов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 565-569 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- Bi[2]Te[3] -- квазилокальные состояния -- гальваномагнитные эффекты -- магнитное поле -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- энергетический спектр Дрэббла-Вольфа -- Дрэббла-Вольфа энергетический спектр -- осциляции Шубникова-де-Гааза -- Шубникова-де-Гааза осциляции Аннотация: В монокристаллах p-Bi[2]Te[3] с высоким содержанием примеси Sn, выращенных методом Чохральского, исследованы гальваномагнитные свойства в классических и квантующих магнитных полях до 12 Тл при ориентации магнитного поля вдоль тригональной оси C[3]. Экспериментально и теоретически исследованы зависимости коэффициента Холла и поперечного магнитосопротивления от магнитного поля. Для шестиэллипсоидной модели энергетического спектра Дрэббла-Вольфа предложен и апробирован для кристаллов Bi[2]Te[3] : Sn метод оценки холл-фактора и холловской подвижности носителей заряда на основе магнитополевой зависимости коэффициента Холла. Наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза и холловской компоненты тензора сопротивления ро[xy] при температурах T=4. 2 и 11 K. Получены новые свидетельства в пользу существования частично заполненной электронами узкой полосы примесных состояний Sn на фоне зонного спектра легких дырок. Сделаны оценки параметров примесных состояний: их энергия E[Sn]? 15 мэВ уширение Г << kT, радиус локализации примесного состояния R? 30?. Доп.точки доступа: Немов, С. А.; Лашкул, А. В.; Лахдеранта, Э.; Свечникова, Т. Е.; Дворник, Д. С. |
621.315.592 С 794 Степанов, Н. П. Магнитная восприимчивость твердых растворов Bi[2]Te[3] - Sb[2]Te[3] [Текст] / Н. П. Степанов, А. К. Гильфанов, Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 410-414 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитная восприимчивость -- твердые растворы -- теллурид висмута -- диамагнетики -- монокристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Исследована магнитная восприимчивость монокристаллов твердых растворов Bi[2]Te[3]-Sb[2]Te[3], содержащих 0, 10, 25, 40, 50, 60, 65, 70, 80, 90, 99. 5 и 100 мол% Sb[2]Te[3], выращенных методом Чохральского. Магнитная восприимчивость кристаллов определялась при температуре T=291 K и ориентации вектора напряженности магнитного поля H параллельно и перпендикулярно тригональной оси кристалла C[3]. Доп.точки доступа: Гильфанов, А. К.; Иванова, Л. Д.; Гранаткина, Ю. В. |
Мамедов, В. М. Численная визуализация процесса инверсии фронта кристаллизации при выращивании оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского [Текст] / В. М. Мамедов, В. С. Юферев // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 14. - С. 75-81
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксидные кристаллы -- расплавы -- кристаллизация -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Впервые выполнено моделирование процесса вытягивания оксидного кристалла методом Чохральского от момента затравления до выхода на режим стационарного роста. Показано, что инверсия межфазной границы на стадии разращивания кристалла является весьма сложным процессом, который сопровождается интенсивными осцилляциями скорости кристаллизации. Приводятся рисунки, отражающие вариации формы кристалла в процессе вытягивания. Доп.точки доступа: Юферев, В. С. |
Адамив, В. Т. Область прозрачности и температурные изменения двулучепреломления в LiKB[4]O[7] [Текст] / В. Т. Адамив // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 18. - С. 89-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нелинейные монокристаллы -- двулучепреломление -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Проведены исследования изменений двулучепреломления в температурном интервале 100-350 K на нелинейных монокристаллах LiKB[4]O[7], выращенных методом Чохральского. На температурных зависимостях этих изменений в области температур 140 и 230 K выявлены отклонения от монотонности. Определена область прозрачности монокристаллов LiKB[4]O[7]. |
Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1198-1205
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антимонид галлия -- эпитаксия -- легирование -- теллур -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Власов, А. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М. |
Спектроскопия кристаллов NaLa (MoO[4]) [2] : Tm{3+} и NaGd (MoO[4]) [2] : Tm{3+} - перспективных лазерных материалов [Текст] / Ю. К. Воронько [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1547-1551. - Библиогр.: с. 1551 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектроскопия -- молибдат лантана -- поляризованные спектры поглощения -- спектры поглощения -- метод Голубова-Конобеева-Сакуна -- Голубова-Конобеева-Сакуна метод -- лазерные материалы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- молибдат гадолиния Аннотация: Методом Чохральского синтезированы монокристаллы двойных натрийсодержащих молибдатов лантана и гадолиния, активированные ионами Tm{3+}, исследованы спектроскопические свойства с точки зрения использования этих кристаллов в качестве активных сред в лазерах с диодной накачкой. Зарегистрированы поляризованные спектры поглощения на уровни {3}H[4] и {3}F[4], люминесценции на лазерном переходе {3}F[4] - {3}H[6], определены времена жизни возбужденных состояний {3}H[4] и {3}F[4] ионов Tm{3+}. Сечения люминесценции рассчитывались по формуле Фухтбауэра-Ладенбурга. Моделирование кривой распада с возбужденного состояния {3}H[4] по методу Голубова-Конобеева-Сакуна показало, что в исследованных кристаллах механизм взаимодействия между ионами Tm{3+} носит преимущественно диполь-дипольный характер. Доп.точки доступа: Воронько, Ю. К.; Жариков, Е. В.; Лис, Д. А.; Попов, А. В.; Смирнов, В. А.; Субботин, К. А. |
Мартыненко, Л. И. Химическая переработка лангасита для извлечения оксидов галлия и лантана [Текст] / Л. И. Мартыненко, И. Г. Зайцева, С. А. Сахаров // Химическая технология. - 2007. - N 12. - С. 530-533. - Библиогр.: с. 533 (5 назв. ) . - ISSN 1684-5811
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): галлатосиликат лантана -- галлий-лантановая смесь -- лангасит -- гравиметрический анализ -- метод Чохральского -- оксиды галлия -- отходы производства -- приборостроение -- химический анализ -- Чохральского метод Аннотация: Рассматривается методика переработки лангасита, состоящая в совместном выделении из отходов его производства оксидов галлия и лантана и определении состава галлий-лантановой смеси по результатам гравиметрического анализа и комплексонометрического титрования. Доп.точки доступа: Зайцева, И. Г.; Сахаров, С. А. |
Шалдин, Ю. В. Особенности пироэлектрических свойств несобственного сегнетоэлектрика-сегнетоэластика GD[2] (MoO[4]) в области низких температур [Текст] / Ю. В. Шалдин, С. Матыясик // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 4, апрель. - С. 477-480 : 4 рис. - Библиогр.: с. 480 (14 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрик -- сегнетоэлластик -- пироэлектрические свойства -- монокристаллы -- парофазы -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Переход от парафазы к сегнетофазе характеризуется несколькими инвариантами. Объектом исследования послужили монокристаллы, выращенные методом Чохральского на ориентированную затравку. Доп.точки доступа: Матыясик, С. |
Новый метод управления тепломассопереносом в расплаве при выращивании кристаллов по Чохральскому [Текст] / И. Х. Аветисов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 177-179 : 3 рис. - Библиогр.: с. 179 (8 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- тепломассопереносы -- рост кристаллов -- аксиальные вибрации Аннотация: Разработана новая схема ввода аксиальных низкочастотных вибраций в конфигурации метода Чохральского, согласно которой вынужденные потоки в расплаве генерируются путем аксиальных осцилляций диска, погруженного в кристалл. Доп.точки доступа: Аветисов, И. Х.; Жариков, Е. В.; Зиновьев, А. Ю.; Садовский, А. П. |
Структурные особенности фаз (Na[0. 5]R[0. 5]) MO[4] и (Na[0. 5]R[0. 5]) MO[4]: R' (R = Gd, La; R' = Er, Tm, Yb; M = W, Mo) семейства шеелита [Текст] / Г. М. Кузьмичева [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 6. - С. 918-927 : табл. - Библиогр.: с. 927 (23 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): твердотельные лазеры -- параметры ячейки -- упорядочение -- рентгеноструктурный анализ -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- редкоземельные металлы Аннотация: Исследована специфика строения шеелитподобных фаз различного состава: как номинально чистых, так и активированных ионами редкоземельных металлов. Доп.точки доступа: Кузьмичева, Г. М.; Еремин, А. В.; Рыбаков, В. Б.; Субботин, К. А.; Жариков, Е. В. |
Кристаллическая структура и проводимость BICUTIVOX [Текст] / Е. С. Буянова [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 6. - С. 928-936 : рис. - Библиогр.: с. 936 (19 назв. ) . - ISSN 0044-457X
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): твердотельные лазеры -- рентгеноструктурный анализ -- упорядочение -- параметры ячейки -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Рентгенографически изучены и проанализированы структурные данные монокристаллов, выращенных методом Чохральского. Доп.точки доступа: Буянова, Е. С.; Петрова, С. А.; Емельянова, Ю. В.; Бородина, Н. А.; Захаров, Р. Г.; Жуковский, В. М. |
Белов, А. А. Оптимизация краевых условий распределенной системы управления при выращивании кристаллов [Текст] / А. А. Белов, В. Ю. Захаров, В. И. Стрелов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 2. - С. 67-71
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рост кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- монокристаллы полупроводников -- диэлектрики -- принцип оптимальности Бэлмана -- Бэлмана принцип оптимальности Аннотация: На примере роста кристаллов со структурой граната методом Чохральского проведена оптимизация краевых условий распределенной системы, моделирующей распределение температуры в растущем кристалле и теплообмен с окружающей средой при нелинейных краевых (граничных) условиях. В расчетах использовались условия квазистационарного распределения температуры в растущем кристалле. Полученные результаты позволяют оптимизировать технологические параметры для выращивания кристаллов с высоким структурным совершенством. Доп.точки доступа: Захаров, В. Ю.; Стрелов, В. И. |
Исследование кинетики сцинтилляционного свечения кристалла CaMoO[4] [Текст] / А. В. Вересникова [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 1. - С. 41-45. - Библиогр.: с. 45 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): кинетика -- сцинтилляционное свечение -- кристаллы -- CaMoO[4] -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Представлены результаты исследований кинетики сцинтилляционного свечения кристаллов CaMoO[4], выращенных методом Чохральского. Доп.точки доступа: Вересникова, А. В.; Барабанов, И. Р.; Лубсандоржиев, Б. К.; Полещук, Р. В.; Шайбонов, Б. А.; Вятчин, Е. Э.; Корноухов, В. Н. |
Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi[4]Te[7]. Эксперимент и расчеты [Текст] / М. К. Житинская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- анизотропные соединения -- PbBi[4]Te[7] -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- легирование -- анизотропия -- термоэлектрические свойства -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- эффект Зеебека -- Зеебека эффект -- эффект Холла -- Холла эффект -- электропроводность -- экспериментальные исследования Аннотация: Проведены экспериментальные исследования комплекса кинетических коэффициентов на высококачественных монокристаллах тройных слоистых соединений PbBi[4]Te[7] n-типа в интервале температур 77-400 K. Эти кристаллы, легированные электроактивными примесями Cd и Ag, были выращены методом Чохральского с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля. Найдена значительная анизотропия термоэлектрических свойств. Установлен механизм вхождения электроактивных примесей в решетку тройных соединений. Экспериментальные результаты по коэффициенту Нернста-Эттингсгаузена проанализированы совместно с данными по эффектам Зеебека, Холла и электропроводности. Показано, что вся совокупность данных по явлениям переноса в PbBi[4]Te[7] может быть объяснена в рамках однозонной модели энергетического спектра зоны проводимости с учетом непараболичности и смешанного механизма рассеяния электронов на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей. Предполагается, что вдоль плоскости скола преобладает рассеяние на акустических фононах, а вдоль тригональной оси становится существенным примесное рассеяние. Доп.точки доступа: Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтарова, А. А.; Шелимова, Л. Е.; Свечникова, Т. Е.; Константинов, П. П. |