950 Г 981 Гущина, Е. В. Современная российская и французская османистика. Взаимное открытие [Текст] / Е. В. Гущина // Восток. - 2004. - N 1 . - ISSN 0869-1908
Рубрики: История--История Азии Кл.слова (ненормированные): востоковедение -- османистика -- арабистика Аннотация: В апреле-мае 2003 г. Москву посетил видный историк-ориенталист Андре Райман. Доп.точки доступа: Раймон, Андре |
89.09 Г 981 Гущина, Е. В. К 85-летию Исаака Моисеевича Фильштинского [Текст] / Е. В. Гущина // Восток. - 2004. - N 2. - К 85-летию Фильштинского . - ISSN 0869-1908
Рубрики: Литературоведение--Литература Азии История--Историография Кл.слова (ненормированные): арабская филология -- арабисты -- юбилеи Аннотация: Состоялось чествование одного из крупнейших отечественных арабистов - Исаака Моисеевича Фильштинского. Доп.точки доступа: Фильштинский, Исаак Моисеевич |
950 Г 981 Гущина, Е. В. "Поход слона" как результат столкновения мекканских и химйаритских торговых интересов [Текст] / Е. В. Гущина // Восток. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 148-149 . - ISSN 0869-1908
Рубрики: История--История Азии Кл.слова (ненормированные): 6 в. -- политическая история -- торговые связи -- мекканские торговые интересы -- химйаритские торговые интересы -- религиозные конфликты -- военные кампании Аннотация: "Поход слона" был призван стать последней военной кампанией Византии, предшествовавшей ее открытому нападению на Иран и повлиявшей на соперничество Византии и Ирана за господство в Красноморском мегарегионе длившееся с конца 4 в. и вплоть до второй половины 6 в. |
53 М 748 Моисеев, К. Д. Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 50-57 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- жидкофазная эпитаксия -- структурные исследования Аннотация: Сообщается о первых результатах по выращиванию InSb/InAs квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии и структурных исследований их характеристик методами сканирующей зондовой микроскопии и атомно-cиловой микроскопии. Показано, что плотность, форма и размеры нанообъектов зависят от температуры выращивания, скорости охлаждения и времени контакта раствор-расплав-подложка. Получены однородные массивы квантовых точек InSb на подложках InAs (100) в интервале температур T=420-445 C, со средними размерами: высотой H=3. 4+ 1 nm, радиусом R=27. 2+ 7. 5 nm и плотностью до 1. 9 10\{10\} cm\{-2\}. Доп.точки доступа: Пархоменко, Я. А.; Анкудинов, А. В.; Гущина, Е. В.; Михайлова, М. П.; Титков, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs [Текст] / К. Д. Моисеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1142-1150 : ил. - Библиогр.: с. 1149-1150 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- InSb -- узкозонные квантовые точки -- подложки -- InAs -- антимонид индия -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- муаровые узоры -- эпитаксильный рост Аннотация: В интервале температур Т = 420-450°С методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0. 9-2) x 10[10]см[-2], размеры которых составляли З нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3. 5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Пархоменко, Я. А.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Михайлова, М. П.; Берт, Н. А.; Яковлев, Ю. П. |
Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния [Текст] / Ю. А. Жарова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 986-994 : ил. - Библиогр.: с. 993 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): одномерные фотонные кристаллы -- 1D ФК -- фотоэлектрохимическое травление -- ФЭХТ -- кремний -- плотность тока травления -- легирование подложки -- подложки -- атомно-силовая микроскопия -- щелочные растворы -- макропоры -- шероховатость поверхностей -- затравочные канавки -- анизотропное травление -- АТ Аннотация: Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом x см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза. Доп.точки доступа: Жарова, Ю. А.; Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Астрова, Е. В.; Ермаков, В. А.; Перова, Т. С. |
Астрова, Е. В. Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии [Текст] / Е. В. Астрова, Г. В. Федулова, Е. В. Гущина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1666-1672 : ил. - Библиогр.: с. 1672 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование полосок -- двумерные кристаллы -- фотонные кристаллы -- фотоэлектрохимическое травление -- травление щелей -- макропоры в кремнии -- кремний -- глубокие макропоры -- глубокие щели -- n-Si -- сквозные щели -- квадратные решетки -- режимы травления -- шероховатости стенок -- боковые стенки Аннотация: Исследован процесс совместного электрохимического травления глубоких макропор и щелей в n-Si ориентации (100). После удаления подложки области образца, ограниченные со всех сторон замкнутым контуром сквозных щелей, извлекали из образца, оставляя узкие полоски двумерного фотонного кристалла. На примере фотонного кристалла с квадратной решеткой макропор анализируется влияние расстояния между порами и щелью, режимов травления и последующего окисления на шероховатость боковых стенок таких структур, а также на изменение размера и формы пор вблизи щели. Найдены условия, обеспечивающие наименьшее искажение решетки фотонного кристалла и получение наиболее гладких боковых стенок структуры (среднеквадратичная высота неровности ~60 нм). Доп.точки доступа: Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В. |
539.2 М 597 Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок [Текст] / Е. В. Гущина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 944-946. - Библиогр.: с. 946 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): методы атомно-силовой микроскопии -- тонкие пленки -- цирконат титаната свинца -- морфотропные границы Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии изучались тонкие пленки на основе цирконата титаната свинца со стехиометрическим составом вблизи морфотропной границы. На всех образцах, независимо от типа подложки, способа нанесения, а также толщины пленки, наблюдалась зависимость локальной проводимости от направления локальной поляризации. Показано, что отклик тока на приложенное напряжение демонстрирует длинную релаксацию тока порядка десятков секунд, что на два-три порядка больше, чем время релаксации тока во внешней цепи, связанное с переключением сегнетоэлектрического домена. Особенности проводимости объясняются перезарядкой глубоких уровней, локализованных на границах сегнетоэлектрических зерен вблизи электродов и участвующих в экранировании поляризационного заряда. Доп.точки доступа: Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Делимова, Л. А.; Юферев, В. С.; Грехов, И. В. |
537.311.33 П 421 Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика LaScO[3] на подложке Si / П. А. Алексеев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 9. - С. 47-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наноразмерные структуры -- нанотонкие слои -- инжектированные заряды -- утечка зарядов -- интерфейсные слои -- кельвин-зонд-микроскопия -- диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Методом кельвин-зонд-микроскопии исследовалась утечка зарядов в нанотонких слоях LaScO[3] на подложке Si. Обнаружено, что в этой системе имеет место утечка зарядов из слоя LaScO[3] в интерфейсный слой на границе с Si, с последующим латеральным разбеганием зарядов уже в плоскости интерфейсного слоя и одновременным уходом в подложку Si. Непосредственно в слое LaScO[3] латерального разбегания зарядов не наблюдалось. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/09/p47-55.pdf Доп.точки доступа: Алексеев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Гущина, Е. В.; Durgun Ozben, E.; Lahderanta, E.; Титков, А. Н. |
535 К 887 Кудоярова, В. Х. Исследование состава, структуры и оптических свойств пленок a-Si[1-x]C[x]:H(Er), легированных эрбием из комплексного соединения Er(pd)[3] / В. Х. Кудоярова, В. А. Толмачев, Е. В. Гущина // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 353-359 : ил. - Библиогр.: с. 359 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): резерфордовское обратное рассеяние -- РОР -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- обратное резерфордовское рассеяние -- ОРР -- инфракрасная спектроскопия -- ИК спектроскопия -- метод инфракрасной спектроскопии -- метод эллипсометрических исследований -- эллипсометрические исследования -- метод атомно-силовой микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- комплексные исследования -- аморфные пленки -- состав пленок -- структура пленок -- оптические пленки -- высокочастотное разложение -- смесь газов -- газы -- термическое распыление -- термораспыление -- углерод -- комплексное соединение -- газовые смеси -- оптические зоны -- инфракрасные спектры -- эллипсометрические спектры -- оптические константы -- многометрические модели -- тонкие слои -- окислы кремния -- спектральная эллипсометрия -- оптическое поглощение Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния, инфракрасной спектроскопии, эллипсометрических исследований и атомно-силовой микроскопии проведено комплексное исследование состава, структуры и оптических свойств аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er). Технология получения аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er) сочетала в себе метод высокочастотного разложения смеси газов (SiH[4]) [a]+ (CH[4]) [b] и одновременное термическое распыление комплексного соединения Er (pd) [3]. Показано, что увеличение CH[4] в составе газовой смеси приводит к увеличению содержания углерода в исследуемых пленках, увеличению ширины оптической зоны E{opt}[g] от 1. 75 до 2. 2 эВ. В инфракрасных спектрах наблюдались изменения состава пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er), которые, в свою очередь, сопровождались изменениями оптических констант. Проведен анализ наблюдаемых эллипсометрических спектров с использованием многопараметрических моделей. В результате проведенного анализа делается вывод о том, что хорошее совпадение экспериментальных и расчетных спектров наблюдается при учете изменяющегося состава аморфных пленок, происходящего при изменении состава газовой смеси. Существование на поверхности исследуемых пленок тонкого (6-8 нм) слоя окисла кремния и справедливость использования двухслоевой модели в расчетах эллиптических измерений подтверждаются проведенными исследованиями структуры методом атомно-силовой микроскопии. Complex study of composition, structure and optical properties of amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) was performed with means of Rutherford backscattering, IR spectroscopy, ellipsometry and AFM-technology for producing amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) included the method of high-frequency decomposition of gas mixture of (SiH[4]) [a] + (CH[4]) [b] and simultaneous thermal spraying of a complex compound Er (pd) [3]. It is shown that an increase of CH[4] in the gas mixture leads to an increase in carbon content in the studied films, increasing the width of the optical zone E{opt}[g] from 1. 75 to 2. 2 eV. Changes in the composition of the a-Si[1-x]C[x]: H (Er) films, which in turn were accompanied by changes in the optical constants in the IR spectra were observed. Analysis of the observed ellipsometric spectra using multivariable models was performed. The analysis concludes that good agreement between experimental and calculated spectra is observed, taking into account the changing composition of the amorphous films, which occurs when the gas mixture composition changing. The existence of a thin (6-8 nm) layer of silicon dioxide on the film surface, and justice of 2-layer model in the calculation of ellipsometric measurements are confirmed by the AFM studies. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p353-359.pdf Доп.точки доступа: Толмачев, В. А.; Гущина, Е. В. |