159.9:616 В 191 Васильева, В. В. Психологические особенности женщин с бесплодием [Текст] / В. В. Васильева, В. И. Орлов, К. Ю. Сагамонова, А. В. Черноситов // Вопросы психологии. - 2003. - N6. - Библиогр.:С.98 (14 назв.) . - ISSN 0042-8841
Рубрики: Психология--Медицинская психология Кл.слова (ненормированные): бесплодие -- тревожность -- репродуктивное поведение -- бесплодие женщин Аннотация: Приводятся результаты психологического обследования 84-х женщин, страдающих бесплодием. Показано, что бесплодие связано с особенностями псхической и соматической конституции. Перейти: www.voppsy.ru Доп.точки доступа: Орлов, В.И.; Сагамонова, К.Ю.; Черноситов, А.В. |
546 А 50 Аликовский, А. В. Взаимодействие фенилметилциклотрисилоксана с алкилокисями германия [Текст] / А. В. Аликовский, В. В. Васильева, Г. Я. Золотарь // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2005. - Т. 48, N 5. - С. 115-117. - Библиогр.: с. 117 (4 назв. ). - Ил.: 1 табл. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): германий; алкилокиси германия; полиорганилсилоксаны; полимеры; олигомеры; фенилметилциклотрисилоксаны; полимерные продукты; олигомерные продукты Аннотация: Определены оптимальные условия синтеза полимерных и олигомерных продуктов. Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Золотарь, Г. Я. |
546 А 50 Аликовский, А. В. Сравнительная оценка некоторых методов синтеза полибутилгерманоорганилсилсесквиоксанов [Текст] / А. В. Аликовский, В. В. Васильева, Г. Я. Золотарь // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2004. - Т. 47, N 9. - С. 60-63. - Библиогр.: с. 63 (6 назв. ). - Ил.: 2 табл. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Неорганическая химия--Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): полимеры; нерастворимые полимеры; каучуки; полибутилгерманоорганилсилсесквиоксаны; полимерообразование; германий; синтез Аннотация: Произведена сравнительная характеристика двух методов синтеза полибутилгерманоорганилсилсесквиоксанов. Установлено, что данные соединения могут быть получены как традиционным методом, так и ранее не описанным взаимодействием алкилокисей германия с растворимыми полиорганилсилсесквиоксанами. Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Золотарь, Г. Я. |
159.9:616 В 191 Васильева, В. В. (д-р биологических наук). Особенности психоэмоционального статуса женщин при физиологической и осложненной беременности и программа их психологического сопровождения [Текст] / В. В. Васильева, авт. В. В. Авруцкая // Психологический журнал. - 2008. - Т. 29, N 3. - С. 110-119. - Библиогр.: с. 118-119 (26 назв. ) . - ISSN 0205-9592
Рубрики: Психология Медицинская психология Кл.слова (ненормированные): психоэмоциональный статус -- беременность -- психологические обследования -- женщины -- психологическое сопровождение Аннотация: О психологическом обследовании женщин с физиологическим и с осложненным течением беременности. Полученные результаты позволяют сделать вывод о необходимости внедрения в деятельность акушерских служб программ психологического сопровождения беременности. Доп.точки доступа: Авруцкая, В. В. (канд. медицинских наук) |
621.315.592 Б 401 Безотосный, В. В. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом [Текст] / В. В. Безотосный, В. В. Васильева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 357-360 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ассиметричные гетероструктуры -- многомодовые лазерные диоды -- оптическая катастрофическая деградация зеркал -- сверхширокие волноводы Аннотация: Проведено сравнение параметров мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм, полученных на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом в системах твердых растворов AlGaAs/GaAs и (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs. В лазерах на основе системы AlGaAs/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si и составила 4. 7 Вт. В лазерах на основе системы (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена термическим насыщением и составила 7 Вт. Полученные результаты показали, что с точки зрения увеличения максимальной оптической мощности и срока службы лазеров более надежной является система (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs. Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Винокуров, Д. А.; Капитонов, В. А.; Крохин, О. Н.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Попов, Ю. М.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
621.315.592 М 911 Мурашова, А. В. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 835 нм на основе различных типов лазерных гетероструктур [Текст] / А. В. Мурашова, Д. А. Винокуров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 882-887 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- лазерные гетероструктуры -- лазерные диоды Аннотация: Проведено сравнение оптических и электрических характеристик мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 835 нм, полученных на основе трех систем твердых растворов: AlGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAsP и (Al) GaInP/GaInAsP. Выходная непрерывная оптическая мощность 5 Вт достигнута в лазерах с шириной полоска 80 мкм независимо от выбранной материальной системы. Наибольшая максимальная оптическая мощность 7 Вт достигнута в лазерах на основе системы (Al) GaInP/GaInAsP. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Шамахов, В. В.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.; Kim, Y. S.; Kang, D. H.; Lee, C. Y. |
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP гетероструктур (ламбда=1. 1-1. 2 мю m) [Текст] / А. В. Мурашова [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 13. - С. 25-32
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- гетероструктуры -- волоконные усилители Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений выращены квантово-размерные AlInGaAs/InP лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1. 18 мю m. Достигнута выходная непрерывная мощность излучения 40 mW при одномодовом режиме работы лазерного диода с шириной мезаполоска W=4 мю m. Максимальная непрерывная мощность излучения составила 75 mW. Доп.точки доступа: Мурашова, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лютецкий, А. В.; Вавилова, Л. С.; Васильева, В. В.; Мармалюк, А. А.; Рябоштан, Ю. А.; Тарасов, И. С. |
Васильева, В. В. Управление стратегическим потенциалом фирмы [Текст] : значение стратегического потенциала для определения перспектив развития фирмы / Васильева В. В. // Российское предпринимательство. - 2009. - N 1, вып : 2. - С. 60-65. - Библиогр.: с. 64-65 (16 назв. ) . - ISSN 1994-6937
Рубрики: Экономика Внутрифирменное управление. Менеджмент Кл.слова (ненормированные): стратегический потенциал фирмы -- управление стратегическим потенциалом -- стратегическое управление -- стратегическое планирование -- базисные ресурсы -- уникальные ресурсы -- нематериальные ресурсы -- навыки -- умения -- знания -- компетенции -- конкурентные преимущества -- диагностика стратегического потенциала Аннотация: Дано определение понятия "стратегический потенциал фирмы" (СПФ). Рассмотрены ключевые навыки и умения, знания и компетенции как часть СПФ. Представлены методы диагностики СПФ, используемые в стратегическом планировании. |
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С. |
Аликовский, А. В. Взаимодействие бутилокисей германия с полидифенилсилоксаном и полидифенилсиландиолом [Текст] / А. В. Аликовский, В. В. Васильева, Е. Т. Данько // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 5. - С. 103-106 : 1 табл. - Библиогр.: с. 105-106 (11 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): оксиды дибутилгермания -- полидифенилсилоксаны -- гексабутилдигерманий -- германийорганические фрагменты -- полидифенилсиландиолы Аннотация: Работа посвящена синтезу соединений, содержащих германийорганические фрагменты. Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Данько, Е. Т. |
621.315.592 Д 501 Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров [Текст] / В. В. Васильева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 252-257 : ил. - Библиогр.: с. 257 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): дифракционные решетки -- ДР -- распределенная обратная связь -- РОС -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- эмиттеры -- коэффициент отражения -- волноводная мода -- фотолитографические методы -- реактивное ионное травление -- лазерные структуры Аннотация: Для осуществления селективной обратной связи в полупроводниковом лазере предложено создавать в одном из эмиттеров глубокую дифракционную решетку с большим периодом (~2 мкм). Расчеты частотной зависимости коэффициента отражения в 12-м порядке дифракции для прямоугольных, треугольных и трапециевидных дифракционных решеток показали, что для получения максимального коэффициента отражения волноводной моды в лазерной структуре следует использовать дифракционную решетку глубиной ~2 мкм прямоугольной или трапециевидной формы. С использованием фотолитографических методов и реактивного ионного травления в эмиттере Al0. 3Ga0. 7As лазерной структуры GaAs/AlGaAs были созданы глубокие дифракционные решетки трапециевидной формы с большим периодом. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p252-257.pdf Доп.точки доступа: Васильева, В. В.; Винокуров, Д. А.; Золотарев, В. В.; Лешко, А. Ю.; Петрунов, А. Н.; Пихтин, Н. А.; Растегаева, М. Г.; Соколова, З. Н.; Шашкин, И. С.; Тарасов, И. С. |
621.375 Х 200 Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs / Д. А. Винокуров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1078-1081 : ил. - Библиогр.: с. 1081 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- лазерные гетероструктуры -- AlGaAsP/GaAs -- напряжения -- механические напряжения -- гетероструктуры фосфора -- фосфор -- лазерные диоды -- апертура -- лазерные диоды -- длина волны -- линейность -- ватт-амперная характеристика -- ток -- экспериментальные результаты Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры AlGaAsP/GaAs как без компенсации, так и с компенсацией внутренних механических напряжений путем введения в различные слои гетероструктуры фосфора, изменяющего параметр решетки слоя и тем самым влияющего на величину внутренних напряжений во всей лазерной гетероструктуре. Из структур изготовлены многомодовые мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм, и исследованы их свойства. Показано, что структуры с компенсацией внутренних механических напряжений обладают линейностью ватт-амперной характеристики вплоть до токов накачки, соответствующих максимальной выходной мощности. Также структуры с компенсацией внутренних механических напряжений имеют более высокие значения характеристических температур T[0] и T[1] по сравнению со структурой без компенсации внутренних механических напряжений. AlGaAsP/GaAs laser heterostructures with and without compensation of internal mechanical stress have been grown by MOCVD epitaxy. Compensation of internal mechanical stress has been done by introducing phosphorous in different heterostructure layers thus changing its lattice parameter. Mesastripe 100 mum aperture diode lasers based on such heterostructures have been manufactured and investigated. It has been shown that diode lasers based on heterostructures with compensation of internal mechanical stress possess linearity of the light-current characteristic up to maximum output power and the higher values of T[0] and T[1] parameters than those of heterostructures without compensation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1078-1081.pdf Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Шамахов, В. В.; Бахвалов, К. В.; Васильева, В. В.; Вавилова, Л. С.; Растегаева, М. Г.; Тарасов, И. С.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
541.6 Р 177 Разработка оптимальных условий синтеза полиметилсиликонатов натрия / А. В. Аликовский [и др.]. // Журнал прикладной химии. - 2014. - Т. 87, вып. 7. - С. 990-993. - Библиогр.: с. 993 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): гидроксид натрия -- диметилсульфоксид -- метилтрихлорсилан -- полиметилсесквиоксан -- полиметилсиликонаты натрия Аннотация: Предложен способ получения растворимого полиметилсесквиоксана путем частичного бутоксилирования исходного метилтрихлорсилана. Предложенный метод значительно упрощает процесс получения целевых соединений. Доп.точки доступа: Аликовский, А. В.; Красицкая, С. Г.; Баланов, М. И.; Васильева, В. В.; Шумкин, И. Ю.; Дальневосточный федеральный университет (Владивосток); Дальневосточный федеральный университет (Владивосток); Дальневосточный федеральный университет (Владивосток); Дальневосточный федеральный университет (Владивосток); Дальневосточный федеральный университет (Владивосток) |