539.2 С 810 Стогний, А. И. Особенности перераспределения кобальта по поверхности пленок неоднородных сплавов кобальт-медь [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин, Н. Н. Новицкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кобальт -- медь -- пленки -- поверхность пленок -- сплавы -- электролитическое осаждение Аннотация: Приведены результаты сравнительного анализа поверхности электролитически осажденных пленок Co[x]Cu[100-x] (x=8, 11 и 20 at%) толщиной до 1 mum и пленок толщиной до 0.2 mum, полученных осаждением продуктов распыления мишеней, составленных из электроосажденных пленок соответствующего состава, пучком ионов аргона. Использованы методы атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Данные последней свидетельствуют об отсутствии кобальта на поверхности электроосажденных пленок, о его наличии в объеме и на поверхности пленок, полученных ионным распылением, о менее существенных расхождениях в линиях фотоэлектронных спектров меди у пленок одного состава, полученных разными способами. Для объяснения полученных результатов предложена качественная модель, согласно которой процессы слияния субзерен основной медной компоненты в крупные образования с последующим приобретением ими на свободной поверхности вида островков правильной овальной формы способствуют миграции атомов кобальта со свободной поверхности в область приповерхностных пор. Наличие определенной доли высокоэнергетических частиц в потоке продуктов распыления мишеней и бомбардировка ими фронта поверхности роста пленок, полученных ионным распылением, сопровождается внедрением наиболее быстрых распыленных атомов кобальта в медную матрицу в виде точечных дефектов Доп.точки доступа: Корякин, С.В.; Новицкий, Н.Н. |
Розанов, В. В. Высокоразрешающие методы микроскопии при анализе структуры неоднородностей на поверхности органических пленок [Текст] / В. В. Розанов, А. А. Евстрапов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 15. - С. 43-48
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): органические пленки -- поверхность пленок -- неоднородности -- методы микроскопии Аннотация: Анализируются особенности получения информации о поверхностной структуре полиимидной ленгмюровской пленки при ее исследовании методами высокоразрешающей атомно-силовой и конфокальной лазерной сканирующей микроскопии. Обсуждается предположение, что образование структурных неоднородностей микронных и субмикронных размеров связано как с механическими дефектами подложки, так и с процессом термической имидизации. Доп.точки доступа: Евстрапов, А. А. |
544.72 М 597 Микроструктура и свойства тонких пленок WO[3] модифицированных золотом [Текст] / О. В. Анисимов [и др.] // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 7. - С. 1345-1350. - Библиогр.: c. 1350 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): диоксид азота -- дисперсные слои -- каталитическое золото -- магнетронное распыление -- нанокристаллические пленки -- оксидные мишени -- поверхность пленок -- постоянный ток Аннотация: Магнетронным распылением металлической (W + Au) -мишени на постоянном токе или ВЧ-магнетронным распылением оксидных мишеней WO[3] + Au получены тонкие (около 100 нм) нанокристаллические пленки WO[3] с добавлением золота (на поверхность пленок дополнительно напылены дисперсные слои каталитического золота). На основе сопоставления результатов изучения состава и микроморфологии поверхности пленок, а также электрических и газочувствительных характеристик сенсоров диоксида азота определен механизм влияния золота на свойства пленок WO[3]. Доп.точки доступа: Анисимов, О. В.; Максимова, Н. К.; Найден, Ю. П.; Новиков, В. А.; Севастьянов, Е. Ю.; Рудов, Ф. В.; Черников, Е. В. |
539.21:537 З-374 Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения [Текст] / И. А. Черных [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 18. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): металлические ленты -- подложки -- RABiTS -- затравочные слои -- эпитаксиальные пленки -- ВТСП провода -- лазерное осаждение -- импульсное лазерное осаждение -- метод импульсного лазерного осаждения -- ориентация пленок -- кристаллическая ориентация -- паразитная ориентация -- температуры -- поверхность пленок -- трещины -- гладкие поверхности Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на металлических лентах RABiTS сформированы эпитаксиальные пленки CeO[2] и Y[2]O[3]. Проведено исследование зависимости кристаллической ориентации пленок от температуры синтеза. Показано, что пленки Y[2]O[3] формируются со 100%-й ориентацией (100), в то время как в пленках CeO[2] во всем диапазоне температур роста присутствует паразитная ориентация. Острота текстуры в плоскости подложки составила 8°. Исследования поверхности пленок показали, что в пленках CeO[2] при увеличении температуры синтеза возникают трещины, поверхность пленок Y[2]O[3] является сплошной во всем диапазоне температур синтеза. Пленки Y[2]O[3] наиболее соответствуют требованиям, предъявляемым к затравочным слоям: являются эпитаксиальными с кристаллической ориентацией (100), наследуют текстуру подложки, поверхность является гладкой, без наличия трещин. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/18/p53-59.pdf Доп.точки доступа: Черных, И. А.; Строев, А. М.; Клевалина, Л. В.; Пресняков, М. Ю.; Головкова, Е. А.; Тихомиров, С. А.; Занавескин, М. Л.; Марченков, А. Н.; Шиков, А. К. |
539.2 А 516 Алпатов, А. В. Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок a-Si:H методом двумерного флуктуационного анализа / А. В. Алпатов, С. П. Вихров, Н. В. Гришанкина // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 340-347 : ил. - Библиогр.: с. 346-347 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные интерфейсы -- интерфейсы поверхности -- корреляция интерфейсов -- пленки полупроводников -- метод двумерного флуктационного анализа -- двумерный флуктационный анализ -- флуктационный анализ -- модельные поверхности -- структурные свойства -- упорядоченные структуры -- хаотические структуры -- показатели -- скейлинги -- неупорядоченные проводники -- поверхность пленок -- аморфный гидрогенизированный кремний -- гидрогенизированный кремний -- кремний -- метод атомно-силовой микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- немонофрактальность Аннотация: Представлена реализация модифицированного метода двумерного флуктуационного анализа для выявления корреляций интерфейсов поверхности. Были исследованы модельные поверхности с известным правилом построения, с различными структурными свойствами: упорядоченные, структуры со слабой организацией, хаотические. Полученные значения скейлингового показателя сопоставлялись с известной шкалой значений. Были выявлены особенности поведения скейлинга на различных масштабах. Показано, что метод может эффективно использоваться при исследовании эволюции поверхности, например, при росте пленок неупорядоченных полупроводников, при оценке степени упорядоченности, при исследовании процессов самоорганизации. Были исследованы поверхности пленок аморфного гидрогенизированного кремния, сканы которых были получены методом атомно-силовой микроскопии. Диагностика методом двумерного флуктуационного анализа показала наличие немонофрактальности поверхностей и нескольких составляющих интерфейса поверхности - шумовой и синусоидальной. An implementation of the modified two-dimensional Detrended Fluctuation Analysis method for the elicitation of surface interfaces correlations was presented. The model surfaces with a noted construction rule, with different structural properties: ordered, structures with a weak order, chaotic were investigated. The obtained scaling exponent values compared with the noted scale of values. The scaling behavior features on different scales were elicited. It was revealed that the method can be efficiently used in surface evolution studies, for example in adisordered semiconductor films growth, in an estimation of an order degree, in an investigation of self-organization processes. Hydrogenated amorphous silicon films surfaces were explored, scans were obtained by Atomic Force Microscopy. Diagnostics by the two-dimensional Detrended Fluctiation Analysis method shown the presence of a surface non-monofractality and a few interface components - noise and sinusoidal. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p340-347.pdf Доп.точки доступа: Вихров, С. П.; Гришанкина, Н. В. |
539.19 С 750 Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации / Д. Б. Шустов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1279-1282 : ил. - Библиогр.: с. 1282 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- сублимация -- вакуум -- подложки -- 6H-SiC -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- политипы -- катодолюминесценция -- КЛ -- поверхность пленок -- латеральная поверхность -- дефекты упаковки -- границы -- переходные слои -- сравнительные исследования Аннотация: Исследовались гетероструктуры n-3C-SiC/n-6H-SiC, выращенные методом сублимации в вакууме на коммерческих подложках 6H-SiC компании CREE. ПЭМ исследования показали, что на подложке вырос переходной слой переменной толщины, представляющий собой смесь 3C- и 6H-политипов. На прослойке был получен слой 3C-политипа. Исследования катодолюминесценции поверхности выращенной пленки в латеральной поверхности показали, что на поверхности и приповерхностной области (порядка 100 мкм) встречаются дефекты в виде вкрапления другой фазы (6H-политипа), дефектов упаковки и двойничковых границ (разделяющих домены кубической модификации, выращенной в различных ориентациях). Различные условия роста оказывают влияние на концентрацию различных типов дефектов. Heterostructure of n-3C-SiC layers grown by vacuum sublimation technique on CREE n-6H-SiC substrates were studied by cathodoluminescence (CL) and transmission electron microscopy (TEM). According to TEM measurements there intermediate layer was found between 3C-layer and 6H-substrate. Intermediate layer is an irregular sequence of 3C/6H thin layers with non-uniform spatial distribution. CL shows the presence of defects (6H-inclusions, staking faults, twin-boundaries) in the 3C-surface layer (~ 100 mum). Variation of growth parameters leads to changes in density of different defects types. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1279-1282.pdf Доп.точки доступа: Шустов, Д. Б.; Лебедев, А. А.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Ситникова, А. А.; Заморянская, М. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург) |
539.2 M 19 Majid Khan Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering / Majid Khan, aut. Mohammad Islam // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1636-1641 : ил. - Библиогр.: с. 1641 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- молибден -- Mo -- стеклянные подложки -- поверхность пленок -- пленки -- магнетронное распыление -- электрические свойства -- морфологические свойства -- структурные свойства -- удельное электрическое сопротивление -- электрическое сопротивление -- кристалллиты -- морфология поверхности -- шероховатость поверхности -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- эффект Холла -- Холла эффект -- монокристаллические структуры Аннотация: Molebdenum (Mo) thin films were deposited on well-cleaned soda-lime glass substrates using DC-plasma magnetron sputtering. In the design of experiment, deposition was optimized for maximum beneficial characteristics by monitoring effect of process variables such as deposition power (100-200 W). Their electrical, structural and morphological properties were analyzed to study the effect of these variables. The electrical resistivity of Mo thin films could be reduced by increasing deposition power. Within the range of analyzed deposition power, Mo thin films showed a monocrystalline nature and the crystallites were found to have an orientation along [110] direction. The surface morphology of thin films showed that a highly dense microstructure has been obtained. The surface roughness of films increased with deposition power. Adhesion of Mo thin films could be improved by increasing the deposition power. Atomic force microscopy was used for the topographical study of the films and to determine the roughness of the films. X-ray diffractrometer and scanning electron microscopy analysis were used to investigate the crystallinity and surface morphology of the films. Hall effect measurement system was used to find resistivity, carrier mobility and carrier density of deposited films. The adhesion test was performed using scotch hatch tape adhesion test. Mo thin films prepared at deposition power of 200 W, substrate temperature of 23 °C and Ar pressure of 0. 0123 mbar exhibited a monocrystalline structure with an orientation along (110) plane, thickness of ~ 550 nm and electrical resistivity value of 0. 57 x 10{-4} Omega x cm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1636-1641.pdf Доп.точки доступа: Mohammad Islam; School of Chemical & Materials Engineering, National University of Sciences & Technology (Pakistan)Center of Excellence for Research in Engineering Materials, Advanced Manufacturing Institute (Saudi Arabia) |
536.42 К 630 Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений / В. А. Володин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 185-189 : ил. - Библиогр.: с. 189 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): комбинационное рассеяние света -- КРС -- халькогениды -- свинец -- теллурид свинца -- олово -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- метод спектроскопии комбинационного рассеяния света -- фазовые трансформации -- пленки -- поверхность пленок -- легирование индием -- индий -- сравнительный анализ -- теллур -- оксид теллура -- фазовый состав Аннотация: Пленки PbTe и Pb[1-x]Sn[x]Te, как нелегированные, так и легированные индием, исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Обнаружено, что поверхность пленок меняется в процессе записи спектров. Из сравнительного анализа полученных нами и литературных данных предположено, что пики при 90, 117 и 138 см{-1} связаны с комбинационным рассеянием света на выделениях теллура или оксида теллура. Установлено, что эти пики появляются в пленках Pb[1-x]Sn[x]Te и в пленках PbTe только при легировании индием. Пик при 180 см{-1} наблюдается в спектрах всех образцов и не связан с плазмон-фононной модой, природа его до конца не ясна. Both undoped and indium doped PbTe and Pb[1-x]Sn[x]Te films were studied using Raman spectroscopy technique. It was observed that film surfaces were modified during registration of Raman spectrum. It was concluded from comparing analysis of the Raman spectra and literature data that peaks at 90, 117, and 138 cm{-1} are due to Raman scattering by tellurium or tellurium oxide precipitates. It was observed, that these peaks appeared for Pb[1-x]SnxTe films or for indium doped PbTe films. The peak at 180 cm{-1} was observed in Raman spectra of all samples, it is not related to coupled plasmon-phonon modes, it’s nature is not clear now. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p185-189.pdf Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Синюков, М. П.; Щеглов, Д. В.; Латышев, А. В.; Федосенко, Е. В.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный университет |
544.6 С 873 Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов / Н. П. Клочко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 539-548 : ил. - Библиогр.: с. 548 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Электрохимия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроосажденные пленки -- сравнительный анализ -- результаты анализа -- поверхность пленок -- пленки -- медь -- индий -- олово -- цинк -- морфология поверхности -- структура поверхности -- электрохимическое осаждение -- электролиты -- импульсный режим -- солнечные элементы -- кристаллические пленки -- селен -- халькопириты -- оптические свойства -- аморфные пленки -- прекурсоры -- отжиг Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, индия, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/In/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров халькопирита CuInSe[2] и кестерита соответственно. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковые материалы CuInSe[2] и Cu[2]ZnSnSe[4] будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения. A comparative analysis of structure and surface morphology of copper, indium, tin, zinc films and film stacks made by electrochemical deposition in galvanostatic steady-state conditions, in galvanostatic mode with ultrasonic agitation of electrolytes, in the forward pulse and reverse pulse modes with rectangular pulses has been performed. The influence of the modes of electrodeposition on the structure, optical properties and surface morphology of the amorphous and crystalline selenium films is presented. By sequential electrochemical deposition the film stacks Cu/In/Se and Cu/Sn/Zn/Se were obtained, which are models of chalcopyrite CuInSe[2] and kesterite Cu[2]ZnSnSe[4] precursors, respectively. These precursors after their conversion into CuInSe2 and Cu[2]ZnSnSe[4] semiconductors, respectively, by subsequent annealing will be used as base layers of cheap and efficient thin film solar cells of the new generation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p539-548.pdf Доп.точки доступа: Клочко, Н. П.; Хрипунов, Г. С.; Волкова, Н. Д.; Копач, В. Р.; Момотенко, А. В.; Любов, В. Н.; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"; Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" |