539.2
С 810


    Стогний, А. И.
    Особенности перераспределения кобальта по поверхности пленок неоднородных сплавов кобальт-медь [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин, Н. Н. Новицкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кобальт -- медь -- пленки -- поверхность пленок -- сплавы -- электролитическое осаждение
Аннотация: Приведены результаты сравнительного анализа поверхности электролитически осажденных пленок Co[x]Cu[100-x] (x=8, 11 и 20 at%) толщиной до 1 mum и пленок толщиной до 0.2 mum, полученных осаждением продуктов распыления мишеней, составленных из электроосажденных пленок соответствующего состава, пучком ионов аргона. Использованы методы атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Данные последней свидетельствуют об отсутствии кобальта на поверхности электроосажденных пленок, о его наличии в объеме и на поверхности пленок, полученных ионным распылением, о менее существенных расхождениях в линиях фотоэлектронных спектров меди у пленок одного состава, полученных разными способами. Для объяснения полученных результатов предложена качественная модель, согласно которой процессы слияния субзерен основной медной компоненты в крупные образования с последующим приобретением ими на свободной поверхности вида островков правильной овальной формы способствуют миграции атомов кобальта со свободной поверхности в область приповерхностных пор. Наличие определенной доли высокоэнергетических частиц в потоке продуктов распыления мишеней и бомбардировка ими фронта поверхности роста пленок, полученных ионным распылением, сопровождается внедрением наиболее быстрых распыленных атомов кобальта в медную матрицу в виде точечных дефектов


Доп.точки доступа:
Корякин, С.В.; Новицкий, Н.Н.


537.622:539.216.2
Ф 339


    Федосюк, В. М.
    Исследование гранулированных электроосажденных AgCo пленок [Текст] / В. М. Федосюк, Х. И. Блайт, М. М. Малюш, О. И. Касютич // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N4. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 22.33; 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
гранулированные пленки -- магнитные свойства пленок -- метод электролитического осаждения -- пленки -- пленки неоднородных сплавов -- структура гранулированных пленок -- электролитическое осаждение -- электроосажденные пленки
Аннотация: Методом электролитического осаждения получены пленки неоднородных сплавов Ag[100-x]Co[x]cx=0-100%. Исследована их структура и магнитные свойства.


Доп.точки доступа:
Блайт, Х.И.; Малюш, М.М.; Касютич, О.И.


539.216.2:538.24
Т 642


    Точицкий, Т. А.
    О механизме формирования структуры электролитических магнитных пленок сплавов на основе кобальта [Текст] / Т. А. Точицкий, Л. В. Немцевич, Ж. Н. Архипенко // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т. 46, N 8. - Библиогр.: с. 29 (21 назв. ). - ил.: 1 табл., 2 рис. . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кобальт -- легирующие элементы -- магнитные пленки -- пленки сплавов с кобальтом -- тонкопленочные материалы -- электролитические магнитные пленки -- электролитическое осаждение
Аннотация: Приведены результаты исследования механизма формирования структуры электроосажденных магнитных пленок сплавов Со-W, Co-P, Co-Re, Co-Cu. Показано, что увеличением содержания легирующих элементов в сплавах реализуется фазовый переход: поликристаллическое-агрегатное-аморфное либо нанокристаллическое состояние. Исследовано влияние размера атомов легирующих элементов на формирование субструктуры электролитически осажденных магнитных пленок.


Доп.точки доступа:
Немцевич, Л. В.; Архипенко, Ж. Н.




    Соколов, Ю. В.
    Особенности формирования хромовых и железных покрытий [Текст] / Ю. В. Соколов, Б. А. Спиридонов, Л. А. Битюцкая // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 48-50 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 30.3
Рубрики: Техника
   Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
фракталы -- фрактальные размерности -- фрактальные агрегаты -- электролитическое осаждение -- электролиз -- агрегаты сфероидов
Аннотация: Методом электролитического осаждения получены Cr и Fe покрытия, состоящие из сферидов с фрактальной структурой.


Доп.точки доступа:
Спиридонов, Б. А.; Битюцкая, Л. А.




   
    Электролитическое осаждение свинца из суспензионного электролита с тубулярными углеродными наноструктурами [Текст] / Н. Д. Кошель [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 9. - С. 58-62 : 6 рис. . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 24.1 + 24.57
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом

   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- углеродные наноструктуры -- свинец -- суспензионные электролиты -- композитные осадки -- кристаллизация композитных осадков -- морфология композитных осадков -- тубулярные наноструктуры -- углеродные наноструктуры -- электролитическое осаждение
Аннотация: Исследованы особенности кристаллизации композитных осадков на основе свинца из электролитов, содержащих углеродные тубулярные наноструктуры. Выявлено два механизма образования композиционного осадка.


Доп.точки доступа:
Кошель, Н. Д.; Ваганов, В. Е.; Захаров, В. Д.; Абрамов, Д. В.; Боклаг, В. И.


66
В 586


   
    Влияние фосфат-ионов на анодное растворение титана в серной кислоте [Текст] / С. М. Русакова [и др.] // Химическая технология. - 2011. - N 3. - С. 179-184. - Библиогр.: с. 184 (7 назв. ) . - ISSN 1684-5811
УДК
ББК 35
Рубрики: Химическая технология
   Общие вопросы химической технологии

Кл.слова (ненормированные):
титан -- анодное растворение -- биосовместимые металлы -- имплантаты -- серная кислота -- электролитическое осаждение -- титановые электроды
Аннотация: Исследовано влияние фосфат-ионов на электрохимическое поведение титана в растворах серной кислоты.


Доп.точки доступа:
Русакова, С. М.; Горичев, И. Г. (доктор химических наук); Клюев, А. Л. (кандидат химических наук); Артамонова, И. В. (кандидат химических наук); Лайнер, Ю. А. (доктор химических наук)


539.21:537
Э 455


   
    Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 948-953 : ил. - Библиогр.: с. 952-953 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
интерфейсы -- пограничные слои -- электронные свойства -- фталоцианин меди -- электролитическое осаждение -- пленки -- отражение -- регистрация -- медленные электроны -- спектроскопия -- падающие электроны -- токи -- максимумы -- энергетические диапазоны -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- метод теории функционала плотности -- переходные слои -- вакуум -- электронная плотность
Аннотация: Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F[16]-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F[16]-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F[16]-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F[16]-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F[16]-CuPc/CuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0. 7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F[16]-CuPc.
The interface formation during the deposition of the unsubstituted copper phthalocyanine film (CuPc) onto the surface of hexadecafluoro copper phthalocyanine (F[16]-CuPc) was studied. The incident low-energy electron beam with energies from 0 to 25 eV was used to test the surface under study according to the very low energy electron diffraction technique and to the total electron current spectroscopy measurement scheme. The peak structure of the total current spectra was determined for the F[16]-CuPc films studied and a comparison was made to the peak structure of the spectra known for the unsubstituted CuPc films within the energy region from 5 to 15 eV above the Fermi level. The differences of the orbital energies of CuPc and F[16]-CuPc molecules were obtained by means of the density functional theory calculations for the same energy region. During the CuPc film deposition the changes of the intensities of the spectra, which appear from the interface layer between CuPc and F[16]-CuPc films were analyzed. It was suggested that the interface layer with no significant total electron current peak structure was formed within 1 nm from the interface plane. The height of the interface barrier, its width and the work function changes at the F[16]-CuPc/CuPc boarder were determined. It was observed that the energy position of the vacuum level decreased by 0. 7 eV, which corresponds to the electron transfer from the CuPc film in the direction of the F[16]-CuPc film.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p948-953.pdf

Доп.точки доступа:
Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Пшеничнюк, С. А.; Гавриков, А. А.; Чепилко, Н. С.; Томилов, А. А.; Герасимова, Н. Б.; Лезов, А. А.; Репин, П. С.


544.6
С 900


    Суржко, О. А.
    Электролитическое осаждение кобальт-свинцового сплава с магнитными свойствами / О. А. Суржко // Журнал прикладной химии. - 2013. - Т. 86, вып. 2. - С. 197-201. - Библиогр.: с. 201 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4618
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
кобальт -- кобальт-свинцовые сплавы -- пирофосфатные электролиты -- свинец -- электролитическое осаждение
Аннотация: Предложен электролит для получения сплава кобальта со свинцом.



661.13
В 586


   
    Влияние условий подготовки поверхности диэлектриков на качество химически осажденной меди / Т. Ф. Юдина [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 12. - С. 75-77 : 3 рис. - Библиогр.: с. 77 (2 назв. ) . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 35.35
Рубрики: Химическая технология
   Электрохимические производства

Кл.слова (ненормированные):
медные покрытия -- диэлектрики -- химические покрытия -- меднение -- химическое меднение -- электролитическое осаждение -- сенсибилизация
Аннотация: Исследовано качество осадков меди, полученных из электролитов химического осаждения при различных схемах подготовки поверхности.


Доп.точки доступа:
Юдина, Т. Ф.; Пятачкова, Т. В.; Пятачков, А. А.; Ершова, Т. В.


544.6
П 723


   
    Преобразование шпинели LiMn[2-x]Co[2]O[4] на основе электролитически соосажденных Mn,Co-оксидных предшественников в литиевом аккумуляторе / Е. М. Шембель [и др.]. // Журнал прикладной химии. - 2014. - Т. 87, вып. 9. - С. 1265-1273. - Библиогр.: с. 1272-1273 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4618
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
литиевые аккумуляторы -- оксиды кобальта -- оксиды марганца -- шпинели -- электролитическое осаждение
Аннотация: Показано, что синтезированная шпинель в комбинации с ацетиленовой сажей в качестве электропроводящей добавки стабильно демонстрирует в редокс-реакции с литием обратимую емкость не менее 105 мА.


Доп.точки доступа:
Шембель, Е. М.; Апостолова, Р. Д.; Орбах, Д.; Марковский, Б.; Украинский государственный химико-технологический университет (Днепропетровск); Украинский государственный химико-технологический университет (Днепропетровск); Бар-Иланский университет (Израиль); Бар-Иланский университет (Израиль)