Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотоэлектрические преобразователи<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-25

Шевалеевский, О. И.
Моделирование спектра действия фототока в молекулярном солнечном элементе: эффект объемной фотопроводимости [Текст] / О. И. Шевалеевский // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 398, N 4. - С. 506-509 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a541.1

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
фототоки -- фотопроводимость -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- солнечная энергия -- преобразование энергии -- спектральная зависимость
Аннотация: Представлена новая феноменологическая модель поведения спектральной зависимости фототока молекулярного солнечного элемента в короткозамкнутом состоянии.

Найти похожие

Горбунов, Н. А.
Качественная модель плазменного фотоэлектрического преобразователя [Текст] / Н. А. Горбунов, G. Flamant // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 1. - С. 72-81. - Библиогр.: c. 81 (36 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
плазменные фотоэлектрические преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- оптическое излучение -- электрический ток -- фотовольтаический эффект -- плазма -- фотоплазма
Аннотация: Рассмотрен преобразователь сфокусированного оптического излучения в электрический ток на основе фотовольтаического эффекта в плазме. Модель конвертора основана на анализе асимметричных пространственных распределений плотности заряженных частиц и амбиполярного потенциала в фотоплазме, которая создается под действием внешнего оптического излучения, сфокусированного внутри тепловой трубы, заполненной смесью щелочных паров и тяжелого инертного газа. Проанализирован баланс энергии в плазменном фотоэлектрическом преобразователе. Указаны условия, в которых энергия внешнего излучения эффективно поглощается внутри преобразователя. Определены параметры плазмы, при которых энергия поглощенного оптического излучения преимущественно расходуется на поддержание амбиполярного поля в плазме. Показано, что использование плазменного фотоэлектрического преобразователя позволяет получить высокие коэффициенты преобразования сфокусированной солнечной радиации.

Доп.точки доступа:
Flamant, G.

Найти похожие

Оптимизация параметров солнечных модулей на основе линзовых концентраторов излучения и каскадных фотоэлектрических преобразователей [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 2. - С. 118-125. - Библиогр.: c. 125 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a621.383

^a535.31

ББК 32.854 + 22.342
Рубрики: Радиоэлектроника
   Фотоэлектрические приборы
   Физика
   Геометрическая оптика. Оптические приборы
Кл.слова (ненормированные):
солнечные модули -- линзовые концентраторы излучения -- фотоэлектрические преобразователи -- концентрирование излучения -- линзы Френеля -- Френеля линзы -- фокусировка излучения
Аннотация: Рассмотрены два основных аспекта, определяющих конструктивный облик солнечного концентраторного модуля с трехкаскадными наногетероструктурными фотоэлектрическими преобразователями (ФЭП) - это условие эффективного концентрирования излучения линзами Френеля и условие эффективного отвода тепла от ФЭП. С использованием методов теоретического и экспериментального моделирования этих процессов определены конструктивные параметры соответствующих элементов модуля. Изготовлены тестовая партия полноразмерных модулей. Каждый модуль состоит из фронтальной панели малоразмерных линз Френеля (144 линзы при расположении 12x 12) и соответствующего количества ФЭП с многослойной структурой на основе материалов InGaP/GaAs/Ge. Смонтированные на теплоразводящие пластины, ФЭП также объединены в панель. Измеренное в натурных условиях значение КПД концентраторного модуля с входной апертурой 0. 5x0. 5 m составило 24. 3%, что в два с лишним раза превосходит значение КПД обычных (без концентратора) модулей на основе кремния. В тестовых модулях меньшего размера при введении коррекции на стандартную (25{o}C) температуру ФЭП значение КПД достигало 26. 5%.

Доп.точки доступа:
Андреев, В. М.; Давидюк, Н. Ю.; Ионова, Е. А.; Покровский, П. В.; Румянцев, В. Д.; Садчиков, Н. А.

Найти похожие

Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 537-541

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G.

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З.

Найти похожие

Бобренко, Ю. Н.
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS [Текст] / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 830-835 : ил. - Библиогр.: с. 834 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- ультрафиолетовые излучения -- УФ излучения -- слои -- варизонные слои -- p-n переходы -- гетероструктуры -- ZnS
Аннотация: Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu[1. 8]S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu[1. 8]S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu[1. 8]S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-Zn[x]Cd[1-x]S или CdSe- (ZnS) [x] (CdSe) [1-x]. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu[1. 8]S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя.

Доп.точки доступа:
Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.

Найти похожие

Дубровский, В. Г.
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры
Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 801-806 : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования
Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.

Доп.точки доступа:
Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В.

Найти похожие

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1114-1117 : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность
Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В.

Найти похожие

Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1568-1576 : ил. - Библиогр.: с. 1575-1576 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- германий -- GaInP/GaInAs/Ge -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- германиевые субэлементы
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1. 5 А/см{2}.

Доп.точки доступа:
Калюжный, Н. А.; Гудовских, А. С.; Евстропов, В. В.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М.

Найти похожие

10.

621.383
Л 847

Лунин, Л. С.
Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb [Текст] / Л. С. Лунин, авт. А. С. Пащенко // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 71-76. - Библиогр.: c. 76 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- коэффициент полезного действия -- КПД -- арсенид галлия -- антимонид галлия -- каскадные солнечные элементы -- вольт-амперные характеристики -- ватт-вольтные характеристики -- спектральная чувствительность
Аннотация: Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p71-76.pdf

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. С.

Найти похожие

11.

621.375
П 473

Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота [Текст] / Н. Т. Гурин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 6. - С. 57-62 : ил. - Библиогр.: с. 62 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники -- позиционно-чувствительные фотоприемники -- фотоэлектрические преобразователи -- углы поворота -- полупроводниковые структуры -- трехслойные структуры -- полупроводниковые трехслойные структуры -- выходное напряжение -- излучающие диоды
Аннотация: Рассмотрен позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота. Позиционно-чувствительный фотоприемник представляет собой полупроводниковую трехслойную структуру, выполненную в форме сектора кольца. Выходное напряжение позиционно-чувствительного фотоприемника линейно зависит от угла поворота излучающего диода относительно контактов фотоприемника. Рассмотренный фотоприемник имеет точность определения угла 7', высокую надежность, а также совместимость с любой измерительной, согласующей и обрабатывающей аппаратурой в конструкции преобразователей углов поворота.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/06/p57-62.pdf

Доп.точки доступа:
Гурин, Н. Т.; Новиков, С. Г.; Корнеев, И. В.; Штанько, А. А.; Родионов, В. А.

Найти похожие

12.

537.311.33
Ф 815

Фотоэлектрические свойства пленочных гетероструктур на основе поли-N-эпоксипропилкарбазола и мероцианинового красителя [Текст] / Н. А. Давиденко [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 30-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

539.21:537

621.382

ББК 22.379 + 22.373 + 32.852
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
   Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- пленочные гетероструктуры -- красители -- мероцианиновые красители -- карбазолы -- поли-N-эпоксипропилкарбазол -- фотоэлектрические свойства -- фотопроводящие свойства -- фотодиэлектрические свойства -- фотовольтаические свойства -- фотоэлектрические преобразователи -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- результаты исследований -- диоды -- фотодиоды -- полимеры -- проводимость -- биполярная проводимость -- напыленные пленки
Аннотация: Созданы гетероструктуры на основе мероцианинового красителя, напыленного на поли-N-эпоксипропилкарбазол. Исследованы их фотопроводящие, фотодиэлектрические и фотовольтаические свойства. Пленочные гетероструктуры имеют свойства фотодиода и фотоэлектрического преобразователя. Сделан вывод, что p-n-переход в гетероструктурах обеспечивается дырочным характером проводимости полимера и биполярной проводимостью напыленной пленки красителя.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p30-37.pdf

Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Ищенко, А. А.; Коротченков, О. А.; Мокринская, Е. В.; Подолян, А. А.; Студзинский, С. Л.; Тонкопиева, Л. С.

Найти похожие

13.

621.383
В 586

Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей [Текст] / С. А. Блохин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 22. - С. 43-49 : ил. - Библиогр.: с. 49 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.383

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- спектральные характеристики -- квантовые выходы -- квантовые точки -- сравнительные исследования -- результаты исследований -- i-области -- фототоки -- спектры фототока -- фоточувствительность -- деградация фоточувствительности
Аннотация: Приведены результаты сравнительных исследований внутреннего квантового выхода AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) при изменении расположения массива вертикально связанных квантовых точек (КТ) InGaAs. Вынос КТ-среды непосредственно на границу i-области с базой не вызывает изменений в чувствительности ФЭП по сравнению со случаем КТ в i-области. Однако вынос КТ в базу или к тыльному потенциальному барьеру приводит к снижению вклада базового слоя в спектры фототока ФЭП и деградации фоточувствительности КТ-среды.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/22/p43-49.pdf

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Надточий, А. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Емельянов, В. М.; Неведомский, В. Н.; Шварц, М. З.; Максимов, М. В.; Лантратов, В. М.; Леденцов, Н. Н.; Устинов, В. М.

Найти похожие

14.

621.315.592
Ф 815

Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов [Текст] / М. А. Минтаиров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1074-1081 : ил. - Библиогр.: с. 1080 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- солнечные элементы -- СЭ -- солнечное излучение -- фотогенерированный ток -- последовательное сопротивление -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ
Аннотация: Предложен и обоснован способ определения последовательного сопротивления, R[s], многопереходных солнечных элементов, использующий наличие максимума на зависимости эффективности от кратности концентрирования солнечного излучения, eta (X), или рабочего напряжения от фотогенерированного тока, V[m] (J[g]). В работе использовано положение, состоящее в том, что в ограниченном, но практически значимом диапазоне фотогенерированных токов (вплоть до максимума eta) последовательное сопротивление может быть представлено фиксированной величиной - линейной и не зависящей от J[g]. Обосновано аналитически, что такое сопротивление может быть определено по формуле R[s]= (E/J[g]) eta=max, где E=AkT/q; A, J[g] - локальные значения коэффициента идеальности и фотогенерированного тока при максимальном eta (или V[m]). Установлено, что величина Rs, определенная этим методом, не зависит от спектрального состава падающего излучения, что экспериментально подтверждено при исследовании фотовольтаических характеристик трехпереходных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Метод пригоден как для многопереходных, так и для однопереходных фотоэлектрических преобразователей.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1074-1081.pdf

Доп.точки доступа:
Минтаиров, М. А.; Евстропов, В. В.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М.

Найти похожие

15.

621.383
С 535

Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия [Текст] / Ф. Ю. Солдатенков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1266-1273 : ил. - Библиогр.: с. 1272-1273 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.383^V3

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
омические потери -- фотоэлектрические преобразователи -- омические контакты -- фотоэлементы -- TLM -- transmission line model -- антимонид галлия -- метод магнетронного распыления -- магнетронное распыление -- резистивное испарение -- многослойные контактные системы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отжиг -- фронтальные поверхности -- удельное сопротивление -- фототоки
Аннотация: С использованием методики TLM (transmission line model) с радиальной и прямоугольной геометрией контактных площадок исследованы контактные системы Cr-Au, Cr-Au-Ag-Au, Ti-Pt-Au, Pt-Ti-Pt-Au, Pt-Au, Ti-Au, Ti-Pt-Ag, Ti-Pt-Ag-Au, Pt-Ag, осажденные на поверхность p-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что контактные системы Ti-Pt-Ag-Au и Ti-Pt-Ag характеризуются наиболее низкими значениями удельного переходного контактного сопротивления (rho[c]<10{-6} Ом x см{2}), что позволяет использовать их для создания фотоэлектрических преобразователей, генерирующих фототоки до 15 А/см{2}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1266-1273.pdf

Доп.точки доступа:
Солдатенков, Ф. Ю.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Задиранов, Ю. М.; Растегаева, М. Г.; Усикова, А. А.

Найти похожие

16.

535.2/.3
В 932

Высокоэффективный (eta=39. 6%, AM 1. 5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения [Текст] / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 810-815 : ил. - Библиогр.: с. 814-815 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

621.315.592^V3

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- солнечное излучение -- расщепление сета -- спектральное расщепление -- линза Френеля -- Френеля линза -- фильтры -- солнечные элементы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- диффузия цинка -- цинк -- газовые фазы -- эпитаксиальные слои -- подложки
Аннотация: Представлена концентраторная фотоэлектрическая система со спектральным расщеплением потока солнечного излучения на основе линзы Френеля и двух дихроичных фильтров. Солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs выращены методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. GaSb-фотопреобразователи получены диффузией цинка из газовой фазы в эпитаксиaльный базовый слой или в подложку GaSb n-типа проводимости. Суммарная эффективность трех солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 39. 6% (спектр AM 1. 5D).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p810-815.pdf

Доп.точки доступа:
Хвостиков, В. П.; Власов, А. С.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М.

Найти похожие

17.

535.2/.3
Х 500

Хируненко, Л. И.
Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора / Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 233-238 : ил. - Библиогр.: с. 237 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- кремний -- Si -- кислород -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- солнечное излучение -- спектральный состав -- гелиевые температуры -- дефекты -- атомы -- бор -- свободные носители тока -- термообработка -- термическая обработка
Аннотация: В кремнии с высоким содержанием бора и кислорода после воздействия света со спектральным составом, близким к солнечному излучению, интенсивностью 70-80 мВт/см{2}, обнаружено появление дефекта, которому при гелиевых температурах соответствует полоса поглощения 1026. 7 cм{-1}. Показано, что компонентами дефекта являются атомы бора и кислорода. Дефект возникает при наличии значительной концентрации свободных носителей тока, возникающих вследствие воздействия света или термообработок при протекании слабых токов через образец. Предполагается, что дефект может возникать как в результате прямого взаимодействия компонент, так и через предвестники стабильной его формы. Показано, что легирование кремния германием снижает эффективность образования дефекта, которому соответствует выявленное поглощение.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p233-238.pdf

Доп.точки доступа:
Помозов, Ю. В.; Соснин, М. Г.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие

18.

621.315.592
И 889

Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be / А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 797-801 : ил. - Библиогр.: с. 800-801 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- фотолитография -- травление фотопреобразователей -- металлизация фотопреобразователей -- фотопреобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- фотоэлектрические свойства -- эмуляторы -- солнечное излучение -- солнечная энергия -- поверхность подложки -- выращивание нанокристаллов
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (111) B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs: Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0. 1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом p-типа на поверхности подложки GaAs n-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1. 1%.
Arrays of GaAs: Be nanowires were synthesized by molecular beam epitaxy on the GaAs (111) B substrate. Prototypes of photovoltaic converters using the nanowires as an active medium were fabricated by means of photolithography, etching and metallization. The study of photovoltaic properties under illumination with a solar simulator (AM1. 5G spectrum) demonstrated that the efficiency of solar energy conversion was about 0. 1%. The recalculated value of the efficiency, taking into account the square occupied by p-type nanowires on the n-type GaAs substrate surface, is equal to 1. 1%.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p797-801.pdf

Доп.точки доступа:
Буравлев, А. Д.; Безнасюк, Д. В.; Гильштейн, Е. П.; Tchernycheva, M.; De Luna Bugallo, A.; Rigutti, L.; Yu, L.; Proskuryakov, Yu.; Шторм, И. В.; Тимофеева, М. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А. И.; Цырлин, А. И.

Найти похожие

19.

539.2
Ф 815

Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe / Ю. Н. Бобренко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1381-1384 : ил. - Библиогр.: с. 1384 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические слои -- подложки -- вариозные слои -- выращивание селенида цинка -- селенид цинка -- ZnSe -- структурные дефекты -- решетки -- эпитаксиальные слои -- точечные дефекты -- рекомбинационные потери -- фотоносители -- границы раздела -- фотоэлектрические преобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные преобразователи
Аннотация: В качестве подложки для эпитаксиального выращивания ZnSe используются ориентированные поликристаллические слои CdSe. Для исключения механизма образования структурных дефектов, связанных с рассогласованием постоянных решеток активного эпитаксиального слоя и материала подложки, выращивался промежуточный варизонный слой Cd[x]Zn[1-x]Se. В такой структуре прорaстание точечных дефектов донорного типа из подложки в наращиваемые слои приводит к образованию низкоомного слоя ZnSe. На ZnSe наносился барьерообразующий слой p-Cu[1. 8]S. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела поверхностно-барьерного преобразователя p-Cu[1. 8]S-n-ZnSe предложен и реализован вариант дополнительного встраивания тонкого варизонного слоя в область объемного заряда фотопреобразователя.
We used oriented polycrystalline CdSe layers as substrates for epitaxial growth of ZnSe. To exclude formation of structural defects related to misfit of the lattice constants between the active epitaxial layer and the substrate material, a graded-gap Cd[x]Zn[1-x] Se interlayer was grown. In that structure, intergrowth of donor-type point defects from the substrate to the growing layers leads to appearance of a low-resistance ZnSe layer. A barrierforming p-Cu[1. 8]S layer was deposited onto ZnSe. To reduce recombination losses of photocarriers at the p-Cu[1. 8]S-n-ZnSe interface of surface-barrier converter, we proposed and realized application of an additional thin graded-gap layer built in the spacecharge region of the photoelectric converter.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1381-1384.pdf

Доп.точки доступа:
Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Ярошенко, Н. В.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины

Найти похожие

20.

535.2/.3
М 545

Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей alpha-Si:H/muc-Si:H при повышенной освещенности / О. И. Честа [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1385-1390 : ил. - Библиогр.: с. 1390 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

621.315.592

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные фотопреобразователи -- фотопреобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- освещенность -- световая деградация -- экспериментальные установки -- фотоиндуцированная деградация -- кремний -- аморфный кремний -- микрокристаллический кремний -- испытания
Аннотация: Представлены описание созданной экспериментальной установки и методика ее использования для проведения ускоренных испытаний тонкопленочных фотопреобразователей alpha-Si: H/muc-Si: H размером до 100 x100 мм на световую деградацию при повышенной освещенности (до 10 кВт/м{2}). Проведено сравнение результатов оценки уровня фотоиндуцированной деградации фотопреобразователей по стандартной и разработанной методике и показано, что методика исследования фотоиндуцированной деградации при повышенной освещенности позволяет в 100 раз сократить время проведения испытаний, обеспечивая полностью адекватную оценку стабильности фотопреобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния.
Presented are the description of the created experimental installation and the procedure of its application for carrying out accelerated tests of the thin-film solar cells (SCs) of up to 100 • 100 mm in size for light degradation at elevated illumination (up to 10 kW/m{2}). Comparison of the results of the SC photo-induced degradation level by the standard and elaborated procedures has been done. It has been shown that the procedure of the photo-induced degradation study at elevated illumination allows reducing in 100 times the duration of tests completely ensuring the adequate estimation of stability of SCs based on amorphous and microcrystalline silicon.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1385-1390.pdf

Доп.точки доступа:
Честа, О. И.; Аблаев, Г. М.; Блатов, А. А.; Бобыль, А. В.; Емельянов, В. М.; Орехов, Д. Л.; Теруков, Е. И.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе" (Санкт-Петербург); Национальный исследовательский технологический университет "МИСИС" (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе" (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе" (Санкт-Петербург)

Найти похожие

1-20 21-25

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)