Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (3)

Труды ОмГУ (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Физика полупроводников и диэлектриков<.>)

Общее количество найденных документов : 291
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

537.311.33
С 173

Самойленко, З. А.
Влияние электромагнитного облучения на фазовый состав кластеризованных пленок CN[x] [Текст] / З. А. Самойленко, Е. И. Пушенко [и др.] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 57-62. - Библиогр.: c. 62 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитное облучение -- аморфные пленки -- фазовый состав -- кластеризованные пленки -- рентгеноструктурный анализ -- кластеры -- графит -- карбонитрид -- нитрид углерода -- алмазоподобные пленки -- алмаз
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии видимого диапазона исследовано влияние электромагнитного облучения белым и ультрафиолетовым (УФ) светом на фазовый состав аморфных пленок CN[x]. Пленки имели разномасштабный атомный порядок в виде аморфных (30 Angstrem) кластеров графитовой фазы, кристаллических кластеров 50-100 Angstrem графитовой, алмазной и карбонитридной фаз и межкластерной среды с ближним атомным порядком 1-2 Angstrem. Показано, что облучение растущей поверхности пленок белым светом стимулирует рост мелких кластеров графитовой фазы. Облучение УФ светом подавляет развитие кластеров графитовой и карбонитридной фаз, стимулируя преимущественный рост (1. 5%) алмазной фазы. Показано, что изменение мезоскопического фазового состава пленок CN[x] вызывает изменение ширины запрещенной зоны для видимой области спектра от E[g]=0. 75 eV для пленок, облученных белым светом до E[g]=1. 75 eV при облучении слоев УФ-светом.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p57-62.pdf

Доп.точки доступа:
Пушенко, Е. И.; Ивахненко, Н. Н.; Варюхин, В. Н.; Прудников, А. М.; Шалаев, Р. В.

Найти похожие

537.311.33
Б 772

Бойков, Ю. А.
Электрофизические параметры c-ориентированных пленок Bi[2]Te[3] с низкой концентрацией антиструктурных дефектов [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 63-67. - Библиогр.: c. 67 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
c-ориентированные пленки -- эпитаксиальные пленки -- теллурид висмута -- электропроводность -- метод горячей стенки -- тонкие пленки
Аннотация: Эпитаксиальные c-ориентированные пленки Bi[2]Te[3] толщиной 1. 2 mum выращены методом горячей стенки при низком пересыщении паровой фазы над поверхностью слюдяных подложек. Параметры a=4. 386 и c=30. 452 Angstrem гексагональной элементарной ячейки выращенных пленок практически совпадали с соответствующими параметрами стехиометрических объемных кристаллов теллурида висмута. При T=100 K холловская концентрация электронов в пленках имела значения порядка 8*10{18} cm{-3}, а максимальные значения коэффициента термоэдс (alpha~280 muV*K{-1}) наблюдались при температурах порядка 260 K. В условиях примесной проводимости электропроводимость sigma пленок возрастала с уменьшением температуры обратно пропорционально ее квадрату. В интервале температуры 100-200 K параметр термоэлектрической мощности alpha{2}xsigma пленок Bi[2]Te[3] имел значения 80-90 muW*cm{-1}K{-2}.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p63-67.pdf

Доп.точки доступа:
Данилов, В. А.

Найти похожие

537.311.33
Ш 150

Шагаев, В. В.
О влиянии подложки на ширину линии ферромагнитного резонанса в пленках бариевого феррита [Текст] / В. В. Шагаев // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 68-71. - Библиогр.: c. 71 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнитный резонанс -- бариевые ферриты -- ферриты -- ферритовые пленки -- волноводы -- резонансное поглощение энергии
Аннотация: Развита теория взаимодействия ферритовой пленки на подложке с полем короткозамкнутого волновода. Выведены соотношения, объясняющие влияние подложки на характеристики резонансного поглощения энергии возбуждающего поля. Приведены результаты исследований ферромагнитного резонанса в пленках бариевого феррита. Пленки были приготовлены специальным образом и имели форму маленьких дисков на прямоугольных подложках. Обнаружена существенная зависимость ширины резонансной кривой от диаметра дисков.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p68-71.pdf

Найти похожие

537.311.33
С 324

Сердобинцев, А. А.
Показатель преломления и постоянная решетки пленок оксида цинка, модифицированных в низкотемпературной плазме [Текст] / А. А. Сердобинцев, Е. И. Бурылин [и др.] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 83-85. - Библиогр.: c. 77 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
показатель преломления -- постоянная решетки -- оксид цинка -- гомогенные структуры -- тонкие пленки -- модифицированные пленки
Аннотация: Исследованы кристаллографические и оптические свойства пленок ZnO, полученных в области рекомбинационного горения низкотемпературной плазмы. Определен показатель преломления и установлена его корреляция с постоянной решетки по оси c. Получена планарная гомогенная структура из двух пленок ZnO с разными показателями преломления, на примере которой показаны возможные области практического использования.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p83-85.pdf

Доп.точки доступа:
Бурылин, Е. И.; Веселов, А. Г.; Кирясова, О. А.; Джумалиев, А. С.

Найти похожие

537.311.33
Б 725

Бобров, К. Е.
Стационарная конфигурация заряженной поверхности проводящей жидкости в длинноволновом пределе [Текст] / К. Е. Бобров, Г. Ш. Болтачев, Н. М. Зубарев, О. В. Зубарева // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. 15-20 . - ISSN 0207-3528

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гравитационные силы -- электростатические силы -- задача о равновесной конфигурации поверхности -- проводящая жидкость -- внешнее электрическое поле
Аннотация: На основе анализа условий баланса гравитационных и электростатических сил построено частное решение задачи о равновесной конфигурации поверхности проводящей жидкости во внешнем электрическом поле. Решение представляет собой коническую лунку с равным 136. 26 градусом углом раствора. Рассмотрена возможность обобщения полученного точного решения на случай диэлектрической жидкости.

Доп.точки доступа:
Болтачев, Г. Ш.; Зубарев, Н. М.; Зубарева, О. В.

Найти похожие

537.311.33
Б 825

Борисов, И. С.
Прецизионное измерение удельного сопротивления кремниевых пластин [Текст] / И. С. Борисов, Б. Л. Гуськов, Ю. А. Концевой // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 4. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пластины -- удельное сопротивление -- измерение удельного сопротивления -- четырехзондовый метод -- тест-структуры -- тестовые структуры -- тест-контакты
Аннотация: Описан метод прецизионного определения удельного сопротивления кремниевых пластин, основанный на применении специальных тестовых структур, изготовленных при использовании стандартных процессов планарной технологии: окисления, фотолитографии, диффузии и металлизации.

Доп.точки доступа:
Гуськов, Б. Л.; Концевой, Ю. А.

Найти похожие

537.311.33
Ч-497

Чернышов, В. Н.
Анализ условий в гетероструктурах [Текст] / В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 39-44. - Библиогр.: c. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетерограницы -- гетероструктуры -- граничные условия в гетероструктурах -- метод матрицы рассеяния
Аннотация: Получены общие соотношения, которым должны удовлетворять матроицы рассеяния, матрицы сшивания для коэффициентов, матрицы переноса и матрицы сшивания для огибающих в системах с гетерограницами. Показано, что найденные соотношения для данных матриц с хорошей точностью выполняются при использовании предложенных моделей для гетероструктуры GaAs/AlAs (001).

Найти похожие

537.311.33
Р 693

Романов, А. Н.
Влияние высоко гигроскопичных солей на диэлектрические свойства засоленных грунтов в дециметровом диапазоне [Текст] / А. Н. Романов // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 3. - С. 324-326. - Библиогр.: с. 326 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические свойства грунтов -- засоленные грунты -- гигроскопические соли
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние засоленности и объемной влажности на диэлектрические свойства засоленных песчаных грунтов, содержащих высоко гигроскопическую соль CaCl. Установлен новый тип поведения диэлектрических свойств засоленных грунтов в области связанной воды.

Найти похожие

537.311.33
К 489

Клещенко, В. Н.
Модельное описание диэлектрической проницаемости засоленных грунтов [Текст] / В. Н. Клещенко, С. А. Комаров, В. Л. Миронов // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 5. - С. 599-605. - Библиогр.: с. 605 (7 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

537.311.33

533.9

ББК 22.379 + 22.333
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость грунтов -- засоленные грунты -- модель Дебая -- Дебая модель
Аннотация: Построено модельное описание комплексной диэлектрической проницаемости влажных засоленных грунтов в микроволновом диапазоне. За основу взята рефракционная модель с учетом содержания связанной воды и модель Дебая для почвенного раствора с эмпирическими зависимостями дебаевских констант от температуры и засоленности. Введены коэффициенты, определяющие долю растворенной соли в связанной воде, находящейся в грунте. Получены формулы зависимости засоленности почвенного раствора от влажности в области свободной воды и явная связь коэффициентов модели Дебая с влажностью в области свободной воды для засоленного грунта. В результате формулы рефракционной модели приобретают нелинейный характер зависимости от влажности. Получено соответствие между развитым модельным представлением и результатами эксперимента на частотах 0. 6, 1. 11 и 1. 43 ГГц для песка и бетонита при дозированном засолении NaCl.

Доп.точки доступа:
Комаров, С. А.; Миронов, В. Л.

Найти похожие

10.

537.311.33
Г 142

Гайдук, В. И.
О связи между структурой и дальними ИК-спектрами воды [Текст] / В. И. Гайдук, авт. Б. М. Цейтлин // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 6. - С. 645-655. - Библиогр.: с. 655 (31 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

537.311.33

535.33

ББК 22.379 + 22.344
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
спектры легкой воды -- ИК-спектры воды -- спектры тяжелой воды -- диэлектрическая проницаемость -- механизмы дисперсии -- упругие колебания
Аннотация: В терминах модели гармонических осцилляторов рассмотрен диэлектрический отклик упругих колебаний молекул воды вдоль водородной связи. Показано, что этот отклик приходится на субмиллиметровый диапазон, а также на трансляционную полосу в дальней ИК-области спектра. Представлен результат аналитического расчета спектра диэлектрической проницаемости легкой и тяжелой воды в широкой области 0... 1000 см в минус первой степени ориентационной/трансляционной релаксации, включающей, помимо двух упомянутых полос, микроволновую дебаевскую и дальнюю ИК-либрационную. Применительно к последней полосе добавочно рассмотрено либрационное движение жестких диполей в сравнительно узкой и глубокой "шляпной" потенциальной яме. Схематически представлены конфигурации молекул, в которых могут возникнуть такие либрации. Изложена концепция, связывающая диэлектрические свойства воды с перескоком протона от одной Н-связанной молекулы к другой.

Доп.точки доступа:
Цейтлин, Б. М.

Найти похожие

11.

537.311.33
Р 458

Рехвиашвили, С. Ш.
О размерных свойствах электронного газа [Текст] / С. Ш. Рехвиашвили // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 453-458. - Библиогр.: с. 458 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3230

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
энергия Ферми -- Ферми энергия -- электронный газ -- квантово-статистическая модель -- электропроводность
Аннотация: Рассмотрена статистическая модель невзаимодействующих электронов. В рамках предложенной модели получены выражения для энергии Ферми, концентрации, теплоемкости и электропроводности электронного газа.

Найти похожие

12.

537.311.33
Г 610

Головань, Л. А.
В решетке поплыли они [Текст] / Л. А. Головань, П. К. Кашкаров, В. Ю Тимошенко // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 4. - С. 6-11. - Библиогр.: с. 11 (3 назв. ) . - ISSN 1727-5903

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- нанокомпозитные среды -- пористые полупроводники -- нанокристаллы -- полупроводниковые решетки -- анизотропия -- пористый кремний
Аннотация: Замечательный пример нанокомпозитов - пористые полупроводники. При некоторых режимах химической обработки кристаллических полупроводников в них возникает множество пор, диаметри которых зависит от свойств исходного кристалла, состава травителя, плотности тока травления и иных факторов.

Доп.точки доступа:
Кашкаров, П. К.; Тимошенко, В. Ю

Найти похожие

13.

025.4
Б 435

Белоозеров, Виктор Николаевич.
Классификационные системы как средство поиска информации по физике полупроводников [Текст] / В. Н. Белоозеров, авт. Н. Н. Шабурова // Библиосфера. - 2008. - N 3 (июль-сентябрь). - С. 34-42. - Библиогр.: с. 42 . - ISSN 1815-3186

УДК

025.4

537.311.33

ББК 73 + 22.379
Рубрики: Информатика
   Информационно-поисковые языки
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
библиографическая классификация -- классификационный поиск -- узкотематический поиск -- информационно-поисковые языки -- лингвистическое обеспечение
Аннотация: Приводится сопоставление четырех библиографических классификаций с точки зрения их возможностей в проведении узкотематического поиска информации. Обосновывается совместное использование различных классификаций для более точного поиска данных. Предлагается участие библиотек НИИ СО РАН в работе специализированной службы ВИНИТИ РАН по ведению и анализу классификационных схем.

Доп.точки доступа:
Шабурова, Наталья Николаевна

Найти похожие

14.

539.2
Е 702

Еремин, Илья Евгеньевич (канд. физ.-мат. наук; доц. каф. ИиУС).
Методика расчета диэлектрических свойств композиционных электрокерамик [Текст] / И. Е. Еремин, авт. О. В. Жилиндина // Вестник Амурского государственного университета. - 2008. - Вып. 43. Естеств. и экон. науки. - С. 19-22. - Библиогр.: с. 22 (6 назв. )

УДК

539.2

537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
керамика -- математические модели -- керамические диэлектрики -- корундовая керамика -- диэлектрические спектры керамики -- диэлектрическая проницаемость -- композиционные электрокерамики -- методики расчета
Аннотация: Рассмотрена разработанная методика, позволяющая достаточно точно имитировать характеристики комплексной диэлектрической проницаемости оксидных керамик, имеющих место в области установления процессов их упругой электронной поляризации.

Доп.точки доступа:
Жилиндина, Ольга Викторовна (ассистент каф. ИиУС)

Найти похожие

15.

О роли кристаллизационной воды в электропроводности синтетических боратов [Текст] / Н. Д. Гаврилова [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2008. - N 2. - С. 44-48 : Рис. - Библиогр.: c. 48 (7 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a537.3

^a537.311.33

ББК 22.332 + 22.379
Рубрики: Физика
Электрический ток
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
дисперсия диэлектрической проницаемости -- кристаллизационная вода -- синтетические бораты -- электропроводность -- электрофизические свойства
Аннотация: Впервые представлены результаты исследования дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости кристаллов, в которых водная компонента присутствует в различном виде: gamma-HBO[2], Ca[2]B[6]O[11] H[2]O, La[B[5]O[8]] (OH) [2] 1, 5H[2]O и TRB[6]O[9] (OH) [3] - (TR - Tb, Tu). Данные соединения были синтезированы в гидротермальных условиях при T = 270-280 С и P = 70-100 атм. В зависимости от формы вхождения водной компоненты в структуру соединений наблюдается различное температурно-частотное поведение электрофизических свойств исследованных объектов. Измерения проведены в интервале частот 10[-2] : 10[6] Гц и температур -20 : +140 C.

Доп.точки доступа:
Гаврилова, Н. Д.; Димитрова, О. В.; Лотонов, А. М.; Моченова, Н. Н.; Новик, В. К.

Найти похожие

16.

Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.

Найти похожие

17.

Вязовский, М. В.
Многофотонное внутризонное поглощение электромагнитной волны и вынужденное рассеяние на оптических фононах в сверхрешетке [Текст] / М. В. Вязовский, Г. А. Сыроедов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 108-112. - Библиогр.: c. 112 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

^a535.2/.3

ББК 22.379 + 22.343
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
поглощение электромагнитных волн -- рассеяние фононов -- многофотонное поглощение света -- многофотонное рассеяние света -- сверхрешетки -- фононы
Аннотация: Рассмотрены внутриминизонное многофотонное поглощение электромагнитной волны (ЭМВ) и вынужденное рассеяние на оптических фононах в полупроводниковой сверхрешетке. Найден коэффициент поглощения без привлечения квантового кинетического уравнения. Построен график поглощаемой энергии в зависимости от величины электрического поля ЭМВ, из которого видно, что поглощаемая энергия с ростом электрического поля, достигнув максимума, уменьшается и при этом осциллирует. Дано объяснение такой зависимости поглощаемой энергии от величины поля ЭМВ. Показано, что при выполнении условия eEd>= h*omega необходимо учитывать многофотонное поглощение. Показано, что при многофотонном вынужденном рассеянии на оптических фононах в сверхрешетках появляются гармоники рассеянного света с частотой как большей, так и меньшей частоты падающего света. Найдены парциальные сечения рассеяния и построены графики зависимостей от напряженности поля падающей ЭМВ.

Доп.точки доступа:
Сыроедов, Г. А.

Найти похожие

18.

Определение оптимального вакуума при полевой эмиссии из алмазоподобной пленки [Текст] / К. В. Рейх [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 119-122. - Библиогр.: c. 121-122 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полевая эмиссия -- алмазоподобные пленки -- эмиссия электронов -- вакуум -- ударная ионизация -- DLC-пленки
Аннотация: Предложена модель, объясняющая эффект аномально высокой полевой эмиссии электронов из алмазоподобных пленок при низком вакууме. Показано, что эффект связан с образованием на пленке заряда положительных ионов, возникающих из-за ионизации остаточных газов в межэлектродном пространстве. Определена величина вакуума, соответствующая максимальному току эмиссии.

Доп.точки доступа:
Рейх, К. В.; Эйдельман, Е. Д.; Дидейкин, А. Т.; Вуль, А. Я.

Найти похожие

19.

Байков, Ю. М.
Новые ионные гетероструктуры "Неорганический протонный проводник-гидрируемый металл" [Текст] / Ю. М. Байков // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 134-136. - Библиогр.: c. 136 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- ионные гетероструктуры -- гидрируемые металлы -- протонные проводники -- протонные гетеропереходы -- гетеропереходы -- электрохимическая активация
Аннотация: Гетероструктуры "гидрируемый металл-протонный проводник" особо интересны и для фундаментальных исследований и прикладных разработок в связи с формированием в них протонных гетеропереходов типа "PdH[x]|KOH. nH[]2O". В продолжение этих исследований проведены синтез и изучение оригинальных гетероструктур "Pd| (NaOH+KOH) |Pd", "Pd|CsHSO[4]|Pd[2], "Ti|KOH. H[2]O|C", "Ti|KOH. H[2]O|Ti" (все в области 320-430 K). После электрохимической активации и в зависимости от физико-химических условий между электродами гетероструктур возникает устойчивая разность потенциалов величиной от 0. 8 до 1. 4 V, часть которой (для электродов из Pd ~0. 8, из Ti - 0. 1-0. 2 V) обусловлена протонными гетеропереходами, кинетическая обратимость которых установлена.

Найти похожие

20.

Свойства сегнетокерамики PbSc[0. 5]Ta[0. 5]O[3], полученной из ультрадисперсного порошка [Текст] / К. Г. Абдулвахидов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 131-133. - Библиогр.: c. 133 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
сегнетокерамика -- ультрадисперсные порошки -- рентгеноструктурный анализ -- релаксорная сегнетокерамика -- сдвиговая деформация -- наковальни Бриджмена -- Бриджмена наковальни
Аннотация: Рентгеноструктурным и диэлектрическим методами изучена релаксорная сегнетокерамика PbSc0. 5Ta0. 5O3, полученная из ульрадисперсного порошка, спеканию которой предшествовала обработка синтезированного материала в наковальнях Бриджмена силовым воздействием в сочетании со сдвиговой деформацией. Показано, что с помощью этого метода можно управлять степенью упорядочения и диэлектрическими свойствами керамики, не подвергая ее длительным высокотемпературным отжигам.

Доп.точки доступа:
Абдулвахидов, К. Г.; Витченко, М. А.; Мардасова, И. В.; Ошаева, Э. Н.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)