621.383 Л 847 Лунин, Л. С. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb [Текст] / Л. С. Лунин, авт. А. С. Пащенко // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 71-76. - Библиогр.: c. 76 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- коэффициент полезного действия -- КПД -- арсенид галлия -- антимонид галлия -- каскадные солнечные элементы -- вольт-амперные характеристики -- ватт-вольтные характеристики -- спектральная чувствительность Аннотация: Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p71-76.pdf Доп.точки доступа: Пащенко, А. С. |