Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводниковые материалы и изделия<.>)

Общее количество найденных документов : 1348
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

621.315.592
М 307

Марьянчук, П. Д.
Гигантское магнитосопротивление в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Te [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Э. В. Майструк // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 28-33. - Библиогр.: c. 33 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные кластеры -- гигантское магнитосопротивление -- кристаллы Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те -- магнитосопротивление -- полупроводники -- ферромагнитные кластеры
Аннотация: Гигантское магнитосопротивление обусловлено наличием в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те кластеров с ''антиферромагнитным'' и ''ферромагнитным'' упорядочением. Эффект гигантского магнитосопротивления связан с тем, что носители заряда, которые принимают участие в электрическом токе, взаимодействуют с намагниченной до насыщения ''ферромагнитной'' кластерной подсистемой и становятся спин-поляризованными. Именно такие носители заряда сильно рассеиваются на ''антиферромагнитных'' кластерах, поскольку магнитные моменты внутри кластеров и результирующие магнитные моменты этих кластеров имеют хаотическую ориентацию. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов до и после термообработки показали отсутствие существенной связи между гигантским магнитосопротивлением и концентрацией носителей заряда, их подвижностью и зонными параметрами, полученными до и после термообработки кристаллов.

Доп.точки доступа:
Майструк, Э. В.

Найти похожие

621.315.592
Б 890

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Найти похожие

621.315.592
М 748

Моисеев, А. Г.
Исследование кинетических явлений в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. 76-88. - Библиогр.: c. 87-88 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическия явления -- поликристаллы кремния -- поперечное магнетосопротивление -- термоЭДС -- холловский фактор -- эластопроводимость
Аннотация: Получена формула для расчета времени релаксации носителей заряда при их рассеянии как на неупорядоченной сетке атомов поликристалла кремния, так и на системе неупорядоченных потенциальных барьеров, возникающих на поверхностях кристаллитов изотропного поликристалла кремния. Дается анализ времени релаксации дырок, проводится расчет температурной зависимости подвижности дырок в поликристаллическом кремнии р-типа. Приведен расчет холловского фактора, дифференциальной термоЭДС, поперечного магнетосопротивления и коэффициентов эластопроводимости.

Найти похожие

621.315.592
М 540

Мета, Н.
Компенсационный эффект при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах Se[80-x]Ge[20]In[x] и Se[78-x]Ge[22]Bi[x] [Текст] / Н. Мета, С. К. Аграхари, А. Кумар // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 50-51 (36 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

539.26

ББК 31.233 + 22.361
Рубрики: Физика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
закон компенсации -- изотермическая кристаллизация -- компенсационный эффект при изотермической кристаллизации -- Мейера-Нелдела правило -- правило Мейера-Нелдела -- стеклообразные сплавы
Аннотация: Многие активационные процессы подчиняются закону компенсации или правилу Мейера-Нелдела. В настоящей работе приводятся результаты исследования компенсационного эффекта при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах. Обнаружено, что для этих соединений соотношение между предэкспоненциальным множителем К[0] и энергией активации кристаллизации Е[c] подчиняется правилу Мейера-Нелдела.

Доп.точки доступа:
Аграхари, С. К.; Кумар, А.

Найти похожие

621.315.592
К 696

Кортов, В. С.
Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, авт. С. В. Звонарев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов
Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Найти похожие

621.315.592
М 307

Марьянчук, П. Д.
Магнитные свойства кристаллов H[g1-x]Mn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Энергетика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- интервал температур -- атомы -- полупроводники
Аннотация: Магнитные восприимчивость ( ) кристаллов H[g1-x]Mn[x]S исследована в интервале температур = 77-300 К при Н = 4кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах компонент. Установлено, что особенности обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах компонент приводит к изменению размеров существующих в кристалле кластеров и даже к "рассасыванию" включений второй фазы.

Доп.точки доступа:
Андрущак, Г. О.

Найти похожие

621.315.592
В 276

Величко, А. А.
Влияние электронного пучка дифрактометра быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF/Si (100 [Текст] / А. А. Величко, В. А. Илюшин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 50-58 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дифракция быстрых электронов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- пленки CaF[2] -- морфология поверхностей гетероструктур
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследовано влияние пучка быстрых электронов дифрактометра на морфологию поверхности пленок CaF[2] в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100). Показано, что в области воздействия электронного пучка не только существенно меняется вид морфологических дефектов, но и более чем вдвое возрастает их средняя высота.

Доп.точки доступа:
Илюшин, В. А.; Остертак, Д. И.; Пейсахович, Ю. Г.; Филимонова, Н. И.

Найти похожие

621.315.592
А 233

Агапов, Б. Л.
Электронно-микроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100) - (Ga[2]Se[3]) -GaAs [Текст] / Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электроннная микроскопия -- арсенид галлия -- селенид галлия -- наноразмерные структуры
Аннотация: Методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры GaAs (l00) -Ga[2]Se[3]. Установлена последовательность структурных превращений на поверхности GaAs (100) в процессе ее обработки в парах селена. Обнаружено усиление ориентирующего действия подложки GaAs (100) на рост пленки GaAs в результате предварительной обработки поверхности GaAs (100) в парах селена.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Сыноров, Ю. В.; Котов, Г. И.; Татохин, Е. А.; Стародубцев, А. А.; Кузубов, С. В.

Найти похожие

621.315.592
Ш 193

Шамирзаев, Т. С.
Спектры фотопроводимости квантовых точек InAs/AIAs [Текст] / Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 66-68 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость квантовых точек -- InAs/AlAs -- спектры фотопроводимости
Аннотация: В работе исследовалась фотопроводимость квантовых точек InAs/AlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs при Т= 77 и 300 К. Изучаемые структуры содержали пять слоев квантовых точек InAs, разделенных слоями AlAs. Электрическое поле прикладывалось между металлическим контактом, нанесенным на обратную сторону структуры с квантовыми точками, и прозрачным контактом диоксида олова, нанесенным на стеклянную пластину, которая прижималась к поверхности образца. В спектрах фототока в спектральной области 600-850 нм, наблюдалась сложная структура, включающая линии и полосы различной интенсивности и полуширины и соответствующая переходам с участием основных и возбужденных состояний квантовых точек различных размеров, а также линии и полосы, связанные с переходами в спейсерных слоях AlAs, в материале подложки и буферном слое GaAs.

Доп.точки доступа:
Журавлев, К. С.; Гайсин, В. А.; Кулинкин, Б. С.; Новиков, Б. В.; Батырев, А. С.; Убыйвовк, Е. В.; Алжеев, В. М.

Найти похожие

10.

621.315.592
А 500

Алиев, М. А.
Особенности структурных перестроек многокомпонентного сплава с участием самоорганизации при пластическом деформировании [Текст] / М. А. Алиев, авт. А. Р. Велиханов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 95-98 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
деформационные характеристики -- деформирование -- многокомпонентный сплав -- пластическое деформирование -- принцип самоорганизации
Аннотация: Исследованы особенности поведения деформационных характеристик в многокомпонентном сплаве при новом технологическом способе их деформирования. Новый подход позволил осуществить низкотемпературную деформацию сплава. Проведен сравнительный анализ полученных результатов с данными для традиционного термопластического способа деформирования. Изучено влияние интенсивности нагружения на исследуемые параметры и прослежено изменение морфологии поверхности исследуемых образцов. Примененный новый методико-технологический прием позволил структурировать сплавы по принципу самоорганизации.

Доп.точки доступа:
Велиханов, А. Р.

Найти похожие

11.

539.2
Е 601

Емельянов, В. И.
Механизм образования и эволюции периодических наноструктур рельефа поверхности при сканирующем лазерном неупругом фотодеформировании полупроводников [Текст] / В. И. Емельянов, С. В. Винценц, Г. С. Плотников // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 11. - С. 55-61 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- фотодеформирование -- лазерно-индуцированные точечные дефекты -- дефектно-деформационный механизм
Аннотация: Предложен дефектно-деформационный (ДД) механизм самоорганизации лазерно-индуцированных точечных дефектов (вакансий и междоузлий) при низкопороговом (вдали от температуры плавления) фотостимулированном локальном (10-100 мкм) нагреве с помощью сканирующего импульсно-периодического лазерного облучения полупроводника, приводящего к неупругому деформированию микронных областей Ge. В модели двухосно-напряженной дефектной пленки развита линейная теория ДД-неустойчивости, которая описывает основные экспериментальные данные по образованию двумерных и одномерных периодических наноструктур поверхностного рельефа полупроводника.

Доп.точки доступа:
Винценц, С. В.; Плотников, Г. С.

Найти похожие

12.

621.315.592
А 217

Авров, Д. Д.
Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния [Текст] / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1409-1413 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
доменная структура -- монокристаллы -- карбид кремния
Аннотация: Представлен алгоритм поиска доменной структуры, возникающей в растущем монокристалле карбида кремния при появлении синтаксических включений. Проанализированы реально наблюдавшиеся кристаллические сростки.

Доп.точки доступа:
Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.

Найти похожие

13.

621.315.592
Б 825

Борисов, Е.
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств тонких пленок Culn[3]Se[5], cинтезированных методом лазерного напыления [Текст] / Е. Борисов, Я. Верцимаха [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1414-1417 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- лазерное напыление -- оптические свойства пленок -- фотовольтаические свойства пленок
Аннотация: Исследованы оптические и фотовольтаические свойства пленок, полученных лазерным напылением CuIn[3]Se[5], а также влияние на них температурных режимов синтеза. Состав пленок, напыленных на подложки при комнатной температуре, соответствовал составу мишени, при этом пленки были получены в стеклообразном состоянии. При напылении пленок на подогреваемые подложки увеличение температуры приводило к повышению доли кристаллической фазы и уменьшению относительной доли Se в пленке. После отжига стеклообразных пленок CuIn[3]Se[5] в вакууме при температуре до 700 K они становились поликристаллическими, состав пленок при этом не изменялся. Фоточувствительность пленок максимальна при температуре отжига 510-600 K.

Доп.точки доступа:
Верцимаха, Я.; Луцик, П.; Тверьянович, А.; Тверьянович, Ю.

Найти похожие

14.

621.315.592
А 239

Агеева, Н. Н.
Участие электрон-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs. Связь модуляции поглощения со спектром стимулированного излучения в GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1418-1424 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поглощение света -- GaAs -- фотогенерация -- автомодуляция -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая (меняющаяся за ~1 пс) автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов), объясняемых локальными обеднениями заселенностей электронов в зоне проводимости. Экспериментально обнаружено, что расположение выступов на спектре повторяется через интервал, определяемый энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. Это подтверждает сделанное ранее предположение о существенной роли электрон--LO-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения. Полученное ранее представление о связи формы модуляции спектра поглощения с формой интегрального по времени спектра собственного пикосекундного излучения расширено и на тот случай, когда проявляется сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения.

Доп.точки доступа:
Броневой, И. Л.; Кривоносов, А. Н.; Налет, Т. А.; Стеганцов, С. В.

Найти похожие

15.

621.315.592
А 181

Аванесян, В. Т.
Кинетика поляризационного тока в широкозонном фотопроводнике Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, В. А. Бордовский, Е. П. Баранова, Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1425-1428 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поляризационный ток -- фотопроводники -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Приведены результаты исследования процессов изотермической поляризации слоев высокоомного полупроводника Pb[3]O[4] в постоянном электрическом поле различной напряженности, в темновом и световом режимах. Для интерпретации полученных данных привлекается эстафетный механизм переноса заряда по локальным состояниям запрещенной зоны. Получены значения параметров, характеризующих релаксационные явления: контактной емкости, ширины области накопления заряда и его эффективной подвижности.

Доп.точки доступа:
Бордовский, В. А.; Баранова, Е. П.; Грабко, Г. И.

Найти похожие

16.

621.315.592
Б 820

Бордовский, Г. А.
Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As[2]Se[3]) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] [Текст] / Г. А. Бордовский, Р. А. Кастро [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1429-1433 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
олово -- валентные состояния олова -- полупроводниковые стекла
Аннотация: Количественное соотношение в стеклах (As2Se3) [1-z] (SnSe) [z-x] (GeSe) [x] двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO[2], блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении.

Доп.точки доступа:
Кастро, Р. А.; Марченко, А. В.; Немов, С. А.; Серегин, П. П.

Найти похожие

17.

621.315.592
Т 356

Теруков, Е. И.
Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца [Текст] / Е. И. Теруков, А. В. Марченко, А. В. Зайцева, П. П. Серегин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1434-1439 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
германий -- двухэлектронные донорные центры -- халькогениды свинца -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта \{73\}Ge, возникающего в анионных подрешетках PbS, PbSe и PbTe после радиоактивного превращения \{73\}As, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как в катионных подрешетках PbS и PbSe центр \{73\}Ge представляет собой двухэлектронный донор с отрицательной корреляционной энергией: в образцах n-типа мессбауэровский спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge\{2+\}), в а образцах p-типа - двукратно ионизованному состоянию (Ge\{4+\}) этого центра. Для частично компенсированных образцов PbSe реализуется быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе \{119\}Sn продемонстрировано, что в PbS и PbSe энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова.

Доп.точки доступа:
Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Серегин, П. П.

Найти похожие

18.

621.315.592
А 181

Аванесян, В. Т.
Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ структуры Al-As[2]Se[3]-Al [Текст] / В. Т. Аванесян, авт. Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1440-1442 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные МДМ структуры -- изотермическая поляризация -- объемные заряды
Аннотация: Приведены результаты изучения кинетики изотермического тока поляризации в пленках As[2]Se[3]. В исследуемых образцах протекают интенсивные релаксационные процессы, связанные с накоплением объемного заряда в приконтактной области металл-полупроводник. Проводится анализ экспериментальных данных с привлечением эстафетного механизма электропереноса.

Доп.точки доступа:
Грабко, Г. И.

Найти похожие

19.

621.315.592
Н 643

Николюк, В. А.
Энергетическая структура квантовых точек, индуцированных неоднородным электрическим полем в квантовых ямах [Текст] / В. А. Николюк, авт. И. В. Игнатьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1443-1450 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- неоднородное электрическое поле -- квантовые ямы -- мозаичный электрод
Аннотация: Теоретически рассмотрены квантовые точки для электронов, создаваемые неоднородным электрическим полем в гетероструктуре с одиночной квантовой ямой. Неоднородное электрическое поле может быть создано мозаичным электродом с регулярной системой отверстий нанометрового размера. В работе рассмотрена структура с нанесенным на поверхность электродом с одним отверстием. Проведен численный расчет потенциала во всей области между пластинами электрода. Получена аналитическая зависимость для глубины потенциальной ямы и определен профиль потенциала вблизи дна ямы. Рассчитана энергетическая структура уровней вблизи дна потенциальной ямы. Определена геометрия мозаичного электрода, которая наиболее благоприятна для сохранения спина электрона в квантовых точках такого типа. Показано, что в квантовых точках такого типа следует ожидать время жизни спина, лежащее в микросекундном диапазоне при температуре жидкого гелия.

Доп.точки доступа:
Игнатьев, И. В.

Найти похожие

20.

621.315.592
Я 854

Ястребов, С. Г.
Особенности рентгеновской дифракции углеродных луковичных структур [Текст] / С. Г. Ястребов, авт. В. И. Иванов-Омский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1451-1454 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- углеродные луковичные структуры -- брэгговский рефлекс
Аннотация: Методами кинематической теории рентгеновской дифракции исследуется профиль наиболее интенсивного брэгговского рефлекса углеродных луковичных структур. Показано, что наилучшее согласие с экспериментальными данными достигается при использовании свертки лорентцева контура, учитывающего разброс луковиц по размерам, и асимметричного контура, учитывающего флуктуации межслоевых расстояний внутри частицы. Можно полагать, что наблюдаемый разброс межслоевых расстояний отражает неравновесное состояние во взаимном расположении оболочек, образующих луковичные структуры. Оказалось также возможным оценить не только средние размеры луковиц, превышающих, как выяснилось, размеры наноалмазов, из которых они получены с помощью отжига, но и их функцию распределения по размерам.

Доп.точки доступа:
Иванов-Омский, В. И.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)