Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (19)

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ВАХ<.>)

Общее количество найденных документов : 170
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

947
П 31

Петрушин, Александр (кандидат ист. наук).
Проклятье шамана [Текст] : секретная экспедиция туземного министра по поручению чекиста / А. Петрушин // Родина. - 2006. - N 3. - С. 60-64. - Библиогр. в примеч. - Ил.: 5 фото . - ISSN 0235-7089

УДК

947

ББК 63.3(2)
Рубрики: История--История России--Россия--РФ--Вах (река, 1930-1940 гг.
Кл.слова (ненормированные):
экспедиции -- белое движение -- туземные комитеты -- ОГПУ -- ваховские остяки -- губотделы -- сибирское белое движение

Доп.точки доступа:
Ягода, Генрих Григорьевич (государственный деятель ; 1891-1938); Долгирев, Николай Алексеевич; Шатилов, Михаил Бонифатьевич; Молчанов, Георгий Андреевич

Найти похожие

539.2
В 20

Васютин, М. А.
Нелинейность вольт-амперных характеристик монокристаллов YBa[2]Cu[3]O[7-x] и переход Березинского-Костерлица-Таулеса [Текст] / М. А. Васютин, А. И. Головашкин, Н. Д. Кузьмичев // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 12. - С. 2128-2135. - Библиогр.: с. 2135 (42 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Березинского-Костерлица-Таулеса переход; ВАХ; вольт-амперные характеристики; высокотемпературные сверхпроводники; гармоники напряжения; метод модуляционного Фурье-анализа; монокристаллы; нелинейность вольт-амперных характеристик; переход Березинского-Костерлица-Таулеса
Аннотация: Исследована нелинейность вольт-амперных характеристик монокристаллов YBa[2]Cu[3]O[7-x] вблизи температуры перехода в сверхпроводящее состояние T[c] и проанализированы механизмы нелинейности вольт-амперных характеристик. Методом модуляционного Фурье-анализа выполнены прямые измерения ВАХ и амплитуд высших гармоник напряжения YBa[2]Cu[3]O[7-x]. Показано, что положение максимума амплитуд высших гармоник совпадает с температурой перехода Березинского-Костерлица-Таулеса (T[BKT]) . Это может служить методом определения температуры T[BKT]. На основе экспериментальных результатов и модели перехода Березинского-Костерлица-Таулеса проведена оценка ряда параметров сверхпроводящего состояния YBa[2]Cu[3]O[7-x], согласующихся с литературными данными.

Доп.точки доступа:
Головашкин, А. И.; Кузьмичев, Н. Д.

Найти похожие

Исследование микропримесей и зарядовых состояний в однородных углеводородных пленках, переосажденных из дейтериевого плазменного разряда токамака Т-10, с помощью методов РФА, ИК-спектроскопии, ЭПР и ВАХ [Текст] / Н. Ю. Свечников [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 14-24 . - ISSN 0207-3528

УДК

^a539.1

ББК 22.38
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектроскопические исследования -- микропримеси -- однородные углеводородные пленки -- дейтеривая плазма -- токамак Т-10 -- изотопы водорода
Аннотация: Проведены спектроскопические исследования микропримесей и зарядовых состояний однородных дейтерированных углеродных пленок, переосажденных из разряда дейтериевой плазмы токамака Т-10, с помощью методов рентгенофлуоресцентного анализа (РФА), электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), инфракрасной (ИК) спектроскопии, и измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ). Обнаружено 12 микропримесей, в основном, переходных металлов Fe, Mo, Cr, Ni, Ti, и др. с относительными концентрациями 50-7000 ppm. Установлено наличие разных зарядовых состояний для двух сторон пленки - обращенной к плазме и к стенке вакуумной камеры, а также различие в их ИК-спектрах, что можно объяснить процессом формирования пленок в условиях воздействия плазмы токамака.

Доп.точки доступа:
Свечников, Н. Ю.; Станкевич, В. Г.; Меньшиков, К. А.; Лебедев, А. М.; Колбасов, Б. Н.; Трунова, В. А.; Rajarathnam, D.; Kostetski, Yu.

Найти похожие

Березитовое золото-полиметаллическое месторождение [Текст] / А. С. Вах [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 2, март. - С. 204-207 : 2 рис. - Библиогр.: с. 207 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a553.3/.4

ББК 26.325.1
Рубрики: Геология
Металлические полезные ископаемые
Кл.слова (ненормированные):
золоторудные образования -- Березитовое месторождение -- золото-полиметаллическое месторождение -- полиметаллические образования -- рудные металлы
Аннотация: Приводятся результаты исследования золоторудных образований Березитового месторождения, представленных двумя разновозрастными минеральными комплексами - золотополиметаллическим и золоторудным.

Доп.точки доступа:
Вах, А. С.; Моисеенко, В. Г.; Степанов, В. А.; Авченко, О. В.

Найти похожие

Первая находка гротита в золоторудных месторождениях [Текст] / А. С. Вах [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 3, сентябрь. - С. 353-357 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 357 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a553.3/.4

ББК 26.325.1
Рубрики: Геология
Металлические полезные ископаемые
Кл.слова (ненормированные):
первая находка гротита -- золоторудные месторождения -- гротиты -- гротиты в золоторудных месторождениях -- рудно-метасоматические породы -- фторглиноземистые титаниты
Аннотация: Проведенные исследования показывают, что одной из новых особенностей рудно-метасоматических пород Березитового месторождения является наличие в них своеобразного минерала титана - гротита, который ранее в составе руд месторождений золота никогда не фиксировался.

Доп.точки доступа:
Вах, А. С.; Авченко, О. В.; Карабцов, А. А.; Степанов, В. А.

Найти похожие

Грачева, С. М.
Художественная критика в системе академического образования: проблемы культурного гомеостазиса [Текст] / С. М. Грачева // Обсерватория культуры: журнал-обозрение. - 2009. - N 1 (январь-февраль). - С. 90-95. - Библиогр.: с. 95 (8 назв. ) . - ISSN 2072-3156

УДК

^a73/76

ББК 85.10
Рубрики: Изобразительное искусство и архитектура
Изобразительное искусство в целом--Россия, 20 в.; 21 в.
Кл.слова (ненормированные):
академическое образование -- высшее профессиональное образование -- художественное образование -- художественные дисциплины -- академическая критика -- критика -- институты живописи -- академии художеств -- академическое искусствознание -- художественные журналы -- критические издания
Аннотация: Исследуется одно из фундаментальных направлений современного российского художественного образования - академическое образование.

Доп.точки доступа:
Всероссийская академия художеств (ВАХ) \институт живописи, скульптуры и архитектуры\; Институт живописи, скульптуры и архитектуры ВАХ; Искусство Ленинграда, журнал; Мир искусства, журнал; Новый мир искусства, журнал; Художник Петербурга, газета; История Петербурга, журнал; Петербургский художник, журнал

Найти похожие

Марченко, И. Г.
Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения
Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus.

Доп.точки доступа:
Жданович, Н. Е.

Найти похожие

Бохан, П. А.
Особенности широкоапертурного разряда в полом катоде в гелии [Текст] / П. А. Бохан, Д. Э. Закревский // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 14. - С. 26-33 : ил. - Библиогр.: с. 33 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a533.9

^a536.22/.23

ББК 22.333 + 22.365
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
широкоапертурные разряды -- катоды -- полые катоды -- гелий -- холодные катоды -- электроны -- фотоэмиссия электронов -- квазистационарные режимы -- токи -- разряды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- газы -- отличительные особенности -- электронные пучки
Аннотация: Проведены исследования широкоапертурного разряда в полом катоде в гелии, в котором обеспечены условия для доминирования фотоэмиссии электронов с холодного катода. Благодаря этому в квазистационарном режиме получены токи, на порядок превышающие токи аномального разряда. В диапазоне давлений 5-15 Torr установлена независимость ВАХ от давления газа, которая является отличительной особенностью и следствием фотоэмиссионного характера разряда с электронным пучком.

Доп.точки доступа:
Закревский, Д. Э.

Найти похожие

Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле [Текст] / С. Х. Шамирзаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 53-57 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- эффект Френкеля -- Френкеля эффект -- СВЧ поле -- коэффициент неидеальности ВАХ
Аннотация: Исследовано влияние разогрева электронов и дырок на коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики p-n-перехода в сильном СВЧ поле. Установлено, что коэффициент неидеальности диода зависит от типа носителей заряда, создающего основной ток в p-n-переходе. Выявлено, что в некоторых случаях в кремниевых образцах, несмотря на то что температура электронов выше, чем дырок, коэффициент неидеальности диода определяется температурой дырок.

Доп.точки доступа:
Шамирзаев, С. Х.; Гулямов, Г.; Дадамирзаев, М. Г.; Гулямов, А. Г.

Найти похожие

10.

Олих, О. Я.
Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения
Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i].

Найти похожие

11.

Межсегментное сопротивление в кремниевых позиционно-чувствительных приемниках излучений на основе p-n-переходов [Текст] / В. К. Еремин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 825-829 : ил. - Библиогр.: с. 829 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
приемники -- приемники излучения -- кремниевые приемники -- позиционно-чувствительные приемники -- p-n переходы -- сопротивление -- межсегментная изоляция -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- омическая проводимость -- результаты исследований
Аннотация: Проведено исследование межсегментной изоляции в матрицах p-n-переходов на основе высокоомного кремния, которое определило взаимовлияние соседних элементов позиционно-чувствительных приемников излучения. Показано, что в условиях глубокого обеднения при приложениии обратного напряжения к p-n-переходу вольт-амперные характеристики межсегментного промежутка имеют участок ступенчатого изменения тока, определяющий сопротивление межсегментной изоляции. Данная особенность обусловлена эффектом переключения небольшой части объемного тока между соседними сегментами. При этом влияние омической проводимости между сегментами на сопротивление межсегментной изоляции оказывается на порядок меньше влияния переключения объемного тока.

Доп.точки доступа:
Еремин, В. К.; Вербицкая, Е. М.; Ильяшенко, И. Н.; Еремин, И. В.; Сафонова, Н. Н.; Тубольцев, Ю. В.; Егоров, Н. Н.; Голубков, С. А.; Коньков, К. А.

Найти похожие

12.

Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд
Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T=400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0. 64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1. 3.

Доп.точки доступа:
Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В.

Найти похожие

13.

Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния [Текст] / В. В. Болотов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 957-960 : ил., табл. - Библиогр.: с. 960 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- ПК -- инфракрасная спектроскопия -- Ик-спектроскопия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- этанол -- оптические параметры -- электрофизические параметры
Аннотация: Методами комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии и измерением вольт-амперных характеристик проведено исследование влияния адсорбции паров этанола на свойства структур на основе пористого кремния. Обнаружено уменьшение сопротивления слоев пористого кремния и одновременный рост интенсивности полосы инфракрасного поглощения, обусловленной наличием групп (OH) {-}... x (OH) {-} (x=1, 2,... ) при экспозиции в парах этанола и наоборот, рост сопротивления пленки пористого кремния и уменьшение поглощения на группах OH{-} при дегазации. Наблюдаемый эффект объясняется изменением области обеднения в элементах скелетона p-Si за счет электростатического взаимодействия групп (OH) {-} с положительно заряженными поверхностными дефектами. Обсуждается влияние на рост проводимости кремния центров с водородной связью типа Si-OH... OH-C[2]H[5].

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Стенькин, Ю. А.; Росликов, В. Е.; Кан, В. Е.; Пономарева, И. В.; Несов, С. Н.

Найти похожие

14.

Беляев, А. П.
Фотоэлектрические свойства сэндвич-структуры из пленок, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев, В. П. Рубец, Х. А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1029-1031 : ил. - Библиогр.: с. 1030 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
структуры -- сэндвич-структуры -- ZnSe/CdTe/ (ZnTe) [1-x] (In[2]Te[3]) [x] -- фотоэлектрические свойства -- неравновесные условия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- конденсация пара -- подложки -- жидкий азот -- синтез -- твердые растворы -- отжиг -- экспериментальные исследования
Аннотация: Сообщается о результатах экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств сэндвич-структуры ZnSe/CdTe/ (ZnTe) [1-x] (In[2]Te[3]) [x], синтезированной в резко неравновесных условиях путем конденсации пара на подложку, охлажденную жидким азотом. Приводятся темновые вольт-амперные характеристики и зависимости темнового и светового тока от режима синтеза, времени отжига и состава слоя твердого раствора. Проводится сопоставление свойств со свойствами структур, синтезированных в квазиравновесных условиях.

Доп.точки доступа:
Рубец, В. П.; Тошходжаев, Х. А.

Найти похожие

15.

Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг
Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.

Найти похожие

16.

Возможность получения пленок (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ш. Н. Усмонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1131-1136 : ил. - Библиогр.: с. 1135-1136 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
растворы -- твердые растворы -- непрерывные твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- антимонид галлия -- GaSb -- пленки -- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- кремниевые подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- рентгенограммы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные характеристики -- фоточувствительность структур -- p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- инжекционное обеднение
Аннотация: Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] (x = 0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] в интервале температур 20-200°С. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V exp (JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения.

Доп.точки доступа:
Усмонов, Ш. Н.; Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Сапаров, Д.; Холиков, К. Т.

Найти похожие

17.

Вихревые токи, возникающие на p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле [Текст] / С. Х. Шамирзаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1210-1213 : ил. - Библиогр.: с. 1213 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сверхвысокочастотные поля -- СВЧ поля -- электромагнитные поля -- вихревые токи -- p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- носители -- горячие носители -- термоэдс -- электродвижующие силы -- эдс -- диоды
Аннотация: Исследовано возникновение вихревых токов на р-n-переходе в сверхвысокочастотном поле. Показано, что вихревые токи уменьшают термоэдс горячих носителей в диоде. Выделена формула, учитывающая размеры образца при вычислении токов на р-n-переходе в сверхвысокочастотном поле.

Доп.точки доступа:
Шамирзаев, С. Х.; Гулямов, Г.; Дадамирзаев, М. Г.; Гулямов, А. Г.

Найти похожие

18.

Горбатюк, А. В.
Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры
Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}.

Доп.точки доступа:
Серков, Ф. Б.

Найти похожие

19.

Исследование туннельных диодов GaAs: Si/GaAs: C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1253-1256 : ил. - Библиогр.: с. 1256 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- туннельные диоды -- GaAs: Si/GaAs: C -- исследование диодов -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- акцепторные примеси -- донорные примеси -- сопротивления -- дифференциальные сопротивления
Аннотация: Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs: Si/GaAs: С методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей С и Si позволяет получить р-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~ 9 x 10{19}см{-3}. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока J[p] ~ 1. 53 к А/см[2] и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R ~30 мОм.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Симаков, В. А.; Сухарев, А. В.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

20.

Орбух, В. И.
Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного тока [Текст] / В. И. Орбух, Н. Н. Лебедева, Б. Г. Саламов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1329-1332 : ил. - Библиогр.: с. 1332 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
газоразрядный ток -- распределение токов -- токораспределение -- электроды -- полупроводниковые электроды -- высокоомные полупроводники -- проводимость -- поверхностная проводимость -- газоразрядный зазор -- ГРЗ -- газовые разряды -- свечение -- металлизация -- локальная металлизация -- шнурование токов -- стабилизация газовых разрядов -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ
Аннотация: Исследуется плоская газоразрядная структура, где один из электродов - высокоомный полупроводник, который может обеспечить стабильное равномерное распределение тока и свечение газового разряда по всему объему газоразрядного зазора. Установлено, что влияние полупроводникового электрода на распределение стационарного тока в газорязрядном зазоре связано с проводимостью его приповерхностного слоя, а объемное сопротивление полупроводника определяет лишь сопротивление нагрузки. Экспериментально показано, что локальная металлизация поверхности полупроводника приводит к шнурованию в местах металлизации. Делается вывод, что основной причиной, ограничивающей вероятность шнурования тока и обеспечивающей стабилизацию разряда, является электрическое поле в газовом зазоре, перпендикулярное токовому шнуру в месте его контакта с полупровдником. Сделана качественная оценка этого эффекта. Очевидное условие малости этого поля по сравнению с продольным полем в шнуре допускает два типа шнурования. Во-первых, одиночный шнур при достаточно большой проводимости поверхностного слоя полупроводника. Во-вторых, большое количество шнуров, почти полностью покрывающих поверхность электродов, при малой поверхностной проводимости.

Доп.точки доступа:
Лебедева, Н. Н.; Саламов, Б. Г.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)