Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовые точки<.>)

Общее количество найденных документов : 288
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

22.37
Л 847

Лундина, Е. Ю.
Высокая деградационная стабильность длинноволновых ( 1.25 mu m) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs [Текст] / Е. Ю. Лундина, Ю. М. Шерняков [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.142 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 22.37 + 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- деградационная стабильность -- квантовые точки -- лазеры
Аннотация: Проведены ускоренные деградационные исследования длинноволновых (>1.25 mum) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs, при фиксированном токе 1.7 A, начальной выходной оптической мощности около 0.3 W и температуре теплоотвода 60`C. За время испытаний в течение 450 h лазеры не обнаружили признаков деградации, при этом деградационный стенд не был герметически закрыт, продувка инертным газом не производилась и грани лазера не были пассивированы

Доп.точки доступа:
Шерняков, Ю.М.; Максимов, М.В.; Каяндер, И.Н.; Цацульников, А.Ф.; Леденцов, Н.Н.; Жуков, А.Е.; Малеев, Н.А.; Михрин, С.С.; Устинов, В.М.; Алферов, Ж.И.; Bimberg, D.

Найти похожие

22.33
Т 462

Тихов, С. В.
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642

ББК 22.33 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление
Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя

Доп.точки доступа:
Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В.

Найти похожие

621.315.592
К 790

Кревчик, В. Д.
Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле [Текст] / В. Д. Кревчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.73 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- магнитное поле -- поглощение света -- примеси
Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Грунин, А.Б.; Семенов, М.Б.

Найти похожие

539.2
Н 254

Нанореактор для квантовой точки [Текст] // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 10 . - ISSN 1727-5903

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- нанотехнологии -- наноточки -- точки квантовые
Аннотация: Химики нашли способ синтеза квантовых точек желаемого размера.

Найти похожие

539.2
Б 439

Белый свет из квантового колодца [Текст] // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 9 . - ISSN 1727-5903

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые свечения -- квантовые точки -- кристаллография -- нанотехнологии -- наноточки -- светодиоды -- свечения квантовые
Аннотация: Физики заставили квантовые точки светиться, всего лишь насыпав их на крышку работающего квантового колодца.

Найти похожие

621.375
А 90

Асеев, А. Л.
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 603-611. - Библиогр.: с. 611 (3 назв. ) . - ISSN 0869-5873

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- полупроводниковая электроника -- электроника полупроводниковая -- наноструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксия молекулярно-лучевая -- лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые излучатели -- излучатели полупроводниковые -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- ямы квантовые -- квантовые точки -- точки квантовые -- резонаторы -- лазерные структуры -- структуры лазерные -- эпитаксиальные структуры -- структуры эпитаксиальные -- электронный газ -- газ электронный -- полупроводниковые нанотрубки -- нанотрубки полупроводниковые -- транзисторы
Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники.

Найти похожие

621.3
С 84

Стрельчук, В. В.
Латеральное упорядочение квантовых точек и нитей в многослойных структурах (ln, Ga) As/GaAs (100 [Текст] / В. В. Стрельчук, П. М. Литвин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 74-81 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- самоорганизованные квантовые точки -- квантовые нити -- многослойные структуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In, Ga) As/ GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Литвин, П. М.; Коломыс, А. Ф.; Валах, М. Я.; Mazur Y, u. I.; Wang Z, h. M.; Salamo, G. J.

Найти похожие

621.3
С 59

Соколовский, Г. С.
Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний [Текст] / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 9-16 . - ISSN 0320-0116

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- квантовые точки -- лазерная генерация -- лазерное излучение
Аннотация: Проведены эксперименты по исследованию динамики спектров излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний. При электрической накачке 30 ns импульсами через 2-5 ns после включения лазера наблюдалось полное прекращение лазерной генерации на время до 10 ns и более в зависимости от амплитуды импульса накачки. После повторного включения в лазерном излучении наблюдались короткие импульсы излучения возбужденного состояния квантовых точек длительностью 200-300 ps, следующие за короткими провалами сходной длительности (т. н. "темными импульсами") в излучении основного состояния. В качестве объяснения наблюдаемых явлений предложено изменение добротности лазера за счет перераспределения концентрации носителей между квантовыми состояниями.

Доп.точки доступа:
Каталуна, М. А.; Дерягин, А. Г.; Кучинский, В. И.; Новиков, И. И.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Устинов, В. М.; Сиббет, В.; Рафаилов, Э. У.

Найти похожие

621.3
Т 48

Ткач, Н. В.
Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 70-80 . - ISSN 0320-0116

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- энергетический спектр -- электронные состояния
Аннотация: На основе S-матрицы рассеяния исследуется энергетический спектр и время жизни электронных состояний в открытой полупроводниковой квантовой точке. Показано, что время жизни электронных состояний очень чувствительно к изменению радиуса квантовой точки и толщины внешнего покрытия квантовой точки. При изменении толщины покрывающего слоя от одного до пяти монослоев время жизни электрона увеличивается в 20-60 раз.

Доп.точки доступа:
Сети, Ю. А.; Зегря, Г. Г.

Найти похожие

10.

539.26
Э 76

Эренбург, С. Б.
Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек [Текст] / С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 31-40 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.26

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия -- XAFS-спектроскопия -- EXAFS-спектроскопия -- XANES-спектроскопия -- нанокластеры -- полупроводниковые нанокластеры -- микроструктура -- квантовые точки -- электронное строение -- гетероструктуры
Аннотация: С помощью спектроскопии EXAFS и XANES определены изменения микроскопических параметров структуры полупроводниковых нанокластеров - межатомных расстояний, координационных чисел и типов атомов окружения - при изменении условий приготовления гетероструктур Ge/Si, GaN/AlN и InAs/AlAs.

Доп.точки доступа:
Бауск, Н. В.; Двуреченский, А. В.; Смагина, Ж. В.; Ненашев, А. В.; Никифоров, А. И.; Мансуров, В. Г.; Журавлев, К. С.; Торопов, А. И.

Найти похожие

11.

621.3
С 596

Соколовский, Г. С.
Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний [Текст] / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 9-16 . - ISSN 0320-0116

УДК

621.3

12.

53
М 748

Моисеев, К. Д.
Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 50-57 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- жидкофазная эпитаксия -- структурные исследования
Аннотация: Сообщается о первых результатах по выращиванию InSb/InAs квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии и структурных исследований их характеристик методами сканирующей зондовой микроскопии и атомно-cиловой микроскопии. Показано, что плотность, форма и размеры нанообъектов зависят от температуры выращивания, скорости охлаждения и времени контакта раствор-расплав-подложка. Получены однородные массивы квантовых точек InSb на подложках InAs (100) в интервале температур T=420-445 C, со средними размерами: высотой H=3. 4+ 1 nm, радиусом R=27. 2+ 7. 5 nm и плотностью до 1. 9 10\{10\} cm\{-2\}.

Доп.точки доступа:
Пархоменко, Я. А.; Анкудинов, А. В.; Гущина, Е. В.; Михайлова, М. П.; Титков, А. Н.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

13.

53
Г 161

Галкин, Н. Г.
Оптические свойства "магических" кластеров, формирующихся в системах In/Si (111) и Cr/Si (111 [Текст] / Н. Г. Галкин, С. А. Доценко, Л. В. Коваль // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 9. - С. 44-52 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- сверхмалые упорядоченные квантовые точки -- магические кластеры -- индий -- хром -- силициды -- оптические свойства -- наноэлектроника
Аннотация: Приводятся полученные оптические свойства сверхмалых упорядоченных квантовых точек в системах In/Si (111) и Cr/Si (111), имеющих одинаковые размеры и поэтому называющихся магическими кластерами индия и хрома на Si (111). По полученным спектрам определена природа каждого типа магических кластеров. Установлено, что магические кластеры хрома, которые формируются в реактивной системе Cr/Si (111) (т. е. системе металл-Si, в которой происходит химическая реакция между металлом и Si, приводящая к формированию силицида), являются нанокристаллами силицида хрома. Магические кластеры индия (In/Si (111) не реактивная система), напротив, представляют собой поверхностную фазу.

Доп.точки доступа:
Доценко, С. А.; Коваль, Л. В.

Найти похожие

14.

53
С 544

Соболев, М. М.
Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. Е. Жуков [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 68-75 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- спектроскопия -- вертикально коррелированные квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- квантовые точки -- эмиссия электронов -- эффект Штарка -- Штарка эффект -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- гетероструктуры InAs/GaAs
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ.

Доп.точки доступа:
Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Семенова, Е. С.; Михрин, В. С.

Найти похожие

15.

53
З-177

Зайцев, С. В.
Магнитооптика и динамика магнитного полярона в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe [Текст] / С. В. Зайцев, Г. Шомиг, А. Форхел, Г. Бахер // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 7. - С. 402-406 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полумагнитные полупроводники -- магнитные поляроны -- квантовые точки
Аннотация: При низких температурах исследована магнитооптика и пикосекундная динамика излучательной рекомбинации экситонов в самоорганизованных полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnMnSe. Поведение индивидуальных квантовых точек в магнитном поле и при повышении температуры свидетельствует о сильном обменном взаимодействии экситонов и магнитных ионов Mn, приводящем к формированию квази-нуль-мерного экситонного магнитного полярона. Когда энергия экситона превышает энергию внутрицентрового перехода Mn, происходит быстрый перенос энергии от экситонов к ионам Mn (быстрее 20 пс). В обратном случае за время жизни экситона ? 500 пс наблюдается существенный красный сдвиг (? 15 мэВ) максимума линии излучения, отражающий динамику формирования магнитного полярона с характерным временем ? 110 пс.

Доп.точки доступа:
Шомиг, Г.; Форхел, А.; Бахер, Г.

Найти похожие

16.

539.26
Э 763

Эренбург, С. Б.
Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек [Текст] / С. Б. Эренбург, Н. В. Бауск [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 31-40 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.26

17.

621.3
М 316

Маслов, А. Ю.
Роль поверхностных фононов в формировании спектра поляронных состояний в квантовых точках [Текст] / А. Ю. Маслов, О. В. Прошина, А. Н. Русина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 844-849 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фононы -- поверхностные фононы -- поляронные состояния -- квантовые точки
Аннотация: Построена теория полярона большого радиуса в квантовых точках с учетом различия диэлектрических свойств материалов точки и окружающей ее матрицы. Показано, что величина поляронного эффекта существенно зависит от спектра поверхностных оптических фононов. Найден поляронный сдвиг уровней энергии размерного квантования для электронов и дырок с учетом их взаимодействия как с объемными, так и с поверхностными фононами. Определены условия, при которых взаимодействие с поверхностными фононами оказывается преобладающим. Показано, что в соединениях A\{II\}B\{VI\} оно может превышать 10 мэВ и его необходимо учитывать при расчете энергетического спектра. Развит метод приближенного расчета поляронных состояний. Этот метод позволяет находить величины поляронного эффекта в гетероструктурах различной конфигурации. Обнаружено хорошее согласие результатов, полученных при помощи приближенного метода и точного расчета влияния поверхностных фононов на поляронные состояния.

Доп.точки доступа:
Прошина, О. В.; Русина, А. Н.

Найти похожие

18.

538.9
Т 163

Талочкин, А. Б.
Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si [Текст] / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 397-400 . - ISSN 0370-274X

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- оптические фононы -- квантовые точки -- релаксация механических напряжений -- механические напряжения -- массив квантовых точек -- Ge -- Si
Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.

Доп.точки доступа:
Марков, В. А.; Машанов, В. И.

Найти похожие

19.

530.1
З-177

Зайцев, С. В.
Экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента [Текст] / С. В. Зайцев, М. К. Вельш, А. Форхел, Г. Бахер // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 6. - С. 1415-1434. - Библиогр.: с. 1433-1434 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
Экситоны -- Конфайнмент -- Квантовые точки -- Искусственные квантовые точки -- Слабый пространственный конфайнмент -- Режимы конфайнмента
Аннотация: Изучены экситоны в искусственных квантовых точках в режиме слабого пространственного конфайнмента.

Доп.точки доступа:
Вельш, М. К.; Форхел, А.; Бахер, Г.

Найти похожие

20.

530.1
Л 221

Ланг, И. Г.
Полуклассический метод в теории рассеяния света полупроводниковыми квантовыми точками [Текст] / И. Г. Ланг, Л. И. Коровин, С. Т. Павлов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 6. - С. 1169-1182. - Библиогр.: с. 1182 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
теория рассеяния света -- свет -- квантовые точки -- рассеяние света -- полупроводниковые квантовые точки -- полуклассический метод
Аннотация: Предложен полуклассический метод в теории рассеяния света полупроводниковыми квантовыми точками.

Доп.точки доступа:
Коровин, Л. И.; Павлов, С. Т.

Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)