621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Метод расчета параметров малосигнальной эквивалентной схемы сверхвысокочастотных гетероструктурных биполярных транзисторов с варизонным эмиттером, основанный на квазигидродинамической модели переноса электронов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N11. - Библиогр.:с.1396 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетероструктурные биполярные транзисторы -- квазигидродинамическая модель -- перенос электронов Аннотация: Предложена нелинейная система дифференциальных уравнений, описывающая одномерную активную область транзистора в статическом режиме, состоящая из квазигидродинамической модели переноса электронов, бизкой к дрейфово-диффузионной модели по форме, дрейфово-диффузионной модели переноса дырок и уравнений электрического поля. Разработан метод расчета шести параметров малосигнальной эквивалентной схемы активной области по результатам пятикратного решения этой системы уравнений. Перейти: http://www.maik.ru |
621.38 Г 200 Гарбер, Г. З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N1. - Библиогр.:с.128 (12 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- гетероструктурные транзисторы -- квазигидродинамическое моделирование -- полевые транзисторы -- транзисторы Аннотация: Предложена новая двумерная модель гидродинамического типа для гетероструктурного полевого транзистора в рабочих режимах, являющаяся комбинацией квазигидродинамической модели полевого транзистора с затвором Шоттки и модели Андерсена для гетероперехода. На основе предложенной модели разработана программа моделирования AlGaAs/InGaAs гетероструктурного полевого транзистора с двумя гетеропереходами. проведено сравнение расчитанных выходных вольт-амперных характеристик с опубликованными результатами измерений и моделирования методом Монте-Карло. Показана возможность расчета параметров и сплайновых характеристик малосигнальной(линейной) и большесигнальной(нелинейной) эквивалентных систем гетероструктурных полевых транзисторов. Перейти: http://www.maik.ru |
621.38 Г 20 Гарбер, Г. З. Метод расчета параметров малосигнальной эквивалентной схемы крайне высокочастотных гетероструктурных полевых транзисторов [] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 7. - С. 892-896. - Библиогр.: с. 896 (11 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): малосигнальная эквивалентная схема; квазигидродинамическое моделирование; высокочастотные транзисторы; гетеротранзисторы; генератор тока Аннотация: Для расчета сопротивления входной цепи эквивалентной схемы и постоянной времени генератора тока канала разработан новый метод, который базируется на двумерном квазигидродинамическом моделировании поведения электронной плазмы в активной области прибора при резком изменении смещения затвора. Рассмотрен также метод расчета остальных параметров эквивалентной схемы. Для отечественного AIGaAs/InGaAs полевого транзистора с двумя гетеропереходами и q-легированными слоями приведены рассчитанные параметры эквивалентной схемы, а также статические вольт- кулоновские характеристики. |
53.07 Г 20 Гарбер, Г. З. Численное моделирование электронно-дырочной плазмы в гетероструктурных полевых транзисторах [] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2005. - N 10. - С. 1308-1312. - Библиогр.: с. 1312 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы; гетероструктурные транзисторы; квазигидродинамическая модель; транзисторы; модели Андерсона; Андерсона модели Аннотация: Предложена новая модель гетероструктурного полевого транзистора, учитывающая эффект лавинного умножения носителей тока, которая является комбинацией квазигидродинамической модели переноса электронов, дрейфово-диффузионной модели переноса дырок и модели Андерсона для гетеропереходов. На основе этой модели разработана программа моделирования статических режимов активной области прибора, простирающейся от истоков контакта до стокового, включая углубление в полупроводнике. Для двух AlGaAs/GaAs-транзисторов приведены исходные данные и результаты расчетов вольт-амперных характеристик активной области. Показана близость расчетного и экспериментального значений напряжения пробоя пространства затвор-сток в режиме отсечки, являющегося важным эксплуатационным параметром мощных полевых транзисторов. |
621.382 Г 200 Гарбер, Г. З. Моделирование скачков выходной мощности квазиактивного сверхвысокочастотного ограничителя на p-i-n диодах [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1518-1523. - Библиогр.: с. 1523 (6 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование скачков мощности -- выходная мощность -- p-i-n диоды -- сверхвысокочастотные ограничители -- свч-ограничители Аннотация: Разработана программа моделирования во временной области GaAs интегральной схемы ограничителя мощности на двух p-i-n-диодах путем численного решения задачи с начальными условиями для нелинейной системы уравнений, описывающей электрическую схему ограничителя. Показано, что для ограничителя с 1. 8-микронным i-слоем на частоте 9. 4 ГГц зависимость амплитуды основной гармоники тока через диод от амплитуды основной гармоники напряжения на нем является S-образной и именно эта S-образность для детектирующего диода является причиной скачков выходной мощности. Приведены результаты моделирования ограничителя с 1. 2-микронным i-слоем на частотах 3, (. 4 и 25 ГГц наблюдается амплитудная модуляция выходного сигнала. |