539.2
В 581


    Власов, А. С.
    Высокоскоростное внедрение в SiC керамику с различной пористостью [Текст] / А. С. Власов, Е. Л. Зильбербранд [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 65 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
внедрение -- карбид кремния -- керамика -- пористость
Аннотация: Исследовалась кинетика внедрения удлиненных деформируемых ударников в SiC керамики различной пористости. Внедрение в керамики можно представить как двустадийный процесс. На первой стадии наблюдаются минимальная скорость внедрения и максимальная скорость сокращения длины ударника. Именно эта стадия характеризуется наибольшим сопротивлением керамик внедрению. На второй, квазистационарной, стадии кинетика внедрения в керамику подобна кинетике внедрения в среду, лишенную прочности с преимущественно инерционным сопротивлением внедрению. Показано, что величина сопротивления внедрению на первой стадии коррелирует с твердостью керамики и сильно зависит от ее пористости.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-62.html.ru

Доп.точки доступа:
Зильбербранд, Е. Л.; Кожушко, А. А.; Козачук, А. И.; Синани, А. Б.; Слуцкер, А. И.; Бетехтин, В. И.; Орданьян, С. С.


502.77
Д 293


    Делицын, Л. М.
    Комплексное использование углей на ТЭС [Текст] / Л. М. Делицын, А. С. Власов // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2002. - N8. - Лит.: С.39 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
УДК
ББК 20
Рубрики: Экология--Охрана природы
Кл.слова (ненормированные):
ТЭС -- золотошлаковые отходы -- отходы -- промышленность -- топливо -- уголь -- утилизация
Аннотация: Складывающаяся в настоящее время экономическая ситуация в стране требует увеличения доли угля в топливном балансе электростанций, которая составляет 25-29%.


Доп.точки доступа:
Власов, А.С.


20.1
Д 293


    Делицин, Л. М.
    Флококоагулянт РНК для обработки сточных вод [Текст] / Л. М. Делицин, А. С. Власов // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2002. - N11. - Библиогр.: с.15 (6 назв.)
ББК 20.1
Рубрики: Экология--Охрана природы--Промышленная экология в целом
Кл.слова (ненормированные):
РНК -- очистка -- перерабатывающая промышленность -- растворы нефелина -- реагентная обработка -- сточные воды -- технологии -- флококоагулянты
Аннотация: О наиболее эффективных реагентах для обработки сточных вод - растворах нефелина в минеральных кислотах.


Доп.точки доступа:
Власов, А.С.


504.05
Д 29


    Делицын, Л. М.
    Новый способ иммобилизации конденсированных вредных промышленных веществ [Текст] / Л. М. Делицын, А. С. Власов, П. А. Гусев // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2006. - N 8. - С. 10-12. - Ил. . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
УДК
ББК 20.18 + 20.18
Рубрики: Экология--Охрана природы--Экологическая безопасность
Кл.слова (ненормированные):
вредные промышленные вещества -- утилизация промышленных отходов -- отходы -- иммобилизация пестицидов -- иммобилизация отходов
Аннотация: В настоящее время вредные вещества не могут быть утилизированы, поэтому иммобилизация вредных промышленных веществ и их отходов, т. е. лишение их способности самопроизвольно распространятся в окружающую среду, должна стать неотъемлемой частью технологии защиты окружающей среды.

Перейти: http://www.rusmet.ru

Доп.точки доступа:
Власов, А. С.; Гусев, П. А.




   
    Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 10. - С. 1198-1205
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
антимонид галлия -- эпитаксия -- легирование -- теллур -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод
Аннотация: С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией.


Доп.точки доступа:
Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Власов, А. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М.




   
    Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия
Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD.


Доп.точки доступа:
Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М.




   
    Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 270-277 : ил. - Библиогр.: с. 277 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- эмиттеры -- инфракрасные эмиттеры -- солнечное излучение -- карбид кремния -- вольфрам -- тантал -- термофотоэлектрические элементы -- ТФЭ элементы -- элементы ТФЭ -- антимонид галлия -- тепловые излучения -- вольфрамовые эмиттеры -- ТФЭ генераторы цилиндрического типа -- ТФЭ генераторы конического типа -- фотоэлементы -- электрическая мощность
Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов-цилиндричесого и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило P=3. 8 Вт.


Доп.точки доступа:
Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Малевская, А. В.; Власов, А. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М.




   
    Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов [Текст] / А. С. Власов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1284-1289 : ил. - Библиогр.: с. 1288 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- металлические эмиттеры -- эмиттеры -- GaSb-элементы -- фотопреобразователи -- фотоэлементы -- ФЭ -- термофотоэлектрические элементы -- газовые термофотоэлектрические генераторы
Аннотация: Разработана и испытана модель компактного термофотоэлектрического генератора с пропановой горелкой (давление 2 бара) и металлическим сетчатым эмиттером. Изготовлен фотогенерирующий модуль, использующий 24 (1x1 см2) GaSb-элемента. Проведены исследования по оптимизации технологии изготовления фотопреобразователей. Показано, что полученные данные могут быть использованы для отбора исходного слиткового материала для получения фотопреобразователей с близкими характеристиками. Экспериментально показано, что для достижения максимального кпд помимо использования фотоэлементов с близкими характеристиками необходимо также обеспечивать одинаковые условия их работы (температуру, освещенность).


Доп.точки доступа:
Власов, А. С.; Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. А.; Калиновский, В. С.; Ракова, Е. П.; Андреев, В. М.; Бобыль, А. В.; Терещенко, Г. Ф.


547
С 387


   
    Синтез новых производных 1, 2, 4-триазолинтионов-3 [Текст] / О. С. Козлова [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 9. - С. 107-108 : 1 схем., 1 табл. - Библиогр.: с. 108 (5 назв. ) . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 24.2
Рубрики: Химия
   Органическая химия в целом

Кл.слова (ненормированные):
уксусные кислоты -- замещенные триазолинтионы -- гетероциклы -- алкилирование -- триазолинтионы -- триазолы -- карбоновые кислоты -- синтез производных
Аннотация: Синтезирован ряд новых производных 5-замещенных-1, 2, 4-триазолинтионов-3, содержащих фрагменты аренсульфонил (сульфанил) уксусных (пропионовых) кислот, путем их S-алкилирования в щелочной среде.


Доп.точки доступа:
Козлова, О. С.; Данилова, А. С.; Ржевский, А. А.; Власов, А. С.; Герасимова, Н. П.; Алов, Е. М.


535.2/.3
В 932


   
    Высокоэффективный (eta=39. 6%, AM 1. 5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения [Текст] / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 810-815 : ил. - Библиогр.: с. 814-815 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

   Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- солнечное излучение -- расщепление сета -- спектральное расщепление -- линза Френеля -- Френеля линза -- фильтры -- солнечные элементы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- диффузия цинка -- цинк -- газовые фазы -- эпитаксиальные слои -- подложки
Аннотация: Представлена концентраторная фотоэлектрическая система со спектральным расщеплением потока солнечного излучения на основе линзы Френеля и двух дихроичных фильтров. Солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs выращены методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. GaSb-фотопреобразователи получены диффузией цинка из газовой фазы в эпитаксиaльный базовый слой или в подложку GaSb n-типа проводимости. Суммарная эффективность трех солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 39. 6% (спектр AM 1. 5D).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p810-815.pdf

Доп.точки доступа:
Хвостиков, В. П.; Власов, А. С.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М.


539.2
Г 908


   
    Групповое высокоскоростное внедрение в хрупкие материалы / О. В. Базанов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 5. - С. 69-75 : ил. - Библиогр.: с. 75 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
высокоскоростные процессы -- хрупкие материалы -- кумулятивные струи -- корунды -- временные соотношения -- геометрические соотношения -- противодействие внедрению -- противодействие хрупких материалов -- высокоскоростное внедрение
Аннотация: Исследовано групповое действие кумулятивных струй по комбинации корунда и стелотекстолита. Показано, что при определенных геометрических и временных соотношениях коллективное действие кумулятивных струй усиливает эффективность противодействия хрупкого материала высокоскоростному внедрению. Указанные особенности проявляются при дозвуковом характере внедрения и подтверждают механизм радиального действия каверны в высокопрочном хрупком материале на кумулятивную струю.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/05/p69-75.pdf

Доп.точки доступа:
Базанов, О. В.; Власов, А. С.; Душенок, С. А.; Румянцев, Б. В.


621.383
К 652


   
    Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P) / А. С. Власов [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 7. - С. 106-110. - Библиогр.: c. 110 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
   Фотоэлектрические приборы

Кл.слова (ненормированные):
концентраторные фотоэлектрические модули -- фотоэлектрические модули -- спектральное расщепление света -- линзы Френеля -- Френеля линзы -- дихроичные фильтры -- эффективность фотоэлектрического преобразования -- фотоэлектрическое преобразование -- солнечные элементы -- МОС-гидридная эпитаксия -- каскадные солнечные элементы
Аннотация: Разработан концентраторный фотоэлектрический модуль со спектральным расщеплением солнечного света на основе линз Френеля и дихроичных фильтров. В соответствии с оценкой эффективность фотоэлектрического преобразования такого модуля может достигать 49. 4% при использовании трех однопереходных элементов, а при комбинации тандемного двухпереходного элемента и узкозонных элементов может быть достигнута 48. 5-50. 6%. Были получены однопереходные солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs, GaSb, InGa (P) As методом диффузии Zn из газовой фазы в эпитаксиальный слой с проводимостью n-типа. Каскадные солнечные элементы на основе структуры GaInP/GaAs были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии. Общая эффективность трех однопереходных солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 38. 1% (AM1. 5D) при степени концентрирования K[c]=200x. Комбинация солнечных элементов с использованием каскадных структур показала эффективность 37. 9% при концентрациях от 400 до 800 солнц. Были проведены измерения параметров концентраторного фотоэлектрического модуля с системой спектрального расщепления. Достигнута эффективность 24. 7% фотоэлектрического преобразования модуля с тремя однопереходными элементами и 27. 9% модуля с двух- и однопереходным солнечными элементами.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/07/p106-110.pdf

Доп.точки доступа:
Власов, А. С.; Хвостиков, В. П.; Карлина, Л. Б.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Марухина, Е. П.; Андреев, В. М.


662.62
О-110


   
    О механизмах химических превращений золы углей при химической и термохимической переработке / Л. М. Делицын [и др.]. // Химическая промышленность сегодня. - 2014. - № 12. - С. 15-29. - Библиогр.: с. 29 (12 назв. ) . - ISSN 0023-110X
УДК
ББК 35.512
Рубрики: Химическая технология
   Технология переработки твердых горючих ископаемых

Кл.слова (ненормированные):
золы углей -- химическая переработка -- термохимическая переработка -- глиноземный концентрат
Аннотация: Для получения из алюмосиликатной золы угольных электростанций глиноземного концентрата, пригодного для производства гидрооксида алюминия, изучена ее растворимость в растворах гидрооксида натрия (5 - 40% Na[2]O).


Доп.точки доступа:
Делицын, Л. М.; Власов, А. С.; Бородина, Т. И.; Сударева, С. В.; Объединенный институт высоких температур РАН (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва); Объединенный институт высоких температур РАН (Москва)