Грехов, И. В. Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев [Текст] / И. В. Грехов, Л. С. Костина [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 50-51 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- прямое сращивание кремния -- диффузия -- легирование -- интерфейс Аннотация: Исследованы Si-Si структуры, изготовленные по предложенной авторами технологии создания диффузионных слоев в едином технологическом цикле с процессом прямого сращивания кремния из источника, находящегося на границе сращивания. В качестве легирующей примеси использовался алюминий. Диффузия атомов Al в полированную поверхность кремния при высокотемпературной термообработке в окисляющей среде приводила к образованию pn-перехода в n-кремнии. Показано, что присутствие алюминия на интерфейсе способствовало формированию непрерывной границы раздела. Для объяснения предложена модель, согласно которой соединение гидрофильных поверхностей пластин кремния в водном растворе нитрита алюминия Al(NO[3]) приводит к увеличению площади сцепления пластин при комнатной температуре за счет взаимодействия Al-OH групп с молекулами воды, адсорбированными на поверхности пластин Доп.точки доступа: Костина, Л.С.; Аргунова, Т.С.; Белякова, Е.И.; Шмидт, Н.М.; Костин, К.Б.; Ким, Е.Д.; Ким, С.Ч. |
539.2 А 79 Аргунова, Т. С. Структурные исследования монокристаллов Si (1-x) Ge (x) рентгенодифракционными методами [Текст] / Т. С. Аргунова, М. Ю. Гуткин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 7. - С. 1184-1191. - Библиогр.: с. 1191 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; диэлектрики; кристаллическая структура; метод Чохральского; монокристаллы; полупроводники; растворы; рентгенодифракционные методы; твердые растворы; Чохральского метод Аннотация: Исследованы дефекты кристаллической структуры в монокристаллах твердых растворов Si (1-x) Ge (x) , 1-9 at. % Ge, выращенных методом Чохральского. Доп.точки доступа: Гуткин, М. Ю.; Забродский, А. Г.; Сорокин, Л. М.; Трегубова, А. С.; Щеглов, М. П.; Абросимов, Н. В.; Je, J. H.; Yi, J. M. |
53 С 654 Сорокин, Л. М. Композиционная неоднородность и дефекты структуры в кристаллах твердого раствора Ge[x]Si[1-x], выращенных методом Чохральского [Текст] / Л. М. Сорокин, Т. С. Аргунова [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 37-46 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- пластическая деформация -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- твердые растворы -- кристаллы твердых растворов -- дефекты структуры -- композиционная неоднородность Аннотация: Исследована взаимосвязь между пластической деформацией и неоднородностью распределения Ge в кристаллах твердых растворов Ge[x]Si[1-x] (x=4/ 9 at. % Ge), выращенных методом Чохральского. Показано, что механизмом пластической деформации служит зарождение дислокаций на источниках в полосах сегрегации Ge, а неоднородность в распределении Ge поперек оси роста вызвана термоупругими напряжениями. Доп.точки доступа: Аргунова, Т. С.; Абросимов, Н. В.; Гуткин, М. Ю.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Jung, J. W.; Je, J. H. |
621.3 А 798 Аргунова, Т. С. Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si, полученных методом прямого сращивания [Текст] / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 700-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- прямое сращивание пластин -- Ge[x]Si[1-x]/Si -- кристаллы -- твердые растворы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- структурные свойства -- электрические свойства Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин Ge[x]Si[1-x] и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-Ge[x]Si[1-x]/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si большой площади. Доп.точки доступа: Белякова, Е. И.; Грехов, И. В.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Сорокин, Л. М.; Шмидт, Н. М.; Yi, J. M.; Jung, J. W.; Je, J. H.; Абросимов, Н. В. |
621.3 И 201 Иванов, П. А. Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC-SiC, изготовленных методом прямого твердофазного сращивания [Текст] / П. А. Иванов, Л. С. Костина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 941-944 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): изотипные переходы SiC-SiC -- SiC -- твердофазное сращивание -- монокристаллические пластины -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик изотипных структур SiC-SiC, изготовленных прямым твердофазным сращиванием монокристаллических пластин 6H-SiC n-типа проводимости с концентрацией доноров ~10[16] см[-3]. Первоначальное соединение пластин осуществлялось в деионизованной воде. Для усиления сцепления проводился термический отжиг структуры при температуре 1250/{o/}C. Все особенности измеренных вольт-амперных характеристик непротиворечиво объясняются в рамках гипотезы о том, что граница SiC-SiC представляет собой переменный по толщине канал, заполненный собственным окислом SiO[x] толщиной 10-100 нм. Минимальное измеренное дифференциальное сопротивление структуры (6 Ом см/{2/}) ограничивается протеканием тока в слое окисла по механизму токов, ограниченных пространственным зарядом. Доп.точки доступа: Костина, Л. С.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Белякова, Е. И.; Аргунова, Т. С.; Грехов, И. В. |
Аргунова, Т. С. Компьютерное моделирование фазово-контрастных изображений в белом синхротронном излучении на примере микротрубок в карбиде кремния [Текст] / Т. С. Аргунова, В. Г. Кон, Jung Ho Je // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 48-53 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): компьютерное моделирование -- фазово-контрастные изображения -- микротрубки -- карбид кремния -- векторы Бюргерса -- Бюргерса векторы -- синхротронное излучение Аннотация: Развит метод компьютерного моделирования фазово-контрастных изображений в белом синхротронном излучении для определения параметров сечения микротрубок в карбиде кремния. Эксперименты выполнены на источнике синхротронного излучения третьего поколения Pohang Light Source (г. Поханг, Республика Корея). Показано, что эффективный спектр синхротронного излучения, формирующий изображение, имеет относительно резкий максимум при энергии 16 кэВ, что и позволяет сохранить когерентность в необходимых пределах. Разработана компьютерная программа, позволяющая автоматически находить диаметры эллиптического сечения микротрубки из условия совпадения расчетных профилей интенсивности с экспериментальными. Показано, что изученные микротрубки имели сильно вытянутое эллиптическое сечение, которое могло закручиваться при движении вдоль оси трубки. Доп.точки доступа: Кон, В. Г.; Jung Ho Je |
Вольт-амперные характеристики Si/Si[1-x]Ge[x] (0. 02 меньше x меньше 0. 15) гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 23. - С. 66-72 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетеродиоды -- вольт-амперные характеристики -- прямое сращивание пластин Аннотация: Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) Si/Si[1-x]Ge[x] гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si[1-x]Ge[x ] той же ориентации p-типа проводимости с содержанием германия от 2 до 15 at. %. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Белякова, Е. И.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Юсупова, Ш. А.; Сорокин, Л. М.; Аргунова, Т. С.; Абросимов, Н. В.; Матчанов, Н. А.; Je, J. H. |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1135-1139 : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. |
621.375 И 889 Исследование процесса обратного восстановления Si/Si[1-x]Ge[x] гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием [Текст] / И. В. Грехов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 83-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетеродиоды -- обратное восстановление -- процессы восстановления -- исследования -- результаты исследований -- пластины кремния -- прямое сращивание -- германий -- время восстановления -- обратный ток -- носители заряда -- дислокации несоответствия -- восстанавливающиеся диоды -- полупроводниковая техника -- силовая техника -- силовая полупроводниковая техника -- технология прямого сращивания Аннотация: Приведены результаты исследования процесса обратного восстановления Si/Si[1-x]Ge[x] гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si[1-x]Ge[x] p-типа проводимости той же ориентации, с содержанием германия от 4 до 8 at. %. Показано, что с увеличением концентрации германия NGe в p-Si[1-x]Ge[x] слое время обратного восстановления гетеродиодов уменьшается. Наличие участка резкого спада обратного тока на характеристике восстановления может быть объяснено существованием вблизи границы сращивания узкой области с пониженным по отношению к объему временем жизни неосновных носителей заряда вследствие сосредоточения здесь дислокаций несоответствия, генерируемых при сращивании. Полученные результаты демонстрируют принципиальную возможность создания в системе Si-Si[1-x]Ge[x] быстро восстанавливающихся диодов для силовой полупроводниковой техники на основе технологии прямого сращивания. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p83-90.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Белякова, Е. И.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Аргунова, Т. С.; Оганесян, Г. А. |