Бланк, Т. В. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А. |
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В. |
621.315.592 Т 327 Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A{III}B{V} с высокой плотностью дислокаций [Текст] / А. В. Саченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 348-355 : ил. - Библиогр.: с. 355 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- омические контакты -- контактное сопротивление -- структуры -- дислокация -- экспериментальные зависимости -- теоретические зависимости -- теоретический анализ -- высокая плотность -- металлические шунты Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления rho[c] омических контактов к структурам n-n{+}-n{++}-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста rho[c] с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100-400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p348-355.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Бобыль, А. В.; Болтовец, Н. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Саксеев, Д. А.; Тарасов, И. С.; Шеремет, В. Н.; Яговкина, М. А. |
621.315.592 К 110 К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n-Si / А. В. Саченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 426-431 : ил. - Библиогр.: с. 431 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): аномальные температурные зависимости -- температурные зависимости -- удельное контактное сопротивление -- контактное сопротивление -- сопротивление -- омические контакты -- наноразмерные металлические шунты -- металлические шунты -- шунты -- ток -- протекание -- дислокации -- рассеивающие дислокации -- проводящие дислокации -- кремний -- Si Аннотация: Получены аномальные температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов rho[c] (T) Pd[2]Si-Ti-Au к шлифованному n-Si с концентрацией легирующей примеси 5 x 10{16}, 3 x 10{17} и 8 x 10{17} см{-3}. Аномальные зависимости rho[c] (T) были объяснены в предположении протекания тока по наноразмерным металлическим шунтам, совмещенным с дислокациями с учетом диффузионного ограничения подвода носителей. Определены плотности проводящих и рассеивающих дислокаций в приконтактной области полупроводника. We obtained anomalous temperature dependences rho[c] (T) of resistivity of Pd[2]Si-Ti-Au ohmic contacts to lapped n-Si with dopant concentration of 5 x 10{16}, 3 x 10{17} and 8 x 10{17} cm{-3}. The anomalous rho[c] (T) dependences were explained assuming that current flows through nanosized metal shunts associated with dislocations, with allowance made for diffusion limitation of charge current supply. The densities of "conducting" and "scattering" dislocations in the semiconductor near-surface region are determined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p426-431.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Виноградов, А. О.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Костылев, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Кладько, В. П.; Шеремет, В. Н. |
539.2 Т 516 Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к n{+}-Si / А. В. Саченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 509-513 : ил. - Библиогр.: с. 512-513 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термообработка -- термическая обработка -- омические контакты -- границы раздела -- металлизация -- металлические шунты -- шунты -- температурные зависимости -- структурные дефекты -- токоперенос Аннотация: Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при T=450°С в течение 10 мин в вакууме ~10{-6} Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n{+}-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n{+}-Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами, подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления rho[c] (T). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости rho[c], составляет ~5 x 10{9} см{-2} и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации. It was found experimentally that in the course of thermal annealing at a temperature T = 450°C for 10min in a vacuum (pressure of ~ 10{? 4} Pa), an Au-Pt-Ti-Pd-n{+}-Si ohmic contact was formed owing to appearance of nanosized metal shunts near the metallization n{+}-Si interface. Their elemental composition involved Si, Au and Pt. High concentration of shunts associated with dislocations (the so-called conducting dislocations) and other imperfections is confirmed by temperature dependence of contact resistivity rho[c] (T). The density of conducting dislocations calculated from rho[c] (T) was ~ 5 x 10{9} cm{-2]. This correlates with the density of structural defects determined from etch pits after removal of metallization layers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p509-513.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Пилипенко, В. А.; Петлицкая, Т. В.; Анищик, В. А.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Виноградов, А. О.; Шеремет, В. Н.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ" (Минск); Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ" (Минск); Белорусский государственный университет; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины |