539.2 К 630 Комаров, Ф. Ф. Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров, В. Н. Ювченко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): германий -- дефекты -- ионная имплантация -- ионное облучение -- модель термического пика -- трекообразование -- фосфид индия Аннотация: Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe{+} с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm Доп.точки доступа: Ювченко, В.Н. |
539.2 А 230 Агаев, В. В. Влияние диэлектрической пленки SrF[2] на люминесцентные свойства n-InP [Текст] / В. В. Агаев, В. А. Созаев, Г. И. Яблочкина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 142 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): защитные покрытия -- излучательная рекомбинация -- фосфид индия -- фторид стронция Аннотация: Показано, что в качестве эффективных защитных покрытий пленок фосфида индия можно использовать SrF[2], который способствует снижению скорости поверхностной рекомбинации из-за близости параметров решеток. В результате этого повышается внешний квантовый выход излучательной рекомбинации. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-141.html.ru Доп.точки доступа: Созаев, В. А.; Яблочкина, Г. И. |
Сошников, И. П. Формирование развитой морфологии на поверхности фосфида индия при распылении ионными пучками аргона [Текст] / И. П. Сошников, А. В. Лунев [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 110 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): самоорганизация -- фосфид индия -- поверхностные структуры -- аргоновые пучки -- морфология Аннотация: Проведены исследования самоорганизующихся поверхностных структур InP, образующихся при распылении монохроматичными пучками ионов аргона с энергией от 0.1 до 15 keV. Показано, что обработка аргоновыми пучками поверхности InP может приводить к образованию морфологий "грасс" ли "конус в лунке". Для объяснения формирования рельефа предложена качественная модель, включающая процессы распыления, каскадного перемешивания и поверхностного транспорта. Предложенная модель предсказывает правильный характер зависимости плотности и размеров морфологических элементов от флюенса. Кроме того, модель позволяет объяснить возникновение граничных условий образования морфологий "грасс" и "конус/группа конусов в лунке", а также влияние на них (граничные условия) температуры мишени.Показано, что наличие границ областей травления может приводить к возникновению частичной анизотропии в структуре морфологии Доп.точки доступа: Лунев, А.В.; Гаевский, М.Э.; Нестеров, С.И.; Кулагина, М.М.; Роткина, Л.Г.; Барченко, В.Т.; Калмыкова, И.П.; Ефимов, А.А.; Горбенко, О.М. |
53 Н 632 Николаев, Ю. А. Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP [Текст] / Ю. А. Николаев, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Е. И. Теруков // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- фосфид индия -- термическое окисление -- фоточувствительность Аннотация: Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
621.315.592 М 151 Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, В. А. Мельник // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 542-545 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- световое пятно Аннотация: Исследована собственная фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью. Обнаружено, что механическая полировка поверхности образца приводит к появлению в области края фундаментального поглощения дополнительного максимума фотопроводимости, исчезающего при хранении образца. Установлена зависимость вида спектра фотопроводимости от времени старения, величины электрического поля, положения светового пятна относительно контактов. Результаты объясняются изменением времени жизни неравновесных носителей заряда по глубине образца. Приводится выражение для спектров фотопроводимости, качественно описывающее эксперимент. Доп.точки доступа: Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Мельник, В. А. |
Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / В. А. Мельник [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 294-296
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- фосфид галлия -- спектры собственной фотопроводимости Аннотация: При исследовании спектров примесной фотопроводимости образцов фосфида индия, компенсированного медью, обнаружен резонансный переход из одного состояния меди в другое с максимумом оптической энергии возбуждения 0. 31 эВ. Получена температурная зависимость величины максимума интенсивности внутрицентрового перехода в диапазоне от 90 до 450 К. Установлено, что термическая энергия возбуждения составляет 0. 42 эВ. Доп.точки доступа: Мельник, В. А.; Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Макаренко, Ф. В. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1607-1614 : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. |
544.3 П 221 Пашинкин, А. С. Теплоемкость фосфида индия [Текст] / А. С. Пашинкин, А. С. Малкова, М. С. Михайлова // Журнал физической химии. - 2009. - Т. 83, N 6. - С. 1191-1192. - Библиогр.: c. 1192 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Химическая термодинамика Кл.слова (ненормированные): фосфид индия -- термодинамические функции -- теплоемкость фосфида индия -- сканирующие калориметры -- полевые транзисторы -- высокотемпературная теплоемкость -- стандартные энтропии -- оптоэлектроника Аннотация: Измерена теплоемкость фосфида индия. Рассчитаны термодинамические функции. Доп.точки доступа: Малкова, А. С.; Михайлова, М. С. |
621.315.592 В 586 Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++}- GaAs(InP) [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 558-561 : ил. - Библиогр.: с. 561 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- микроволновое облучение -- облучение микроволнами -- микроволны -- арсенид галлия -- GaAs -- фосфид индия -- InP -- температурные зависимости -- экспериментальные исследования -- теоретические исследования -- внутренние механические напряжения -- ВМН -- микроволновое излучение Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rho[c] омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++} (GaAs) -InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки rho[c] может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100-400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p558-561.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Саченко, А. В.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Матвеева, Л. А.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. |
535.2/.3 П 755 Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров / В. В. Мамутин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 18. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): каскадные лазеры -- полосковые структуры -- квантовые приборы -- фосфид индия -- газофазная эпитаксия -- заращивание полосковых структур -- металлоорганические соединения -- фотолитография -- квантовые каскадные лазеры Аннотация: Продемонстрирован метод заращивания лазерных полосковых структур высокоомным фосфидом индия для ограничения области протекания тока и улучшения отвода тепла. Заращивание выполнялось с помощью метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что данный метод позволяет получать качественные эпитаксиальные слои и бездефектные границы заращивания без специальной обработки структур после фотолитографии. Все слои InP были n-типа проводимости, удельное сопротивление составляло rho приблизительно 5·10{4} Omega·cm, а концентрация носителей n приблизительно 5·10{10} cm{-3}. Характеристики выращенных слоев InP позволят получать высококачественные квантовые каскадные лазеры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/18/p32-37.pdf Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Ильинская, Н. Д.; Пушный, Б. В.; Левин, Р. Н.; Шерняков, Ю. М. |
539.21:535 И 889 Исследование оптических и структурных свойств оксидных пленок на InP методом спектральной эллипсометрии / В. А. Швец [и др.]. // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 11. - С. 92-99. - Библиогр.: c. 99 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): оксидные пленки -- спектральная эллипсометрия -- фосфид индия -- эллипсометрия -- экспресс-диагностика толщины пленок -- дисперсия показателя преломления -- поглощение Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии исследованы оптические свойства оксидных пленок, выращенных на InP различными способами. Проанализированы методические подходы и приемы для интерпретации результатов эллипсометрических измерений. Показано, что пленки, полученные оксидированием структур с магнетронно нанесенным хемостимулятором, имеют слабое поглощение, нормальный ход дисперсии показателя преломления и резкие границы раздела. В отличие от этого для пленок, полученных оксидированием InP с активными центрами, созданными электровзрывом ванадиевой проволоки, или нанесением хемостимулятора из золя или геля, наблюдаются сильные полосы поглощения во всем спектральном диапазоне и значительное размытие оптических свойств в интерфейсной области. Установлены пределы применимости экспресс-диагностики толщины исследуемых пленок, основанной на измерениях с помощью лазерного одноволнового эллипсометра. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/11/p92-99.pdf Доп.точки доступа: Швец, В. А.; Рыхлицкий, С. В.; Миттова, И. Я.; Томина, Е. В.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Воронежский государственный университет; Воронежский государственный университет |
539.2 C 73 Comparative investigation of InP/InGaAs heterostructure-emitter tunneling and superlattice bipolar transistors / T. Jung-Hui [et al.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 833-838 : ил. - Библиогр.: с. 838 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- гетероструктуры -- туннельные слои -- токи -- рекомбинация -- InP -- фосфид индия -- GaAs -- арсенид галлия Аннотация: In this article, the characteristics of InP/InGaAs heterostructure-emitter bipolar transistors with 30 Angstrem, 50 Angstrem n-InP layer tunneling layers and a five-period InP/InGaAs superlattice are demonstrated and comparatively investigated by experimentally results and analysis. In the three devices, a 200 Angstrem n-In[0. 53]Ga[0. 47]As layer together with an n-InP tunneling emitter layer (or n-InP/n-InGaAs superlattice) forms heterostructure emitter to decrease collector-emitter offset voltage. The results exhibits that the largest collector current and current gain are obtained for the tunneling transistor with a 30 Angstrem n-InP tunneling emitter layer. On the other hand, some of holes injecting from base to emitter will be blocked at n-InP/n-InGaAs heterojunction due to the relatively small hole transmission coefficient in superlattice device, which will result in a considerable base recombination current in the n-InGaAs layer. Therefore, the collector current and current gain of the superlattice device are the smallest values among of the devices. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p833-838.pdf Доп.точки доступа: Jung-Hui, T.; Ching-SungLee, С. В.; Chung-Cheng, C.; Yi-Ting, C.; Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University (Taiwan); Department of Electronic Engineering, Feng Chia University (Taiwan); Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University (Taiwan); Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University (Taiwan) |
539.2 И 889 Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров / В. В. Мамутин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1132-1137 : ил. - Библиогр.: с. 1136-1137 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): каскадные лазеры -- высокоомные материалы -- фосфид индия -- InP -- фотолитография -- химическое травление -- теплоотвод -- оптические переходы Аннотация: Исследован процесс специальной постростовой обработки структур для квантовых каскадных лазеров, включающий в себя заращивание высокоомным материалом - фосфидом индия с концентрацией носителей n приблизительно равно 5·10{10} см{-3}, фотолитографию с применением различных химических жидкостных травителей и создание специальных контактов для обеспечения повышенного теплоотвода. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяет достичь необходимых параметров, удовлетворяющих требования к высококачественным приборам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1132-1137.pdf Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Ильинская, Н. Д.; Бедарев, Д. А.; Левин, Р. В.; Пушный, Б. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |