Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения
Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения.


Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С.




    Кухарев, А. В.
    Эффективность инжекции носителей заряда с определенным спином в ферромагнетик [Текст] / А. В. Кухарев, А. Л. Данилюк, В. Е. Борисенко // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 9. - С. 80-84. - Библиогр.: c. 84 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
ферромагнетики -- инжекция носителей заряда -- трехслойные структуры -- спиновая инжекция -- эффективность инжекции -- спиновая диффузия -- относительная спиновая поляризация проводимости
Аннотация: Проведен анализ эффективности инжекции носителей заряда с определенным спином в ферромагнитный материал в трехслойной структуре ферромагнетик/ (немагнитный металл) /ферромагнетик с учетом вклада немагнитного слоя. Показано, что в структуре Co/Cu/Fe эффективность спиновой инжекции в несколько раз выше, чем в симметричной структуре Co/Cu/Co. Установлены оптимальные условия инжекции носителей заряда с определенным спином в зависимости от параметров используемых материалов.


Доп.точки доступа:
Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е.