Морозов, М. Ю. Оптическое возбуждение неидентичных квантовых ям в активной области лазера с вертикальным внешним резонатором [Текст] / М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, И. В. Красникова // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 23. - С. 80-86 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): лазеры -- квантовые ямы -- оптическое возбуждение Аннотация: Выполнено численное моделирование оптического возбуждения полупроводниковой структуры, состоящей из двух неидентичных квантовых ям, разделенных барьерами, поглощающими излучение накачки. Показано, что выравнивание заселенности в квантовых ямах может быть достигнуто двумя способами: при перемещении более глубокой квантовой ямы в область слабой генерации носителей либо при введении в структуру блокинг-слоя, предотвращающего транспорт носителей. Доп.точки доступа: Морозов, Ю. А.; Красникова, И. В. |
Эффективное оптическое возбуждение и резонансная люминесценция ионов эрбия в спектральной области собственных мод планарного микрорезонатора [Текст] / А. В. Медведев [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 22. - С. 73-80 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптическое возбуждение -- резонансная люминесценция -- ионы эрбия Аннотация: Продемонстрировано сильное увеличение интенсивности спонтанной эмиссии ионов эрбия, помещенных в активный слой a-SiO[x] планарного микрорезонатора на основе слоев a-Si: H/a-SiO[x]. Показано, что использование собственных мод микрорезонатора как для ввода возбуждающего излучения, так и для вывода фотолюминесценции увеличивает интенсивность спонтанной эмиссии ионов эрбия примерно в 500 раз по сравнению с одиночной пленкой a-SiO[x] (Er). Доп.точки доступа: Медведев, А. В.; Дукин, А. А.; Певцов, А. Б.; Sibilia, C.; Феоктистов, Н. А.; Голубев, В. Г. |
Влияние температуры на лазерное инициирование тетранитрата пентаэритрита [Текст] / Э. Д. Алукер [и др. ] // Химическая физика. - 2008. - Т. 27, N 5. - С. 53-55. - Библиогр.: c. 55 (11 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Кл.слова (ненормированные): взрывчатые вещества -- бризантные ВВ -- лазерное инициирование бризантных ВВ -- тетранитрат пентаэритрита -- термическое разложение -- фототермическая и термооптическая ионизация ловушек -- оптическая ионизация -- термическая ионизация -- оптическое возбуждение -- термическая диссоциация Аннотация: Исследована температурная зависимость вероятности взрыва ТЭНа при инициировании лазерными импульсами. Доп.точки доступа: Алукер, Э. Д.; Кречетов, А. Г.; Лобойко, Б. Г.; Нурмухаметов, Д. Р.; Филин, В. П.; Казакова, Е. А. |
Аверин, С. В. Влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик МПМ-фотодиода [Текст] / С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, Н. В. Алкеев // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 10. - С. 89-94. - Библиогр.: c. 94 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптическое возбуждение -- фотодетекторы -- фотодиоды -- нитрид галлия -- отклик фотодетектора Аннотация: Исследовано влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик фотодетектора в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Отклик детектора лучше при низком уровне сигнала оптического возбуждения. При большом уровне энергии импульса оптического возбуждения возможно улучшение сигнала отклика детектора при увеличении смещения. Установлены преимущества МПМ-диода на основе GaN при детектировании излучения с большой энергией импульса. Анализ показывает, что при энергии импульса оптического возбуждения 60 pJ на длине волны 290 nm, быстродействие GaN МПМ-детектора может достигать ~ 25 ps. Доп.точки доступа: Кузнецов, П. И.; Алкеев, Н. В. |
Цыпленков, В. В. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н. |
Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения [Текст] / А. Г. Кязым-заде [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 306-309 : ил. - Библиогр.: с. 309 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- ФП -- кристаллы -- GaSe -- люминесценция -- слоистые кристаллы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотопроводимости -- спектры фотолюминесценции -- оптическое возбуждение -- оптическое поглощение -- нелинейное оптическое поглощение -- экситонный резонанс -- спектры люминесценции -- экспериментальные исследования Аннотация: Экспериментально исследована фотопроводимость и люминесценция в слоистых кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. Наблюдаемые особенности спектров фотопроводимости и люминесценции определяются нелинейным оптическим поглощением в области экситонного резонанса. Доп.точки доступа: Кязым-заде, А. Г.; Салманов, В. М.; Салманова, А. А.; Алиева, А. М.; Ибаева, Р. З. |
Грузинцев, А. Н. Зависимость порога стимулированной люминесценции нанокристаллов ZnO от их геометрической формы [Текст] / А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, К. Бартхоу // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 654-659 : ил. - Библиогр.: с. 658-659 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оксид цинка -- ZnO -- нанокристаллы -- люминесценция -- фотолюминесценция -- ФЛ -- стимулированная люминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ультрафиолетовое свечение -- УФ свечение -- оптическое возбуждение -- нанорезонаторы -- поглощение -- лазерная генерация -- фотонные состояния Аннотация: Исследовано влияние формы и размеров нанокристаллов оксида цинка на времена затухания спонтанной люминесценции и пороги возникновения стимулированной люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что нанокристаллы столбчатой формы с гексагональной огранкой имеют минимальный порог мощности оптического возбуждения для диаметров нанорезонаторов 100-200 нм, сравнимых с длиной поглощения возбуждающего света. Установлен различный механизм лазерной генерации нанокристаллов в форме призм и пирамид с гексагональным основанием. Изменение времени затухания и порогов лазерной генерации можно объяснить различием локальной плотности фотонных состояний в нанокристаллах правильной формы. Доп.точки доступа: Редькин, А. Н.; Бартхоу, К. (Barthou C.) |
Смирнов, Ю. М. Диссоциативное возбуждение нечетных квинтетных уровней атома железа при столкновениях электронов с молекулами дихлорида железа [Текст] / Ю. М. Смирнов // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 6. - С. 3-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (2 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): диссоциативное возбуждение -- нечетные квинтетные уровни -- квинтетные уровни -- атомы железа -- столкновения электронов -- дихлорид железа -- железо -- медленные электроны -- протяженные пересекающие пучки -- пересекающие пучки -- энергия электронов -- оптическое возбуждение Аннотация: Диссоциативное возбуждение нечетных квинтетных уровней атома железа при столкновениях медленных электронов с молекулами дихлорида железа исследовано методом протяженных пересекающихся пучков. При энергии возбуждающих электронов 100 эВ измерены 55 сечений диссоциативного возбуждения. Зарегистрированы 5 оптических функций возбуждения в диапазоне энергий электронов 0-100 эВ. Обсуждены некоторые тенденции в поведении сечений диссоциативного возбуждения. |
Пархоменко, А. И. Инверсия населенностей на колебательных переходах молекул при нерезонансном оптическом возбуждении [Текст] / А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 3. - С. 387-398. - Библиогр.: с. 398 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): инверсия населенностей -- населенности -- колебательные переходы молекул -- переходы молекул -- молекулы -- нерезонансное оптическое возбуждение -- оптическое возбуждение Аннотация: Теоретически исследована возможность получения инверсии населенностей на колебательных переходах молекул за счет нелинейных эффектов при поглощении излучения накачки в крыльях спектральных линий. Доп.точки доступа: Шалагин, А. М. |
Зависимость порога лазерной генерации наностержней ZnO от их длины [Текст] / А. Н. Грузинцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1254-1259 : ил. - Библиогр.: с. 1258 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерная генерация -- наностержни -- ZnO -- оксид цинка -- люминесценция -- лазерная люминесценция -- оптическое возбуждение -- нанорезонаторы -- фотонные состояния -- нанокристаллы -- фотолюминесценция -- ФЛ Аннотация: Исследовано влияние длины наностержней оксида цинка на модовую структуру и пороги возникновения стимулированной и лазерной люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что наностержни с металлическим зеркалом на торце имеют минимальный порог мощности оптического возбуждения для больших длин нанорезонаторов. Обнаружен одномодовый режим лазерной генерации для наностержней ZnO малой длины. Изменение порогов лазерной генерации объяснено различием длины усиливающей среды и локальной плотности фотонных состояний в нанокристаллах правильной формы. Доп.точки доступа: Грузинцев, А. Н.; Емельченко, Г. А.; Редькин, А. Н.; Волков, В. Т.; Якимов, Е. Е.; Висимберга, Д. |
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1519-1522 : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. |
535.2/.3 Г 340 Генерация на резонансном переходе атомов натрия при нерезонансном оптическом возбуждении [Текст] / А. И. Плеханов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 211-223. - Библиогр.: с. 222-223 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): буферный газ -- генерируемое излучение -- атомы -- излучения -- резонанс -- натрий -- генерация -- оптическое возбуждение -- нерезонансное оптическое возбуждение -- резонансный переход атомов -- расходимость генерируемого излучения -- переход атомов Аннотация: Экспериментально и теоретически исследована генерация когерентного излучения на резонансном переходе 3P-3S (D-линии) атомов натрия при нерезонансном оптическом возбуждении в присутствии буферного газа. Доп.точки доступа: Плеханов, А. И.; Шалагин, А. М.; Пархоменко, А. И.; Марков, Р. В. |
621.315.592 Г 901 Грузинцев, А. Н. Влияние отжига на люминесценцию кристаллов CuI p-типа проводимости [Текст] / А. Н. Грузинцев, авт. В. Н. Загороднев // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 158-163 : ил. - Библиогр.: с. 162-163 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- кристаллы -- иодид меди -- CuI -- собственные дефекты -- дефекты -- импульсное оптическое возбуждение -- оптическое возбуждение -- свободные экситоны -- рекомбинация электронов -- электроны -- глубокие уровни -- кристаллические дефекты -- высокотемпературный отжиг Аннотация: Исследование спектров фотолюминесценции образцов CuI с различным содержанием собственных дефектов были выполнены при температуре 80K с использованием непрерывного и импульсного оптического возбуждения. Обнаружены пики свечения связанных и свободных экситонов, а также рекомбинации электронов на мелкие и глубокие уровни кристаллических дефектов. Установлено наличие включений гексагональной фазы в кристаллах иодида меди после высокотемпературного отжига. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p158-163.pdf Доп.точки доступа: Загороднев, В. Н. |
621.315.592 Ш 642 Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными Si-слоями [Текст] / М. В. Шалеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 202-206 : ил. - Библиогр.: с. 206 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- напряженные слои -- Si-слои -- оптическое возбуждение -- наноостровки -- буферные слои -- Ge (Si) -- квантовые точки -- полупроводники -- InAs/GaAs Аннотация: Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge (Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge (Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge (Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p202-206.pdf Доп.точки доступа: Шалеев, М. В.; Новиков, А. В.; Байдакова, Н. А.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, О. А.; Лобанов, Д. Н.; Красильник, З. Ф. |
621.375 Е 302 Егоров, А. Ю. Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP[x]N[y]As[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров, Н. В. Крыжановская, М. С. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1209-1213 : ил. - Библиогр.: с. 1213 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- квантово-размерные гетероструктуры -- гетероструктуры -- твердые растворы -- запрещенные зоны -- гибридизация -- проводимость -- фотолюминесценция -- метод фотолюминесценции -- квантовые ямы -- КЯ -- барьерные слои -- подложки -- оптическое возбуждение -- спектральные линии -- неоднородности -- исследования -- оптоэлектроника -- приборы Аннотация: Представлены результаты расчета ширины запрещенной зоны в твердых растворах GaP[x]N[y]As[1-x-y], а также оценочные значения параметра гибридизации зоны проводимости GaP и локализованного уровня азота. Методом фотолюминесценции в диапазоне температур 15-300 K исследованы оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP[x]N[y]As[1-x-y], синтезированных на поверхности подложки GaP (100). Исследованные гетероструктуры представляют собой квантовые ямы GaP[0. 814]N[0. 006]As[0. 18] толщиной 5 нм, разделенные барьерными слоями GaP толщиной 5 нм, с различным числом периодов. При оптическом возбуждении структур наблюдается интенсивная линия фотолюминесценции в спектральном диапазоне 620-650 нм. Спектры фотолюминесценции квантовых ям GaP[0. 814]N[0. 006]As[0. 18]/GaP сильно уширены вследствие неоднородности по составу четверного твердого раствора. Установлено, что увеличение числа слоев квантовых ям от 10 до 25 не приводит к деградации фотолюминесцентных свойств гетероструктур. Результаты исследований подтверждают возможность создания эффективных приборов оптоэлектроники на основе твердых растворов GaP[x]N[y]As[1-x-y]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1209-1213.pdf Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Соболев, М. С. |
538.958 Э 455 Электролюминесценция горячих носителей заряда в режиме спонтанного и стимулированного излучения из лазерных наноструктур и поглощение ИК-излучения горячими электронами в квантовых ямах [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 79-82. - Библиогр.: c. 82 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- электролюминесценция -- лазерные наноструктуры -- ИК-излучение -- спонтанное излучение -- стимулированное излучение -- горячие носители зарядов -- туннельно-связанные квантовые ямы -- горячие электроны -- оптическое возбуждение Аннотация: В работе изучены разогрев и зависимость концентрации носителей заряда от тока в квантовых ямах (КЯ) гетероструктур в режимах спонтаного и стимулированного излучения, а также межподзонное поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах в условиях разогрева носителей заряда латеральным электрическим полем и при мощном оптическом возбуждении. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Винниченко, М. Я.; Паневин, В. Ю.; Тхумронгсилапа, П.; Борщев, К. С.; Жуков, А. Е.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С.; Belenky, G.; Hanna, S.; Seilmeier, A. |
538.958 М 550 Механизмы рекомбинации носителей заряда в Sb-содержащих лазерных структурах с квантовыми ямами [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 78-80. - Библиогр.: c. 80 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Бурштейна-Мосса динамический эффект -- динамический эффект Бурштейна-Мосса -- квантовые ямы -- лазерные структуры -- оптическое возбуждение -- резонансная оже-рекомбинация -- твердые растворы -- фотолюминесценция Аннотация: Исследована динамика межзонной фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaAsSb и барьерами различных типов при различных температурах и уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Зерова, В. Л.; Фирсов, Д. А.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Suchalkin, S.; Kisin, M. |
535.31 Ч-931 Чуренков, А. В. Микрорезонаторный интерференционный волоконно-оптический датчик относительной влажности воздуха / А. В. Чуренков // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 16. - С. 23-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): волоконно-оптические датчики -- микрорезонаторы -- влажность воздуха -- силикагели -- оптическое возбуждение -- отрицательные температуры -- калибровочные работы Аннотация: Разработан новый тип волоконно-оптического датчика относительной влажности воздуха на основе микромеханического кремниевого микрорезонатора и силикагеля. Выходной сигнал такого датчика в частотной форме малочувствителен к вариациям мощности лазерного источника и случайным затуханиям в волокне. При использовании чисто оптического возбуждения колебаний резонатора чувствительный элемент такого датчика будет полностью пассивным, так как не будет содержать электронных компонентов и цепей. Датчик показал высокую чувствительность при относительной влажности менее 75%, возможность работы при отрицательных температурах, низкую зависимость показаний от температуры воздуха. Зависимость массы влаги, адсорбированной силикагелем, от относительной влажности воздуха оказалась линейной, что упрощает калибровку датчика. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/16/p23-29.pdf |
539.2 Л 175 Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии / К. А. Ковалевский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 199-205 : ил. - Библиогр.: с. 205 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазеры -- мелкие доноры -- результаты исследований -- экспериментальные исследования -- терагерцовое стимулированное излучение -- стимулированное излучение -- излучение доноров -- доноры -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- висмут -- одноосно-деформированный кремний -- кремний -- оптическое возбуждение -- коэффициент усиления -- деформированный кремний -- рабочие состояния доноров -- теоретические оценки Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эффектов терагерцового стимулированного излучения доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в одноосно-деформированном кремнии при их оптическом возбуждении излучением CO[2]-лазера. Показано, что одноосная деформация сжатия кристалла в направлении [100] увеличивает коэффициент усиления и эффективность стимулированного излучения, значительно снижая пороговую интенсивность накачки. Измерены частоты и идентифицированы рабочие переходы доноров в деформированном кремнии. Дается теоретическая оценка зависимости разностной населенности рабочих состояний доноров от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [100]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p199-205.pdf Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Жукавин, Р. Х.; Цыпленков, В. В.; Шастин, В. Н.; Абросимов, Н. В.; Риман, Г.; Павлов, С. Г.; Хьюберс, Г. - В.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
539.19 К 413 Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях / С. В. Морозов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1472-1475 : ил. - Библиогр.: с. 1475 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- импульсное оптическое возбуждение -- оптическое возбуждение -- электрические поля -- релаксация -- оптические фононы -- фононы -- длина волны -- время релаксации -- кинетика релаксации Аннотация: Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в p-Si: B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при E>75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей. We study the relaxation kinetics of the impurity photoconductivity in p-Si: B under pulsed optical excitation in the strong (10-500V/cm) electric fields. It is found that the dependence of the relaxation time on the electric field changes its behavior when E > 75V/cm due to the relaxation processes involving optical phonons. The dependence of the carrier relaxation rate on the intensity and wavelength of the excitation indicates the presence of long-lived excited state, which leads to the delay of the carrier relaxation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1472-1475.pdf Доп.точки доступа: Морозов, С. В.; Румянцев, В. В.; Кудрявцев, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |