621.3
Б 435


    Белов, А. Г.
    О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd[x]Hg[1-x]Te при T=77 K [Текст] / А. Г. Белов, И. М. Белова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1178-1181 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
   Электротехника

Кл.слова (ненормированные):
медленные электроны -- магнитное поле -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- твердые растворы
Аннотация: Разработан алгоритм, позволяющий путем подгонки расчетной зависимости коэффициента Холла от индукции магнитного поля R (B) под экспериментальные данные определять значения статистических весов и подвижностей свободных носителей заряда. Модель применена для описания зависимостей R (B), полученных для материала Cd[x]Hg[1-x]Te (x~ 0. 2) при температуре жидкого азота.


Доп.точки доступа:
Белова, И. М.; Каневский, В. Е.; Свиридов, М. С.; Шленский, А. А.




   
    Исследование поверхности эпитаксиальных пленок Nd[1. 85]Ce[0. 15]CuO[4 – Y] методом дифракции медленных электронов [Текст] / М. Б. Цетлин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 11. - С. 31-33 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- медленные электроны -- фотоэлектронная спектроскопия -- дифракция медленнных электронов -- отжиг
Аннотация: Поверхность эпитаксиальных пленок Nd[1. 85]Ce[0. 15]CuO[4 – y] (001) (NCCO) исследовалась с помощью дифракции медленных электронов и фотоэлектронной спектроскопии. Было установлено, что травление поверхности ионами Ar{+} с последующим отжигом в кислороде при давлении 1 атм приводит к восстановлению упорядоченной структуры поверхностных слоев с типом симметрии и параметрами решетки, соответствующими фазе NCCO. Отжиг в вакууме при температурах, близких к границе термодинамической стабильности фазы, ведет к появлению на поверхности эпитаксиальной фазы Ce[0. 5]Nd[0. 5]O[1. 75], что проявляется на дифракционной картине в виде дополнительных пятен, соответствующих поверхностной решетке (квадратный корень2 х квадратный корень2 ) R45 градусов.


Доп.точки доступа:
Цетлин, М. Б.; Захаров, А. А.; Менушенков, А. П.; Иванов, А. А.; Михеева, М. Н.; Lindau, I.




    Дубов, Д. Ю.
    Дипольный захват медленного электрона кластером воды [Текст] / Д. Ю. Дубов, А. А. Востриков // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 7. - С. 520-524 . - ISSN 0370-274X
УДК
ББК 22.333
Рубрики: Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
дипольный захват электрона -- медленные электроны -- кластеры воды -- вода -- молекулы воды
Аннотация: Показано, что наблюдаемое в молекулярно-пучковых экспериментах аномально высокое сечение прилипания медленного электрона к кластеру воды (H[2]O) [n больше равно 50] можно объяснить захватом электрона дальнодействующим полем перманентного электрического дипольного момента кластера. Из сечений захвата оценен дипольный момент кластера в зависимости от размера n. Полученные значения существенно превышают случайные дипольные моменты при протононеупорядоченной структуре кластера и свидетельствуют в пользу ферроэлектрического упорядочивания ориентаций дипольных моментов составляющих кластер молекул.


Доп.точки доступа:
Востриков, А. А.




    Смирнов, Ю. М.
    Неупругие столкновения медленных электронов с молекулами SrBr[2] [Текст] / Ю. М. Смирнов // Химическая физика. - 2008. - Т. 27, N 12. - С. 5-9. - Библиогр.: c. 9 (17 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
УДК
ББК 22.38
Рубрики: Физика
   Ядерная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
медленные электроны -- неупругие столкновения -- галогениды щелочноземельных металлов -- возбужденные частицы -- молекулярный пучок -- сечение диссоциативного возбуждения -- монобромид стронция
Аннотация: При экспериментальном исследовании неупругих столкновений медленных электронов с молекулами SrBr[2] измерены сечения диссоциативного возбуждения двух спектральных линий атома и восьми-однозарядного иона стронция.





    Вукстич, В. С.
    Масс-спектрометрическое исследование термической и ударной фрагментации молекулы глицина [Текст] / В. С. Вукстич, А. И. Имре, А. В. Снегурский // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 23. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 7-8 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормированные):
масс-спектрометрические исследования -- глицин -- молекулы глицина -- термическая фрагментация молекул -- ударная фрагментация молекул -- электронные пучки -- молекулярные пучки -- масс-спектрометрический анализ -- процессы фрагментации -- аминокислоты -- механизмы взаимодействия -- медленные электроны -- диссоциативная ионизация -- термическая деградация -- нагрев (физика) -- электронные удары -- масс-спектрометры -- магнитные масс-спектрометры -- промышленные магнитные масс-спектрометры -- МИ-1201 -- конструктивная модернизация
Аннотация: С использованием техники пересекающихся электронного и молекулярного пучков и масс-спектрометрического анализа изучен процесс фрагментации молекулы глицина (C[2]H[5]NO[2]), относящейся к группе аминокислот. Основное внимание уделено образованию ионных фрагментов исходной молекулы вследствие как ударного механизма взаимодействия с медленными электронами (диссоциативной ионизации), так и термической деградации рабочего вещества при его нагреве с последующей ионизацией электронным ударом. В качестве анализирующего прибора применен стандартный промышленный магнитный масс-спектрометр типа МИ-1201, подвергшийся существенной конструктивной модернизации.


Доп.точки доступа:
Имре, А. И.; Снегурский, А. В.




    Смирнов, Ю. М.
    Диссоциативное возбуждение нечетных квинтетных уровней атома железа при столкновениях электронов с молекулами дихлорида железа [Текст] / Ю. М. Смирнов // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 6. - С. 3-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (2 назв. ) . - ISSN 0207-401X
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
диссоциативное возбуждение -- нечетные квинтетные уровни -- квинтетные уровни -- атомы железа -- столкновения электронов -- дихлорид железа -- железо -- медленные электроны -- протяженные пересекающие пучки -- пересекающие пучки -- энергия электронов -- оптическое возбуждение
Аннотация: Диссоциативное возбуждение нечетных квинтетных уровней атома железа при столкновениях медленных электронов с молекулами дихлорида железа исследовано методом протяженных пересекающихся пучков. При энергии возбуждающих электронов 100 эВ измерены 55 сечений диссоциативного возбуждения. Зарегистрированы 5 оптических функций возбуждения в диапазоне энергий электронов 0-100 эВ. Обсуждены некоторые тенденции в поведении сечений диссоциативного возбуждения.





    Сасин, А. В.
    Структура магнетронного разряда постоянного тока в неоне при различных полярностях электродной системы [Текст] / А. В. Сасин, С. Д. Вагнер, А. А. Платонов // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 9. - С. 52-56. - Библиогр.: c. 56 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 22.333
Рубрики: Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
магнетронные разряды постоянного тока -- функция распределения электронов -- ФРЭ -- катодные слои -- быстрые электроны -- медленные электроны -- запертые электроны -- промежуточные электроны -- неон -- полярность электродной системы
Аннотация: Исследован разряд магнетронного типа постоянного тока в неоне при различных полярностях электродной системы. Обнаружено, что функция распределения электронов (ФРЭ) состоит из трех групп электронов: быстрых, ускоренных сильным полем прикатодного слоя; медленных, запертых в потенциальной яме, образованной полем объемного заряда, и промежуточных. Определена радиальная зависимость функции распределения запертых и промежуточных электронов. Обнаружено, что ФРЭ запертых электронов является максвелл-больцмановской, тогда как ФРЭ промежуточных соответствует диффузии электронов при постоянной полной энергии. Измеренные значения толщины катодного слоя зависят от полярности включения источника.


Доп.точки доступа:
Вагнер, С. Д.; Платонов, А. А.




    Цуканов, Д. А.
    Стабильность электрических характеристик пленок Au на поверхности Si (111) 5. 55x 5. 55-Cu при экспозиции в кислороде [Текст] / Д. А. Цуканов, Л. В. Бондаренко, Е. А. Борисенко // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 19. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
пленки (физика) -- золото -- Au -- кремний -- Si -- медь -- Cu -- электрические характеристики -- O -- кислород -- электроны -- медленные электроны -- методы дифракции -- оже-спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- методы измерения -- электрическая проводимость -- поверхностная проводимость -- слоистые структуры -- напыление золота -- монослои -- комнатные температуры -- образцы (физика) -- экспозиции (физика)
Аннотация: С помощью методов дифракции медленных электронов, электронной оже-спектроскопии и четырехзондового метода измерения электрической проводимости in situ изучена зависимость поверхностной проводимости слоистой структуры Au/Su (111) 5. 55x 5. 55-Cu от толщины пленки Au и величины экспозиции в кислороде. Образцы Au/Si (111) 5. 55x 5. 55-Cu формировали путем напыления золота (в количестве 1-5 монослоев) при комнатной температуре на предварительно подготовленную поверхность Si (111) 5. 55x 5. 55-Cu, после чего образцы экспонировали в кислороде (с экспозицией 0-14000 L) также при комнатной температуре. Полученные результаты показали, что экспозиция исходной поверхности Si (111) 5. 55x 5. 55-Cu, а также образцов с покрытием Au в диапазоне 1-3 монослоев в кислороде приводит к значительному падению проводимости. При этом проводимость образцов с покрытием Au более 3 монослоев остается практически неизменной, что связано с тем, что начиная с 3 монослоев на поверхности Si (111) 5. 55x 5. 55-Cu формируется сплошная пленка Au.


Доп.точки доступа:
Бондаренко, Л. В.; Борисенко, Е. А.




   
    О механизме задержки распада двухатомного отрицательного иона Cl[2]\{-\} до микросекундных времен [Текст] / Н. Л. Асфандиаров [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып: вып. 5. - С. 331-335
УДК
ББК 22.333
Рубрики: Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
распад ионов -- двухатомные отрицательные ионы -- тетрахлорэтилен -- диссоциативный захват электронов -- медленные электроны -- резонансный захват электронов -- масс-спектрометрия
Аннотация: Методом масс-спектрометрии отрицательных ионов резонансного захвата электронов исследован процесс диссоциативного захвата медленных электронов молекулами тетрахлорэтилена (C[2]Cl[4]). Зарегистрированы метастабильные ионы с нецелочисленными значениями массовых чисел 7. 5, 17. 5 и 19 а. е. м., отвечающие распадам C[2]Cl[4]\{-\} > Cl\{-\}+C[2]Cl[3] и Cl[2]\{-\} > Cl\{-\}+Cl, происходящим на микросекундной шкале времен. Обнаружено, что ионы Cl[2]\{-\}, являющиеся в рассматриваемом случае осколочными, способны распадаться на микросекундной шкале времен, что весьма неожиданно для системы с одной внутренней степенью свободы. Предположено, что этот процесс обусловлен вращательным возбуждением ионов Cl[2]\{-\}. Тем самым получена экспериментальная оценка времени вращательно-колебательной релаксации в ионе Cl[2]\{-\}.


Доп.точки доступа:
Асфандиаров, Н. Л.; Пшеничнюк, С. А.; Воробьев, А. С.; Нафикова, Е. П.


539.2
С 873


   
    Структура графена на поверхности Ni(110) [Текст] / А. В. Федоров [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 9. - С. 1850-1854. - Библиогр.: с. 1854 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
графены -- метод сканирующей туннельной микроскопии -- медленные электроны -- структура муара -- домены
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и дифракции медленных электронов изучено строение графена на поверхности Ni (110). Показано, что в СТМ-изображениях наблюдается структура муара, зависящая от ориентации доменов, составляющих слой графена. Предложена простая модель, позволяющая на основе вычисления расстояний между соседними атомами углерода и никеля предсказать структуру муара и дать интерпретацию СТМ-изображений. Проведенный теоретический расчет угловых зависимостей энергии кластеров графена с различным числом атомов углерода на Ni (110) показал, что конечная ориентация доменов графена, образующихся при синтезе, определяется углом поворота кластеров малого размера на начальных стадиях роста.


Доп.точки доступа:
Федоров, А. В.; Варыхалов, А. Ю.; Добротворский, А. М.; Чикина, А. Г.; Адамчук, В. К.; Усачев, Д. Ю.


539.2
П 849


   
    Проявление плоских и гофрированных рельефов поверхности платиновых фольг в картинах дифракции медленных электронов / В. Е. Корсуков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 8. - С. 55-61 : ил. - Библиогр.: с. 61 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
гофрированные профили -- поверхности -- плоские поверхности -- платина -- фольги -- медленные электроны -- дифракция медленных электронов -- поликристаллические пленки -- рекристаллизация -- сверхвысокий вакуум -- атомная силовая микроскопия -- силовая микроскопия -- рельефы -- метод ДМЭ -- ДМЭ -- АСМ -- метод АСМ
Аннотация: Атомная структура и рельеф поверхности платиновой поликристаллической фольги после ее прокатки и последующей рекристаллизации в сверхвысоком вакууме были исследованы методами дифракции медленных электронов (ДМЭ) и атомной силовой микроскопии (АСМ). Симметрия картин ДМЭ свидетельствует о том, что структура поверхности рекристаллизованной платины соответствует грани (111), однако различная форма дифракционных максимумов говорит о разнообразии геометрического рельефа ее поверхности. Методом АСМ были выявлены различные типы поверхностных рельефов - плоские, гофрированные в одном направлении, разнонаправленные рельефы, которые были сопоставлены с данными по ДМЭ. Установленные закономерности позволяют вести оперативное наблюдение за образованием различных типов рельефов методом дифракции, не прибегая к зондовым методам.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/08/p55-61.pdf

Доп.точки доступа:
Корсуков, В. Е.; Князев, С. А.; Буйнов, А. Л.; Корсукова, М. М.; Немов, С. А.; Обидов, Б. А.


539.21:537
Э 455


   
    Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 948-953 : ил. - Библиогр.: с. 952-953 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
интерфейсы -- пограничные слои -- электронные свойства -- фталоцианин меди -- электролитическое осаждение -- пленки -- отражение -- регистрация -- медленные электроны -- спектроскопия -- падающие электроны -- токи -- максимумы -- энергетические диапазоны -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- метод теории функционала плотности -- переходные слои -- вакуум -- электронная плотность
Аннотация: Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F[16]-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F[16]-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F[16]-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F[16]-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F[16]-CuPc/CuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0. 7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F[16]-CuPc.
The interface formation during the deposition of the unsubstituted copper phthalocyanine film (CuPc) onto the surface of hexadecafluoro copper phthalocyanine (F[16]-CuPc) was studied. The incident low-energy electron beam with energies from 0 to 25 eV was used to test the surface under study according to the very low energy electron diffraction technique and to the total electron current spectroscopy measurement scheme. The peak structure of the total current spectra was determined for the F[16]-CuPc films studied and a comparison was made to the peak structure of the spectra known for the unsubstituted CuPc films within the energy region from 5 to 15 eV above the Fermi level. The differences of the orbital energies of CuPc and F[16]-CuPc molecules were obtained by means of the density functional theory calculations for the same energy region. During the CuPc film deposition the changes of the intensities of the spectra, which appear from the interface layer between CuPc and F[16]-CuPc films were analyzed. It was suggested that the interface layer with no significant total electron current peak structure was formed within 1 nm from the interface plane. The height of the interface barrier, its width and the work function changes at the F[16]-CuPc/CuPc boarder were determined. It was observed that the energy position of the vacuum level decreased by 0. 7 eV, which corresponds to the electron transfer from the CuPc film in the direction of the F[16]-CuPc film.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p948-953.pdf

Доп.точки доступа:
Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Пшеничнюк, С. А.; Гавриков, А. А.; Чепилко, Н. С.; Томилов, А. А.; Герасимова, Н. Б.; Лезов, А. А.; Репин, П. С.


539.21:537
И 373


   
    Изменение атомной структуры и рельефа поверхности рекристаллизованных фольг Mo при их растяжении в сверхвысоком вакууме / В. Е. Корсуков [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 6. - С. 35-41 : ил. - Библиогр.: с. 40-41 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
атомные структуры -- сверхвысокий вакуум -- морфология поверхности -- медленные электроны -- деструкция -- топограммы -- рельеф поверхности -- дифракция медленных электронов -- атомная силовая микроскопия -- фольги -- молибден
Аннотация: Исследовалось изменение морфологии поверхности рекристаллизованной фольги Mo под воздействием одноосного растяжения в сверхвысоком вакууме методами дифракции медленных электронов (ДМЭ) и атомной силовой микроскопии (АСМ). Установлено, что под влиянием одноосного растяжения поверхности фольги, которая состоит из отдельных блоков доминирующей грани (100) со структурой 1x1, происходит локальная деструкция этой грани и разворот блоков. Методом АСМ получены топограммы различных областей поверхности разорванного образца. Данные, полученные методом ДМЭ, сопоставлялись с эволюцией рельефа поверхности, измеренного методом АСМ, и получено хорошее совпадение.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/06/p35-41.pdf

Доп.точки доступа:
Корсуков, В. Е.; Князев, С. А.; Анкудинов, А. В.; Корсукова, М. М.; Обидов, Б. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)


539.21:537
В 644


   
    Возможность использования платиновых фольг с гофрированной поверхностью в качестве дифракционных решеток / В. Е. Корсуков [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 18. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 6-7 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
платиновая фольга -- гофрированные поверхности -- дифракционные решетки -- медленные электроны -- туннельная микроскопия -- сканирующая микроскопия -- силовая микроскопия -- рекристаллизационный отжиг -- сверхвысокий вакуум -- фрактальные структуры -- электромагнитные излучения
Аннотация: Методами дифракции медленных электронов, атомной силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследован поверхностный рельеф тонких холоднокатаных платиновых фольг в процессах рекристаллизационного отжига и нагружения в сверхвысоком вакууме. При высокотемпературном нагреве и одноосном растяжении рекристаллизованных фольг Pt получены образцы, поверхность которых образует фрактальную структуру однонаправленных разномасштабных гофров. Измерены общая фрактальная размерность поверхности - D[GW]=2. 3, размерности вдоль поверхности - D приблизительно равно 1 и поперек гофров - D[normal] приблизительно равно 1. 3. Записаны оптические спектры галогенной лампы и лампы ПРК-2 с использованием этих фольг Pt в качестве отражательных дифракционных решеток. Показано, что фольги Pt с подобным рельефом поверхности могут быть использованы как отражательные дифракционные решетки в широком диапазоне электромагнитного излучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/18/p1-7.pdf

Доп.точки доступа:
Корсуков, В. Е.; Анкудинов, А. В.; Бутенко, П. Н.; Князев, С. А.; Корсукова, М. М.; Обидов, Б. А.; Щербаков, И. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)